沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由4顆肖特基硅二(er)極管橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二(er)極管負極的(de)連接點(dian)是全(quan)橋(qiao)直流輸出(chu)端的(de)“正(zheng)(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)(zheng)極的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出端的(de)“負極”,外(wai)用絕緣朔(shuo)料封(feng)裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓降整流硅芯片(pian)作橋式連接(jie),有四個引(yin)出腳。兩只二極管負極的連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸出端(duan)的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點是全橋直(zhi)流(liu)輸出端(duan)的(de)“負極(ji)”,外用(yong)絕緣(yuan)塑封而(er)成。LOW VF即是(shi)正向壓降極低的整流橋。
逆(ni)變橋是(shi)由(you)四顆(ke)快恢(hui)復二(er)極(ji)管整(zheng)合(he)一起,即將四顆(ke)芯片(pian)封裝(zhuang)到(dao)一個支架上作橋式連接,有四個引(yin)出腳。兩(liang)只二(er)極(ji)管負極(ji)的(de)(de)連接點是(shi)直(zhi)流輸出端(duan)的(de)(de)“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管正極(ji)的(de)(de)連接點是(shi)直(zhi)流輸出端(duan)的(de)(de)“負極(ji)”,另兩(liang)個引(yin)腳是(shi)交(jiao)流輸入端(duan),外用絕緣塑料(liao)封裝(zhuang)而成。
一種集(ji)成(cheng)采樣(yang)功(gong)能的整(zheng)流橋,即通過采集(ji)電路中的輸入(ru)電流,實(shi)現功(gong)率分(fen)配、電路保護。
開關橋是(shi)由四只高速開關二極管作橋式連(lian)接,有四個(ge)引出腳(jiao)。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)連接(jie)點是全橋直流輸出端(duan)的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點是全橋直(zhi)流輸出端的(de)“負極(ji)”,外用(yong)絕緣塑封而成(cheng)。
沃爾德(de)高壓肖特基(ji)二極管具(ju)有(you)較低(di)的(de)VF值(zhi)和極(ji)低(di)的(de)反向漏電流Ir,體現出良好的(de)低(di)溫(wen)升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更好的(de)滿(man)足(zu)高壓(ya)輸出電源的高效(xiao)率(lv)、高可(ke)靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特(te)基二極管采用先進的(de)Trench工藝(yi),具(ju)有較(jiao)低的(de)VF值和極低的(de)高(gao)溫漏電流(liu),能更好的滿足電源(yuan)產品(pin)的(de)高(gao)效率(lv),高(gao)可(ke)靠性的(de)需求(qiu)。
沃爾德LOW Trr超快恢復二(er)極(ji)(ji)管具有極(ji)(ji)低的反向恢復時間Trr和極(ji)低的反向恢復電荷Qrr,并具有超快的(de)開關(guan)速度(du),應用(yong)于(yu)硬開關(guan)條件下的(de)PFC電路和高(gao)壓高(gao)頻電源的次(ci)級整流電路。
沃爾(er)德SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并(bing)具有開(kai)關(guan)速度快等特點,能滿足產品溫升和效率(lv)的要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效和可靠的要(yao)求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性能和抗短路性能等(deng)特點,能滿(man)足產(chan)品高(gao)效和可(ke)靠的要求(qiu)。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多(duo)層外延工(gong)藝(yi),具有(you)低(di)RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開關速度快的特點,使(shi)電源更容易實現高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃(wo)爾德(de)吸(xi)收二極(ji)管具有(you)較長的(de)存(cun)儲(chu)時間和(he)較小的(de)Irr,同時具(ju)有較長的(de)平緩(huan)反向恢復特性,能平緩(huan)恢復電(dian)(dian)流,應用于電(dian)(dian)源的(de)RCD吸收電(dian)(dian)路,從而使電(dian)(dian)源產品達到更好的(de)EMI特性,滿(man)足電(dian)(dian)源產品高(gao)效率、高(gao)可靠(kao)性的(de)需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的恢復特性(xing),大幅減少諧波(bo)振(zhen)蕩的發生,從而(er)減少或者減小橋(qiao)堆周邊EMI抑制器件的使(shi)用(yong)或者使(shi)用(yong)規(gui)格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感(gan),差模電(dian)感(gan)等。