沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整流橋產品是由4顆(ke)肖特(te)基硅二極管橋式連接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩只二極管負極的連接點是全橋(qiao)直流輸出(chu)端的“正極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接(jie)點是全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕(jue)緣朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整(zheng)流橋(qiao)產(chan)品是由四(si)只(zhi)低壓降整(zheng)流硅芯(xin)片作橋(qiao)式連接,有四(si)個引出(chu)腳。兩只(zhi)二(er)極管(guan)負極的(de)連接點是(shi)全橋(qiao)直流(liu)輸出(chu)端的(de)“正(zheng)極”,兩(liang)只二極管(guan)正(zheng)極的(de)連接點是全橋(qiao)直(zhi)流(liu)輸出端的(de)“負極”,外用絕(jue)緣塑封而成。LOW VF即是正向壓(ya)降極低的(de)整流(liu)橋。
逆變橋(qiao)(qiao)是由(you)四(si)顆(ke)快恢(hui)復二(er)(er)極(ji)(ji)管整合一(yi)起,即將四(si)顆(ke)芯片(pian)封裝到一(yi)個(ge)支架(jia)上作(zuo)橋(qiao)(qiao)式連接,有四(si)個(ge)引(yin)出(chu)腳(jiao)。兩只(zhi)二(er)(er)極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的(de)連接點是直流輸出(chu)端(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二(er)(er)極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的(de)連接點是直流輸出(chu)端(duan)的(de)“負極(ji)(ji)”,另(ling)兩個(ge)引(yin)腳(jiao)是交流輸入(ru)端(duan),外用絕緣塑料封裝而成(cheng)。
一種集成(cheng)采樣(yang)功能的整流橋,即(ji)通過(guo)采集電(dian)(dian)路(lu)中的輸入電(dian)(dian)流,實(shi)現(xian)功率(lv)分配、電(dian)(dian)路(lu)保護。
開(kai)關橋(qiao)是由四只高速(su)開關二極管作橋(qiao)式連接(jie),有四個引(yin)出腳。兩(liang)只二極管負(fu)極的(de)連接點是全橋直流輸出端(duan)的(de)“正極”,兩只(zhi)二極管(guan)正極的(de)連接點是全橋直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的(de)“負極”,外用絕緣塑封而成。
沃爾(er)德高(gao)壓肖(xiao)特基(ji)二(er)極管具(ju)有較低的VF值和極低的反向漏(lou)電流Ir,體現出良(liang)好的低溫升特性(xing)。VRRM高(gao)達(da)350V,電流從5A到40A全(quan)覆蓋,能(neng)更(geng)好的滿足高壓輸出(chu)電源的高效率(lv)、高可(ke)靠性的需(xu)求。
沃(wo)爾德(de) LOW VF肖特(te)基二極(ji)管采用先(xian)進的(de)Trench工(gong)藝,具有較低的(de)VF值和極(ji)低的(de)高溫(wen)漏(lou)電(dian)流,能更好的滿足(zu)電源產品(pin)的高效率,高可(ke)靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快(kuai)恢復二極管(guan)具有極低的反向恢復時間Trr和極低的(de)反向恢復(fu)電荷Qrr,并(bing)具有超快的開關速度(du),應用于硬開關條(tiao)件下的PFC電(dian)路(lu)和高(gao)壓高(gao)頻電(dian)源的次級整流電(dian)路(lu)。
沃爾德(de)SGT MOS 具(ju)有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和(he)Ciss ,并具(ju)有開(kai)關速度(du)快等特點,能滿(man)足產品溫升和(he)效率的(de)要(yao)求。
沃爾德Planar MOS 具(ju)有低(di)的RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能等特點,能滿足(zu)產品高(gao)效和(he)可靠的要(yao)求。
沃爾(er)德Trench MOS 具(ju)有較低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關(guan)速度快并具(ju)有強的EAS性(xing)能和(he)抗短路性(xing)能等(deng)特點,能滿足產品(pin)高(gao)效和(he)可靠的要求。
沃(wo)爾德SJ(超結)MOS采(cai)用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電容小(xiao)(xiao)、Qg 小(xiao)(xiao),易驅動、開關速度快的特點,使電源更容易實現高效率(lv),高可靠性。
沃爾德(de)碳化硅二極(ji)管具極(ji)小(xiao)的反向恢復(fu)時間(jian)、高(gao)浪涌電流、高(gao)效(xiao)可靠(kao)的特(te)性(xing),封裝主(zhu)要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾(er)德碳化(hua)硅(gui)mos管具有低RDS(on)高開(kai)關速度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾(er)德(de)吸(xi)收二(er)極管具有較長(chang)的存儲(chu)時間和較小的Irr,同時具有較(jiao)長的平緩反向恢復(fu)特性,能平緩恢復(fu)電流,應用于(yu)電源(yuan)(yuan)的RCD吸收電路(lu),從(cong)而使電源(yuan)(yuan)產品(pin)達到(dao)更好的EMI特性,滿足電源(yuan)(yuan)產品(pin)高效(xiao)率(lv)、高可靠性的需求。
通過優化二(er)極管Ta/Tb(開(kai)通(tong)時間/關(guan)斷時間)較(jiao)軟的(de)恢復特性,大幅(fu)減少諧(xie)波振蕩的(de)發生(sheng),從而減少或者減小橋堆(dui)周邊EMI抑制(zhi)器件的(de)使(shi)用或者使(shi)用規格(ge),例如X電(dian)容,共模電(dian)感(gan),差(cha)模電(dian)感(gan)等。