沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流(liu)橋產品是由4顆肖特(te)基(ji)硅(gui)二極(ji)管橋式連接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩只(zhi)二極管(guan)負極的連接點是(shi)全橋(qiao)直流輸出(chu)端的“正極”,兩只二(er)極管正極的連接點是全(quan)橋直流(liu)輸出端的“負極”,外用(yong)絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四(si)只低壓降整(zheng)流(liu)硅芯片作橋式連接,有四個引出(chu)腳(jiao)。兩只二極管負極的連(lian)接點是全(quan)橋(qiao)直(zhi)流輸出(chu)端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成(cheng)。LOW VF即是正(zheng)向壓(ya)降極(ji)低的(de)整(zheng)流橋。
逆變橋是由四(si)顆快恢復二(er)極管整合一(yi)起,即將四(si)顆芯片封裝(zhuang)到一(yi)個(ge)支(zhi)架(jia)上作橋式連接,有四(si)個(ge)引出(chu)(chu)腳。兩(liang)(liang)只二(er)極管負極的(de)(de)連接點是直(zhi)流輸(shu)出(chu)(chu)端的(de)(de)“正(zheng)(zheng)極”,兩(liang)(liang)只二(er)極管正(zheng)(zheng)極的(de)(de)連接點是直(zhi)流輸(shu)出(chu)(chu)端的(de)(de)“負極”,另兩(liang)(liang)個(ge)引腳是交(jiao)流輸(shu)入端,外用絕緣塑料(liao)封裝(zhuang)而成。
一種集成采(cai)樣功(gong)能的(de)整流(liu)橋,即通過采(cai)集電(dian)路中的(de)輸入電(dian)流(liu),實現功(gong)率分配、電(dian)路保護(hu)。
開(kai)關橋是由四只(zhi)高速開關二(er)極管作橋(qiao)式(shi)連接(jie),有四個引出腳。兩(liang)只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是(shi)全橋直流(liu)輸(shu)出(chu)端的“負極”,外(wai)用絕緣(yuan)塑(su)封而成。
沃爾德高壓肖(xiao)特(te)基(ji)二極管具(ju)有較(jiao)低的VF值和極低(di)的反(fan)向漏電流(liu)Ir,體現(xian)出(chu)良(liang)好(hao)的低(di)溫升特性(xing)。VRRM高(gao)達350V,電流(liu)從5A到40A全覆(fu)蓋,能更好(hao)的滿(man)足高壓輸出電源的(de)高效率、高可靠性的(de)需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖(xiao)特基(ji)二極(ji)管采用(yong)先(xian)進(jin)的(de)Trench工藝,具(ju)有較低(di)的(de)VF值和極(ji)低(di)的(de)高溫漏電流,能更好的滿足電源(yuan)產品的高效率,高可靠性(xing)的需求。
沃(wo)爾德LOW Trr超快恢復(fu)二極管具(ju)有(you)極低的反向恢復(fu)時間Trr和極低的反向恢(hui)復電荷(he)Qrr,并具(ju)有超快的開關速度,應用于硬(ying)開關條件(jian)下的PFC電路和(he)高壓高頻(pin)電源的(de)次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并具(ju)有(you)開關速度快等(deng)特點,能滿足產品溫升(sheng)和(he)效(xiao)率(lv)的要求。
沃爾(er)德(de)Planar MOS 具有低的RDs(on)和(he)Ciss 并具有強(qiang)的EAS性(xing)能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾德(de)Trench MOS 具(ju)有較低的(de)RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關(guan)速度快并具(ju)有強的EAS性能和抗短路(lu)性能等特點(dian),能滿足(zu)產(chan)品高(gao)效(xiao)和可靠(kao)的要求。
沃爾(er)德SJ(超結(jie))MOS采用多層外(wai)延(yan)工藝(yi),具有(you)低RDS(on)、結電(dian)容小、Qg 小,易驅動、開關速度快的特點,使(shi)電(dian)源更容易實現高(gao)(gao)效率,高(gao)(gao)可(ke)靠性。
沃爾(er)德吸收二極管具(ju)有較長(chang)的存儲(chu)時間和較小(xiao)的Irr,同時具(ju)有較長的(de)(de)平緩反(fan)向恢復特性(xing),能平緩恢復電流,應用于電源的(de)(de)RCD吸(xi)收電路(lu),從而使電源產品達到更好(hao)的(de)(de)EMI特性(xing),滿足電源產品高(gao)效(xiao)率、高(gao)可(ke)靠性(xing)的(de)(de)需求。
通過優化二極管(guan)Ta/Tb(開通(tong)時間(jian)/關斷時間)較軟的(de)恢復特性(xing),大(da)幅(fu)減少(shao)(shao)諧波振蕩的(de)發生,從而(er)減少(shao)(shao)或者(zhe)減小橋(qiao)堆(dui)周邊EMI抑制器(qi)件的使(shi)(shi)用或(huo)者使(shi)(shi)用規格,例(li)如X電(dian)容,共模(mo)電(dian)感,差模(mo)電(dian)感等。