沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流橋產品是(shi)由4顆肖(xiao)特基(ji)硅二(er)極(ji)管橋式連接(jie),有(you)四個引出腳。兩只二(er)極管負極的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出端(duan)的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點是全橋(qiao)直流(liu)輸(shu)出端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣(yuan)朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整流橋(qiao)產品是由四只低壓降整流硅芯片(pian)作橋式連接,有四個引(yin)出腳(jiao)。兩(liang)只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的(de)連接(jie)點是全橋直流輸出端(duan)的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接(jie)點是全橋直(zhi)流輸出端(duan)的“負極(ji)”,外(wai)用絕(jue)緣(yuan)塑(su)封而成。LOW VF即(ji)是正向壓降極低的整流橋。
逆變橋是由四顆快(kuai)恢復(fu)二極管(guan)整合(he)一起(qi),即將(jiang)四顆芯(xin)片封裝(zhuang)到(dao)一個(ge)支架上作橋式(shi)連(lian)(lian)接,有四個(ge)引(yin)出(chu)(chu)腳(jiao)。兩只(zhi)二極管(guan)負極的(de)連(lian)(lian)接點是直流輸出(chu)(chu)端(duan)的(de)“正極”,兩只(zhi)二極管(guan)正極的(de)連(lian)(lian)接點是直流輸出(chu)(chu)端(duan)的(de)“負極”,另(ling)兩個(ge)引(yin)腳(jiao)是交流輸入(ru)端(duan),外(wai)用絕(jue)緣塑(su)料封裝(zhuang)而成(cheng)。
一種集成采樣功(gong)能(neng)的(de)整流橋,即通過采集電路(lu)(lu)中的(de)輸(shu)入電流,實現功(gong)率分配、電路(lu)(lu)保護(hu)。
開關橋(qiao)是由四只(zhi)高速開關二極(ji)管(guan)作(zuo)橋(qiao)式連接,有四個(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩只二極管負(fu)極的(de)連接點是全(quan)橋直流輸出(chu)端的(de)“正極”,兩只(zhi)二(er)極管正極的連接點(dian)是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑(su)封而(er)成。
沃爾德(de)高壓肖特基二極管具(ju)有較低的VF值和極(ji)低的反向漏電流(liu)Ir,體現出良好的低溫升特性(xing)。VRRM高達(da)350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋(gai),能更(geng)好的滿足(zu)高(gao)壓(ya)輸出(chu)電源的(de)高(gao)效(xiao)率、高(gao)可(ke)靠性的(de)需求。
沃爾德(de) LOW VF肖特基二極(ji)管采用先(xian)進的(de)Trench工(gong)藝(yi),具有較低(di)的(de)VF值(zhi)和極(ji)低(di)的(de)高溫(wen)漏電流,能更(geng)好的滿足電源產品的高效(xiao)率,高可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超(chao)快(kuai)恢復(fu)二極管具有極低的(de)反向(xiang)恢復(fu)時間(jian)Trr和極低的反向恢復電(dian)荷Qrr,并具有超快的(de)開(kai)關(guan)速度(du),應(ying)用于硬開(kai)關(guan)條(tiao)件下(xia)的(de)PFC電(dian)路(lu)和高壓高頻電(dian)源的次級整(zheng)流(liu)電(dian)路(lu)。
沃爾(er)德SGT MOS 具有(you)極低的(de)(de)RDs(on) 、低的(de)(de)Qg和Ciss ,并具有(you)開關速度(du)快(kuai)等特(te)點(dian),能滿足產(chan)品溫升(sheng)和效率的(de)(de)要求。
沃爾德Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和(he)Ciss 并(bing)具有強的EAS性能(neng)等(deng)特點(dian),能(neng)滿足產(chan)品高效和(he)可靠(kao)的(de)要求。
沃爾(er)德Trench MOS 具有(you)較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關(guan)速度快(kuai)并具有強的EAS性能和抗短路性能等(deng)特點,能滿足產品高效和可(ke)靠的要求。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采(cai)用多層外延工藝,具有(you)低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易(yi)驅動、開關速度快的特點,使電源更容易(yi)實現高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德(de)碳(tan)化硅二極(ji)管具(ju)極(ji)小的(de)反向恢復時(shi)間、高浪涌電流、高效可(ke)靠的(de)特(te)性,封裝主(zhu)要(yao)有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳化(hua)硅mos管具有低RDS(on)高(gao)開關速度,高(gao)效(xiao)可(ke)靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二(er)極管具有較長(chang)的存儲時間和較(jiao)小的Irr,同時具(ju)有較長的(de)平緩反(fan)向恢復(fu)特性(xing)(xing),能平緩恢復(fu)電(dian)流,應(ying)用于電(dian)源(yuan)(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)路,從而(er)使電(dian)源(yuan)(yuan)產(chan)品(pin)(pin)達到更(geng)好的(de)EMI特性(xing)(xing),滿足(zu)電(dian)源(yuan)(yuan)產(chan)品(pin)(pin)高(gao)效率、高(gao)可(ke)靠性(xing)(xing)的(de)需求。
通過(guo)優(you)化二極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷時間)較軟的恢復(fu)特性,大幅減(jian)少(shao)諧波振蕩(dang)的發生(sheng),從而(er)減(jian)少(shao)或者減(jian)小橋堆周(zhou)邊EMI抑(yi)制器件的(de)使(shi)用或者使(shi)用規格,例如X電容,共模電感,差(cha)模電感等。