沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流(liu)橋產品是(shi)由(you)4顆肖特基硅二極(ji)管(guan)橋式連接(jie),有四個引出腳(jiao)。兩只二極管負極的(de)連接點是(shi)全橋直流(liu)輸出端(duan)的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點(dian)是全橋直流輸出端的(de)“負(fu)極(ji)”,外用(yong)絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整(zheng)流橋產品(pin)是由四(si)只低壓降整流硅芯片作橋式連接(jie),有四個引出腳。兩只二極管負極的(de)連(lian)接點是全橋直流(liu)輸出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的連接點(dian)是全(quan)橋直流(liu)輸(shu)出(chu)端的“負極”,外(wai)用(yong)絕(jue)緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低的(de)整流橋(qiao)。
逆變橋是由四(si)顆快(kuai)恢復(fu)二極(ji)管(guan)整合一起,即將四(si)顆芯片(pian)封(feng)裝到一個支架上作橋式連(lian)接,有四(si)個引出腳。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的連(lian)接點是直流(liu)輸(shu)出端(duan)的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的連(lian)接點是直流(liu)輸(shu)出端(duan)的“負極(ji)”,另兩個引腳是交流(liu)輸(shu)入(ru)端(duan),外用絕(jue)緣塑料(liao)封(feng)裝而成。
一種集成采樣功能的整流橋(qiao),即通過采集電(dian)(dian)路中(zhong)的輸入電(dian)(dian)流,實現功率(lv)分配(pei)、電(dian)(dian)路保護。
開(kai)關(guan)橋是由(you)四(si)只高速(su)開關二極管作橋式(shi)連接,有四個引出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只二極管負極的連(lian)接點(dian)是(shi)全橋直(zhi)流輸(shu)出(chu)端的“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的連接點(dian)是(shi)全橋直(zhi)流(liu)輸(shu)出(chu)端的“負極(ji)(ji)”,外用(yong)絕(jue)緣(yuan)塑封而成。
沃爾(er)德(de)高壓肖特(te)基二極管(guan)具有(you)較低的VF值(zhi)和極低的(de)(de)反向漏電流Ir,體現出良好的(de)(de)低溫升(sheng)特(te)性。VRRM高(gao)達350V,電流從(cong)5A到40A全覆蓋,能更好的(de)(de)滿足(zu)高(gao)壓輸出電源的(de)高(gao)效率、高(gao)可靠性的(de)需(xu)求。
沃(wo)爾(er)德 LOW VF肖特基(ji)二(er)極(ji)管采用(yong)先(xian)進的Trench工藝,具有較低(di)的VF值和極(ji)低(di)的高溫漏電流,能更好(hao)的滿足(zu)電(dian)源(yuan)產品的高(gao)效率,高(gao)可靠性的需求(qiu)。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢(hui)復二極管具有極低的反向恢(hui)復時間(jian)Trr和(he)極低的(de)反向恢(hui)復電荷Qrr,并具有超快的開關(guan)(guan)速度,應用于(yu)硬開關(guan)(guan)條件下的PFC電(dian)路(lu)和高壓高頻(pin)電(dian)源(yuan)的次級整流電(dian)路(lu)。
沃(wo)爾德SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具有開關速度快(kuai)等(deng)特點,能(neng)滿足產品(pin)溫升和效率的要(yao)求。
沃爾德(de)Planar MOS 具有低的RDs(on)和(he)Ciss 并具有強的EAS性能等特點,能滿足產(chan)品高效和可靠的(de)要求。
沃爾德Trench MOS 具有(you)較低(di)的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度快并具有強(qiang)的(de)EAS性能(neng)和抗短路性能(neng)等特點,能(neng)滿足產(chan)品高(gao)效和可(ke)靠的要求(qiu)。
沃(wo)爾(er)德SJ(超結(jie))MOS采用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開(kai)關(guan)速度快的特點(dian),使電源更(geng)容易實現高(gao)效率,高(gao)可(ke)靠性。
沃(wo)爾德碳化(hua)硅二(er)極管(guan)具極小的(de)反向恢(hui)復時間、高浪涌電(dian)流(liu)、高效可(ke)靠的(de)特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅mos管具有(you)低RDS(on)高(gao)開關(guan)速度(du),高(gao)效可(ke)靠,封裝TOLL、TO-247等(deng)
沃爾德吸收二(er)極管具有(you)較長的存儲時間和較小的Irr,同(tong)時具有(you)較(jiao)長(chang)的(de)(de)平(ping)(ping)緩反向恢復特(te)性,能(neng)平(ping)(ping)緩恢復電(dian)流,應(ying)用于電(dian)源(yuan)的(de)(de)RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)產(chan)品達到更好(hao)的(de)(de)EMI特(te)性,滿(man)足電(dian)源(yuan)產(chan)品高效(xiao)率、高可靠性的(de)(de)需(xu)求(qiu)。
通過優化(hua)二極管Ta/Tb(開通時間/關(guan)斷時間)較軟的恢復特性,大幅減(jian)少諧波振蕩的發生,從(cong)而減(jian)少或(huo)者(zhe)減(jian)小橋堆(dui)周(zhou)邊EMI抑制器件的(de)使用(yong)或(huo)者(zhe)使用(yong)規格,例(li)如X電容,共模(mo)電感,差模(mo)電感等。