沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產(chan)品(pin)是由4顆肖(xiao)特(te)基(ji)硅二(er)極管橋式連接,有四個引出腳。兩(liang)只二極(ji)管負極(ji)的連接點(dian)是全(quan)橋直流輸出端(duan)的“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出(chu)端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋(qiao)產品是(shi)由四只低壓(ya)降整流硅芯片作橋式連接,有四個引(yin)出(chu)腳。兩只(zhi)二極管(guan)負(fu)極的連接點是全橋直流(liu)輸出(chu)端的“正極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封(feng)而成。LOW VF即是(shi)正向壓降極(ji)低的整流橋。
逆(ni)變橋是(shi)由四(si)顆(ke)快恢復二極(ji)(ji)管整合(he)一(yi)起,即將四(si)顆(ke)芯(xin)片封裝(zhuang)(zhuang)到一(yi)個支架上作(zuo)橋式連接(jie),有四(si)個引出(chu)腳(jiao)。兩只二極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是(shi)直流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是(shi)直流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)“負極(ji)(ji)”,另兩個引腳(jiao)是(shi)交流(liu)輸(shu)入(ru)端(duan)(duan),外用絕緣(yuan)塑料封裝(zhuang)(zhuang)而成。
一種(zhong)集成采(cai)樣功能的整流橋(qiao),即通(tong)過采(cai)集電路中的輸(shu)入電流,實現功率分配、電路保護。
開關橋(qiao)是由四只高速開關二極管作(zuo)橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩(liang)只(zhi)二極管負(fu)極的連接點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的“正極”,兩只二極管正極的連接點(dian)是全橋直(zhi)流輸出端(duan)的“負(fu)極”,外用絕緣(yuan)塑封而(er)成。
沃(wo)爾德高壓肖(xiao)特基二極管具有較(jiao)低的VF值和極低的(de)(de)反向漏電流(liu)Ir,體現出良(liang)好的(de)(de)低溫升特性。VRRM高(gao)達350V,電流(liu)從5A到(dao)40A全(quan)覆蓋,能更好的(de)(de)滿足高壓(ya)輸(shu)出(chu)電(dian)源的(de)高效率、高可靠性的(de)需求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖(xiao)特基二(er)極(ji)管采用先進的Trench工藝,具有較低(di)的VF值和極(ji)低(di)的高溫漏(lou)電(dian)流(liu),能更好的滿足電源產品的高效率,高可(ke)靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢(hui)復二極管具有極低的(de)反(fan)向恢(hui)復時(shi)間Trr和極低的(de)反向恢復(fu)電荷Qrr,并具有超快的開(kai)關速度,應用于硬開(kai)關條(tiao)件下(xia)的PFC電路和高壓高頻電源的次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具有開關速(su)度(du)快等特(te)點,能滿(man)足產品溫升(sheng)和效(xiao)率的要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和(he)Ciss 并具有強(qiang)的EAS性(xing)能等特點,能滿足產品(pin)高效和可靠的要求(qiu)。
沃爾德(de)Trench MOS 具(ju)有較低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關(guan)速(su)度快并具有強(qiang)的EAS性能(neng)和抗短(duan)路性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采(cai)用多層外延工藝,具有低(di)RDS(on)、結電(dian)容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅(qu)動、開關(guan)速度快(kuai)的(de)特點,使電(dian)源更容易實現高(gao)效率,高(gao)可(ke)靠性。
沃(wo)爾德吸(xi)收(shou)二極(ji)管(guan)具有較長的(de)存儲時間和較小的(de)Irr,同時具有(you)較長的平緩反向恢復(fu)特(te)性,能平緩恢復(fu)電(dian)(dian)(dian)流,應用于電(dian)(dian)(dian)源的RCD吸收電(dian)(dian)(dian)路,從而使電(dian)(dian)(dian)源產品達到更好的EMI特(te)性,滿(man)足電(dian)(dian)(dian)源產品高效(xiao)率、高可靠性的需求。
通過優(you)化(hua)二極(ji)管Ta/Tb(開(kai)通時(shi)間/關(guan)斷時(shi)間)較軟的(de)恢復特性(xing),大幅減(jian)少(shao)諧波振蕩的(de)發生,從而(er)減(jian)少(shao)或者減(jian)小橋堆(dui)周邊(bian)EMI抑制器件的使用或者(zhe)使用規格,例如X電(dian)容,共(gong)模電(dian)感(gan),差模電(dian)感(gan)等。