沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流(liu)橋產(chan)品是由(you)4顆肖(xiao)特(te)基硅(gui)二極管橋式連(lian)接(jie),有四個引出(chu)腳。兩只二極管(guan)負極的連接點是全(quan)橋直(zhi)流輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)(ji)管正極(ji)(ji)(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出端(duan)的(de)“負極(ji)(ji)(ji)”,外用絕緣(yuan)朔(shuo)料(liao)封裝(zhuang)而成。
LOW VF整(zheng)流橋產品是由四只低壓降整流硅芯(xin)片作橋(qiao)式連接,有四個引出腳(jiao)。兩只二極管(guan)負極的(de)連接點是(shi)全橋(qiao)直流輸(shu)出端(duan)的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端的“負極(ji)(ji)”,外用(yong)絕(jue)緣(yuan)塑(su)封而(er)成。LOW VF即是正向壓(ya)降極(ji)低的整流橋。
逆(ni)變橋(qiao)(qiao)是(shi)由四(si)顆快恢復二極(ji)(ji)管整合一起,即將四(si)顆芯片封裝到一個支架(jia)上作(zuo)橋(qiao)(qiao)式連接(jie),有(you)四(si)個引出(chu)(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的(de)(de)連接(jie)點是(shi)直流(liu)(liu)輸(shu)出(chu)(chu)端(duan)的(de)(de)“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的(de)(de)連接(jie)點是(shi)直流(liu)(liu)輸(shu)出(chu)(chu)端(duan)的(de)(de)“負極(ji)(ji)”,另兩個引腳是(shi)交(jiao)流(liu)(liu)輸(shu)入端(duan),外用絕緣塑料封裝而成(cheng)。
一種(zhong)集成采(cai)樣功能的整(zheng)流橋(qiao),即(ji)通過采(cai)集電路中(zhong)的輸入(ru)電流,實現功率分配(pei)、電路保(bao)護(hu)。
開關橋是由四只高速開(kai)關(guan)二極(ji)管作橋式(shi)連接,有(you)四(si)個(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩只(zhi)二極管(guan)負極的連(lian)接點(dian)是全橋直流(liu)輸(shu)出(chu)端的“正(zheng)極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接(jie)點是全橋直流輸(shu)出端的“負(fu)極(ji)”,外用絕緣塑(su)封而(er)成(cheng)。
沃(wo)爾德高壓肖特(te)基二極管具有較低(di)的VF值和(he)極低(di)的(de)反向(xiang)漏電(dian)流Ir,體(ti)現出良(liang)好的(de)低(di)溫升特性。VRRM高(gao)達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋,能更(geng)好的(de)滿足高壓輸出電源的高效(xiao)率、高可靠性(xing)的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管采(cai)用先進(jin)的Trench工(gong)藝,具有(you)較低的VF值和極(ji)低的高溫漏電(dian)流(liu),能(neng)更好的滿足電源產品的高效率,高可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快(kuai)恢復二極(ji)管具(ju)有(you)極(ji)低(di)的(de)反向恢復時間(jian)Trr和(he)極低的反(fan)向恢(hui)復(fu)電荷Qrr,并具有超(chao)快(kuai)的開關(guan)速度,應(ying)用于(yu)硬(ying)開關(guan)條件(jian)下的PFC電路和高(gao)壓高(gao)頻電源的次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ,并具有開關速(su)度快等特(te)點(dian),能滿足產品溫升(sheng)和效率的(de)要求(qiu)。
沃(wo)爾德Planar MOS 具(ju)有低的RDs(on)和(he)Ciss 并(bing)具有強的EAS性(xing)能(neng)等特(te)點,能(neng)滿(man)足產品高效和可靠的要求。
沃爾德(de)Trench MOS 具有(you)較低(di)的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具(ju)有強的EAS性(xing)能和抗短路性(xing)能等特點,能滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易(yi)驅(qu)動、開關速度快(kuai)的特(te)點(dian),使電源更容易(yi)實現(xian)高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德碳化硅二極(ji)管具極(ji)小的(de)反向恢(hui)復時間、高浪涌電流、高效(xiao)可靠的(de)特性,封裝主(zhu)要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅(gui)mos管(guan)具有(you)低RDS(on)高開關速度,高效可(ke)靠,封裝TOLL、TO-247等(deng)
沃爾(er)德(de)吸收二(er)極管具(ju)有(you)較長的存(cun)儲時間(jian)和較小的Irr,同時具有較長(chang)的平緩反(fan)向恢復特(te)性,能平緩恢復電(dian)流(liu),應(ying)用于(yu)電(dian)源(yuan)的RCD吸(xi)收電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)產(chan)品達(da)到更(geng)好的EMI特(te)性,滿足(zu)電(dian)源(yuan)產(chan)品高效率、高可(ke)靠(kao)性的需求。
通(tong)過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷(duan)時間(jian))較軟的恢復特性,大幅(fu)減少諧波振蕩的發生(sheng),從而減少或者減小橋(qiao)堆周(zhou)邊EMI抑(yi)制(zhi)器件(jian)的使(shi)用或(huo)者使(shi)用規格,例如(ru)X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。