沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品(pin)是由(you)4顆(ke)肖特(te)基硅二極管橋(qiao)式連(lian)接,有四個引(yin)出腳。兩只二極(ji)管負(fu)極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的(de)連接(jie)點(dian)是全橋直流(liu)輸(shu)出端的(de)“負極”,外用絕(jue)緣朔料(liao)封裝而(er)成(cheng)。
LOW VF整(zheng)流橋產品是由四(si)只低壓(ya)降(jiang)整流(liu)硅芯(xin)片作橋式(shi)連(lian)接,有四個引出腳(jiao)。兩只(zhi)二極(ji)管(guan)負極(ji)的連接點(dian)是全(quan)橋(qiao)直流(liu)輸出端的“正極”,兩只(zhi)二極管正極的連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的“負極”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即(ji)是正向壓降(jiang)極低的整流橋。
逆(ni)變(bian)橋是(shi)(shi)由四(si)(si)顆快恢復二(er)極(ji)(ji)管整合一(yi)(yi)起,即(ji)將四(si)(si)顆芯片(pian)封(feng)裝(zhuang)到一(yi)(yi)個支(zhi)架上作橋式連(lian)接(jie),有四(si)(si)個引出(chu)(chu)腳(jiao)。兩只二(er)極(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)的連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)直流(liu)(liu)輸出(chu)(chu)端(duan)的“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)直流(liu)(liu)輸出(chu)(chu)端(duan)的“負(fu)極(ji)(ji)”,另兩個引腳(jiao)是(shi)(shi)交流(liu)(liu)輸入(ru)端(duan),外(wai)用絕(jue)緣塑料(liao)封(feng)裝(zhuang)而成。
一種集(ji)成采(cai)樣功能的(de)整流(liu)橋,即(ji)通過采(cai)集(ji)電路中的(de)輸(shu)入電流(liu),實現功率分配(pei)、電路保護。
開關橋是由四只高速開關二(er)極管作橋式(shi)連接,有四個引(yin)出(chu)腳。兩(liang)只二極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連接點是全橋(qiao)直流輸(shu)出(chu)端的(de)“正極”,兩只二極管(guan)正極的(de)(de)連接點是全(quan)橋直流(liu)輸出端(duan)的(de)(de)“負極”,外(wai)用絕(jue)緣(yuan)塑封而成。
沃爾德高壓(ya)肖(xiao)特基二(er)極管具有較低的VF值和(he)極低(di)的反向(xiang)漏電流Ir,體現出良(liang)好的低(di)溫升(sheng)特性。VRRM高(gao)達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更(geng)好的滿足高(gao)壓輸出電源的高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性(xing)的需求。
沃爾德 LOW VF肖(xiao)特(te)基(ji)二極管采用(yong)先進的(de)Trench工(gong)藝(yi),具有較低的(de)VF值(zhi)和極低的(de)高溫漏電流(liu),能更好的(de)滿足電源(yuan)產品的高(gao)效率,高(gao)可靠性(xing)的需求。
沃爾(er)德LOW Trr超快(kuai)恢復(fu)二極管具有極低的(de)反向恢復(fu)時間(jian)Trr和極低的反向恢復電荷Qrr,并具有超快的(de)開(kai)關速度,應用于(yu)硬開(kai)關條件下的(de)PFC電(dian)路(lu)和高壓高頻電(dian)源(yuan)的次級整流電(dian)路(lu)。
沃(wo)爾德SGT MOS 具有極低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和Ciss ,并具有開關(guan)速度(du)快(kuai)等特點(dian),能滿足產品溫升和效率的(de)要(yao)求。
沃爾(er)德Planar MOS 具有(you)低的RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性(xing)能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿(man)足產(chan)品高效和可靠的要求。
沃(wo)爾德(de)Trench MOS 具(ju)有較低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速度快并具有強的EAS性(xing)能(neng)和(he)抗短路性(xing)能(neng)等特點(dian),能(neng)滿足產品高效和(he)可靠的要(yao)求。
沃(wo)爾德(de)SJ(超結)MOS采(cai)用(yong)多層外延工藝,具有(you)低RDS(on)、結電容(rong)小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅(qu)動、開(kai)關速(su)度快(kuai)的(de)特點,使電源更容(rong)易實現高效率,高可靠性。
沃爾德碳(tan)化(hua)硅二(er)極管具(ju)極小的反向(xiang)恢(hui)復時(shi)間、高(gao)浪涌電流、高(gao)效(xiao)可(ke)靠的特性,封裝主要(yao)有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳化硅mos管具有低(di)RDS(on)高開關速度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等(deng)
沃(wo)爾(er)德吸收二極管具(ju)有較長的(de)存(cun)儲(chu)時間和較(jiao)小的(de)Irr,同時具(ju)有較長的(de)平(ping)緩反向恢(hui)復(fu)特性(xing),能(neng)平(ping)緩恢(hui)復(fu)電(dian)流,應用(yong)于電(dian)源(yuan)的(de)RCD吸收(shou)電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)產品達到更好的(de)EMI特性(xing),滿足電(dian)源(yuan)產品高效率(lv)、高可靠性(xing)的(de)需求。
通(tong)過優化(hua)二極管Ta/Tb(開通(tong)時間/關斷時間(jian))較軟的(de)恢復特性,大幅減(jian)少諧波振蕩的(de)發生,從而減(jian)少或(huo)者減(jian)小橋堆周邊EMI抑制器件的使用(yong)或者(zhe)使用(yong)規(gui)格(ge),例如X電容,共模電感(gan),差(cha)模電感(gan)等。