沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基整流橋(qiao)產(chan)品是(shi)由4顆(ke)肖特基(ji)硅二(er)極管橋式(shi)連接,有四個(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩只二極管負(fu)極的連接點是全橋(qiao)直流輸(shu)出(chu)端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸出端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整(zheng)流橋產品是(shi)由四(si)只低壓(ya)降(jiang)整流硅(gui)芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負(fu)極的連接點是全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全橋(qiao)直流輸出端的“負(fu)極(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降(jiang)極低的(de)整流橋。
逆變橋(qiao)是由四顆(ke)快(kuai)恢(hui)復二極(ji)(ji)(ji)管整合一起,即將(jiang)四顆(ke)芯片(pian)封(feng)裝(zhuang)到(dao)一個支(zhi)架上作(zuo)橋(qiao)式(shi)連接(jie),有(you)四個引出(chu)(chu)腳(jiao)。兩只(zhi)二極(ji)(ji)(ji)管負極(ji)(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是直(zhi)(zhi)流輸(shu)出(chu)(chu)端的(de)“正極(ji)(ji)(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)(ji)(ji)管正極(ji)(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是直(zhi)(zhi)流輸(shu)出(chu)(chu)端的(de)“負極(ji)(ji)(ji)”,另兩個引腳(jiao)是交流輸(shu)入端,外用絕(jue)緣塑料(liao)封(feng)裝(zhuang)而成。
一種集(ji)成采樣功能的整流橋,即通(tong)過采集(ji)電(dian)路中的輸入電(dian)流,實(shi)現功率(lv)分(fen)配、電(dian)路保護(hu)。
開關橋是由(you)四只(zhi)高速開(kai)關二極(ji)管作(zuo)橋式連接,有四個引出(chu)(chu)腳(jiao)。兩只二極管負極的連接點是(shi)全橋直流(liu)輸出(chu)(chu)端的“正極”,兩只二極管正極的(de)連(lian)接點是(shi)全橋直流輸(shu)出端的(de)“負(fu)極”,外用(yong)絕緣塑封而成。
沃(wo)爾(er)德高壓肖特(te)基(ji)二極(ji)管具有較低(di)的VF值和極(ji)低的(de)反向(xiang)漏電流(liu)Ir,體現出良好的(de)低溫升特(te)性。VRRM高(gao)達(da)350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋(gai),能更好的(de)滿足(zu)高(gao)(gao)壓輸(shu)出電源(yuan)的(de)高(gao)(gao)效率、高(gao)(gao)可靠(kao)性的(de)需求。
沃爾德(de) LOW VF肖特基(ji)二極管(guan)采用(yong)先進的Trench工藝,具有較低的VF值和極低的高溫漏電流(liu),能更好的(de)滿足電源產品的(de)高(gao)效率,高(gao)可靠性的(de)需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極管具(ju)有極低的反向恢復時(shi)間Trr和極(ji)低(di)的反向恢復電(dian)荷(he)Qrr,并(bing)具(ju)有超快的(de)開關速度,應用于硬開關條件下(xia)的(de)PFC電(dian)路(lu)和高壓高頻電(dian)源(yuan)的次(ci)級(ji)整流電(dian)路(lu)。
沃(wo)爾德(de)SGT MOS 具有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具有開(kai)關速度快等特點(dian),能滿足產(chan)品溫升和效率的要(yao)求。
沃(wo)爾(er)德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能等特點,能滿足產(chan)品高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾德(de)Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具(ju)有強的EAS性能和抗短路性能等特點,能滿足產品高效和可靠的要求(qiu)。
沃爾德SJ(超結)MOS采用(yong)多層外延工(gong)藝,具(ju)有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易(yi)驅動、開關速(su)度快的(de)特點,使電源更容易(yi)實現高效率,高可靠性(xing)。
沃爾德(de)吸收二極管具(ju)有較長的存儲時間(jian)和較小的Irr,同(tong)時具(ju)有(you)較長的(de)平緩反(fan)向恢復(fu)特性,能平緩恢復(fu)電(dian)(dian)流,應(ying)用于電(dian)(dian)源(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)(dian)路(lu),從而使電(dian)(dian)源(yuan)產品(pin)達(da)到(dao)更(geng)好的(de)EMI特性,滿足電(dian)(dian)源(yuan)產品(pin)高效(xiao)率、高可靠性的(de)需求。
通過優(you)化二極管(guan)Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷時間)較軟的恢復特(te)性,大(da)幅減(jian)少(shao)諧波振蕩的發(fa)生(sheng),從而減(jian)少(shao)或者減(jian)小(xiao)橋堆周邊(bian)EMI抑(yi)制器件的使用(yong)或(huo)者使用(yong)規格,例如X電容,共(gong)模(mo)電感,差模(mo)電感等。