沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流(liu)橋產品是由4顆肖(xiao)特基硅二極管橋(qiao)式連(lian)接,有四個(ge)引出腳。兩(liang)只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連(lian)接點是全橋直流(liu)輸出端(duan)的“負極”,外用絕(jue)緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋(qiao)產(chan)品是(shi)由四只低(di)壓降(jiang)整流硅芯片作橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)(de)連接(jie)點是(shi)全橋直流輸出(chu)端(duan)的(de)(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的連(lian)接點是全(quan)橋(qiao)直(zhi)流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑(su)封(feng)而成。LOW VF即(ji)是正向(xiang)壓降極低的整(zheng)流橋。
逆變橋是(shi)由四(si)顆快恢復二極管整合一起,即將四(si)顆芯片(pian)封裝到(dao)一個支(zhi)架上作橋式(shi)連接,有四(si)個引(yin)出(chu)腳。兩只(zhi)二極管負(fu)極的(de)(de)連接點是(shi)直(zhi)(zhi)流(liu)輸出(chu)端的(de)(de)“正極”,兩只(zhi)二極管正極的(de)(de)連接點是(shi)直(zhi)(zhi)流(liu)輸出(chu)端的(de)(de)“負(fu)極”,另兩個引(yin)腳是(shi)交流(liu)輸入端,外用絕緣(yuan)塑料封裝而成。
一種集成采樣功能的整(zheng)流(liu)橋,即通過采集電(dian)(dian)路(lu)中的輸入電(dian)(dian)流(liu),實現功率分(fen)配(pei)、電(dian)(dian)路(lu)保護。
開關橋是由四只高(gao)速(su)開(kai)關二極管作(zuo)橋式連接(jie),有四個(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩只二極管負極的(de)連接(jie)點是全橋直流輸出(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點是(shi)全(quan)橋直流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德高壓肖特基二極(ji)管具有較低(di)的VF值和極(ji)低(di)的反向漏(lou)電流Ir,體(ti)現出良好的低(di)溫升特性。VRRM高達(da)350V,電流從5A到40A全覆蓋(gai),能更好的滿足高壓輸出電源的高效率、高可靠性(xing)的需求。
沃爾德(de) LOW VF肖特基(ji)二極(ji)管采用先(xian)進的Trench工藝,具(ju)有較低的VF值和(he)極(ji)低的高溫漏電流(liu),能更好的滿足電源產品的(de)高效率(lv),高可(ke)靠性的(de)需求。
沃爾德LOW Trr超快恢(hui)復二極(ji)管具有極(ji)低的反向(xiang)恢(hui)復時間Trr和極低的反向(xiang)恢復電荷(he)Qrr,并具有超快的開(kai)關(guan)速度,應用(yong)于硬開(kai)關(guan)條件下的PFC電(dian)(dian)路和高(gao)壓高(gao)頻電(dian)(dian)源(yuan)的次(ci)級整流電(dian)(dian)路。
抗靜(jing)電器件,ESD。針對主流競品(pin),我(wo)司(si)(si)均(jun)有(you)可(ke)替代產品(pin),ESD類我(wo)司(si)(si)接受(shou)定(ding)制(zhi)物料。
沃爾德SGT MOS 具有極低的(de)(de)RDs(on) 、低的(de)(de)Qg和Ciss ,并具有開(kai)關速(su)度快等(deng)特點,能(neng)滿(man)足(zu)產品溫升和效率的(de)(de)要(yao)求。
沃爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有(you)強的EAS性(xing)能等(deng)特點,能滿足產品高效和可靠(kao)的要求。
沃(wo)爾德Trench MOS 具有較(jiao)低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度快(kuai)并(bing)具有(you)強的EAS性(xing)能和抗短路性(xing)能等特點,能滿足產品高(gao)效和可靠的要求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用多層外延工藝,具有低(di)RDS(on)、結(jie)電容小、Qg 小,易驅動(dong)、開關速度快的特點,使電源更容易實現高效率(lv),高可靠性。
沃(wo)爾(er)德碳化硅二極管(guan)具極小的(de)反向恢復時(shi)間、高浪涌(yong)電流、高效可靠的(de)特性,封(feng)裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃(wo)爾德碳化硅mos管具有(you)低RDS(on)高(gao)開關速(su)度,高(gao)效可(ke)靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管具(ju)有較長的存儲(chu)時間和較小(xiao)的Irr,同時具(ju)有較長的平(ping)(ping)緩(huan)(huan)反向恢(hui)復(fu)特(te)性,能平(ping)(ping)緩(huan)(huan)恢(hui)復(fu)電(dian)流,應用于電(dian)源的RCD吸收(shou)電(dian)路(lu),從而使電(dian)源產品達(da)到更好的EMI特(te)性,滿(man)足(zu)電(dian)源產品高效率(lv)、高可靠性的需求。
通過優化(hua)二極管(guan)Ta/Tb(開通時間/關斷時(shi)間)較(jiao)軟的(de)恢復(fu)特性(xing),大幅(fu)減少(shao)(shao)諧波振(zhen)蕩的(de)發生,從而(er)減少(shao)(shao)或者減小(xiao)橋堆周邊EMI抑(yi)制器件的使(shi)用或者使(shi)用規格,例如X電容,共模電感(gan),差模電感(gan)等。