沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流(liu)橋產品是(shi)由4顆肖特(te)基硅二極管橋(qiao)式連接,有四(si)個(ge)引(yin)出腳。兩只二極(ji)管負(fu)極(ji)的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“正極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接(jie)點(dian)是全(quan)橋直流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外(wai)用絕緣朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整流橋產(chan)品(pin)是由四只低壓降整流硅芯片作橋(qiao)式連接,有四個引出腳。兩只二極管負(fu)極的連(lian)接點是全橋直流(liu)輸(shu)出端的“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“負極(ji)(ji)”,外(wai)用(yong)絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低的整流橋。
逆變橋(qiao)是(shi)(shi)由四顆快恢復二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)整合一起,即將四顆芯片封裝(zhuang)到(dao)一個支架上作橋(qiao)式連(lian)接(jie),有(you)四個引(yin)出腳。兩(liang)只二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)負極(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)直流輸出端的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)正(zheng)極(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)直流輸出端的(de)“負極(ji)(ji)(ji)”,另兩(liang)個引(yin)腳是(shi)(shi)交(jiao)流輸入端,外用(yong)絕緣塑料封裝(zhuang)而成。
一種集成采(cai)樣功能的整流橋,即(ji)通過(guo)采(cai)集電(dian)路中的輸入電(dian)流,實現功率分配(pei)、電(dian)路保護(hu)。
開關(guan)橋是由四只(zhi)高速(su)開關二(er)極管作橋式連接,有四(si)個引出腳。兩只二極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的連接(jie)點是全橋直(zhi)流輸出端的“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點(dian)是全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣(yuan)塑封而成。
沃爾德高壓(ya)肖特基二極管具有較(jiao)低的VF值和極(ji)低的反向漏電流(liu)(liu)Ir,體現出良好的低溫升特(te)性。VRRM高達350V,電流(liu)(liu)從5A到(dao)40A全覆(fu)蓋(gai),能更好的滿足高(gao)壓輸出電(dian)源的(de)高(gao)效(xiao)率(lv)、高(gao)可靠性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特基(ji)二極管(guan)采(cai)用先進(jin)的Trench工藝(yi),具有較低的VF值(zhi)和極低的高溫漏電(dian)流,能更好(hao)的滿足電源產品的(de)高效率(lv),高可靠性的(de)需求。
沃爾德LOW Trr超快(kuai)恢(hui)復二極管具有極低的反向恢(hui)復時間(jian)Trr和極(ji)低的反向恢(hui)復(fu)電荷(he)Qrr,并具有(you)超快的(de)開關速度(du),應用于硬開關條件下的(de)PFC電(dian)路(lu)和高壓(ya)高頻電(dian)源的次級整流電(dian)路(lu)。
沃(wo)爾德(de)SGT MOS 具有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并具有(you)開關速度(du)快等特點,能滿足(zu)產品溫升和(he)效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有(you)低的RDs(on)和(he)Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效和可靠的(de)要求。
沃爾德Trench MOS 具有較(jiao)低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快(kuai)并(bing)具有強(qiang)的EAS性能(neng)和抗短路性能(neng)等特點,能(neng)滿足(zu)產品高(gao)效和可靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層外延工藝(yi),具有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易驅動、開關(guan)速度快的特(te)點,使電源更(geng)容易實現高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾德吸(xi)收(shou)二(er)極管具有較長的(de)存(cun)儲時間和較(jiao)小的(de)Irr,同時具有(you)較長(chang)的(de)平緩反向恢復特性,能平緩恢復電流,應用于電源的(de)RCD吸收(shou)電路,從而(er)使電源產品(pin)達到(dao)更好的(de)EMI特性,滿足電源產品(pin)高效率、高可靠性的(de)需(xu)求。
通過優化二極管Ta/Tb(開(kai)通時間(jian)/關斷時(shi)間(jian))較軟的恢復特性,大幅減(jian)少(shao)諧波(bo)振蕩的發生,從(cong)而減(jian)少(shao)或者減(jian)小橋堆周邊(bian)EMI抑(yi)制器件(jian)的使用或者使用規格,例如X電容,共模電感,差模電感等。