沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整(zheng)流橋產品(pin)是由4顆肖特基硅二(er)極管橋式連接,有(you)四個(ge)引出腳。兩只(zhi)二極(ji)管負(fu)極(ji)的連接點(dian)是(shi)全(quan)橋(qiao)直流輸出端的“正極(ji)(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)(ji)管正極(ji)(ji)(ji)的連接點是全橋(qiao)直(zhi)流輸出端的“負極(ji)(ji)(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是(shi)由四只低壓降整流硅芯片作橋式(shi)連接,有四個引(yin)出腳。兩只二(er)極管負極的連接點是(shi)全(quan)橋直流輸(shu)出端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連接(jie)點是(shi)全(quan)橋直流(liu)輸(shu)出端的“負極”,外用絕緣(yuan)塑(su)封而成。LOW VF即是正向壓降(jiang)極低的整流橋。
逆變(bian)橋是由四(si)顆快恢復二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)整合一起,即將四(si)顆芯片封(feng)裝到(dao)一個(ge)支架上作(zuo)橋式連(lian)接(jie),有四(si)個(ge)引出(chu)(chu)腳(jiao)。兩(liang)只(zhi)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)負極(ji)(ji)的(de)(de)連(lian)接(jie)點是直(zhi)流(liu)(liu)輸出(chu)(chu)端的(de)(de)“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩(liang)只(zhi)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)正(zheng)極(ji)(ji)的(de)(de)連(lian)接(jie)點是直(zhi)流(liu)(liu)輸出(chu)(chu)端的(de)(de)“負極(ji)(ji)”,另兩(liang)個(ge)引腳(jiao)是交流(liu)(liu)輸入(ru)端,外用絕緣(yuan)塑(su)料封(feng)裝而成。
一種(zhong)集成采樣功能的(de)(de)整流(liu)橋,即通過采集電路中的(de)(de)輸入電流(liu),實現功率分配、電路保護。
開(kai)關橋是由四只高速開關(guan)二極管作橋(qiao)式連(lian)接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩只二(er)極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)連接點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端(duan)的(de)“正極”,兩只二(er)極管正極的連(lian)接點是(shi)全橋(qiao)直流輸出端的“負(fu)極”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德高(gao)壓肖特基二(er)極(ji)管具有較低的VF值和極低的反向(xiang)漏電流Ir,體現出良好的低溫(wen)升特性。VRRM高(gao)達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更好的滿足高(gao)壓(ya)輸(shu)出(chu)電源的高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性的需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進的(de)Trench工藝(yi),具有較(jiao)低的(de)VF值和極低的(de)高溫漏電(dian)流,能更好的滿足(zu)電(dian)源產(chan)品的(de)高(gao)效率,高(gao)可(ke)靠性的(de)需求。
沃爾(er)德(de)LOW Trr超快恢復(fu)(fu)二極管具有極低的(de)反(fan)向恢復(fu)(fu)時間Trr和極低的反向恢復電荷Qrr,并(bing)具有超(chao)快(kuai)的(de)開(kai)關速度,應用于硬開(kai)關條件下的(de)PFC電(dian)路和高(gao)壓高(gao)頻電(dian)源(yuan)的次(ci)級整流電(dian)路。
沃(wo)爾(er)德SGT MOS 具有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并具有(you)開(kai)關速度快等(deng)特點,能滿足(zu)產品(pin)溫升(sheng)和(he)效率的要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具(ju)有低(di)的(de)RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿足(zu)產品(pin)高效(xiao)和(he)可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有(you)較低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速(su)度快并(bing)具(ju)有強的EAS性能(neng)和抗短路性能(neng)等特點,能(neng)滿足(zu)產品(pin)高(gao)效和可靠(kao)的要(yao)求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層(ceng)外延工藝,具有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易(yi)驅動、開關速度快的(de)特點,使電源更(geng)容易(yi)實現高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃(wo)爾德碳化硅二極(ji)管具極(ji)小(xiao)的反向恢復時間(jian)、高(gao)浪涌電流、高(gao)效可靠的特性,封裝主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳化硅mos管具有低(di)RDS(on)高(gao)開關速度,高(gao)效可(ke)靠,封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管(guan)具(ju)有較長的存儲時間和(he)較小(xiao)的Irr,同時具有較(jiao)長(chang)的(de)平緩反向恢(hui)復(fu)特(te)性,能平緩恢(hui)復(fu)電(dian)流,應(ying)用于電(dian)源(yuan)(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)路(lu),從而(er)使電(dian)源(yuan)(yuan)產(chan)品達到更好的(de)EMI特(te)性,滿(man)足(zu)電(dian)源(yuan)(yuan)產(chan)品高效率、高可靠性的(de)需(xu)求。
通過(guo)優(you)化二極管Ta/Tb(開(kai)通時間/關(guan)斷(duan)時間)較軟的恢復特性(xing),大幅減(jian)少(shao)諧波振蕩的發生(sheng),從而(er)減(jian)少(shao)或(huo)者減(jian)小橋堆周邊(bian)EMI抑制(zhi)器件的使(shi)(shi)用(yong)(yong)或者使(shi)(shi)用(yong)(yong)規格,例如(ru)X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。