沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整(zheng)流(liu)橋(qiao)產(chan)品是由4顆(ke)肖特(te)基(ji)硅二極管橋式(shi)連(lian)接,有(you)四個引出(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)連(lian)接點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管正極(ji)的(de)連接(jie)點是全橋直(zhi)流輸(shu)出端(duan)的(de)“負極(ji)”,外用(yong)絕緣朔料封(feng)裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓(ya)降(jiang)整(zheng)流硅(gui)芯(xin)片作(zuo)橋(qiao)式連接,有(you)四個(ge)引出腳。兩只二極管負(fu)極的連接點(dian)是全橋(qiao)直流輸(shu)出端的“正極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出(chu)端的(de)“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即(ji)是正向壓降極低(di)的整(zheng)流橋(qiao)。
逆變橋(qiao)(qiao)是由四顆(ke)快恢復二(er)極(ji)(ji)管整合一(yi)(yi)起,即將四顆(ke)芯(xin)片(pian)封裝(zhuang)到一(yi)(yi)個(ge)支架上作橋(qiao)(qiao)式(shi)連接(jie),有四個(ge)引(yin)出腳。兩只二(er)極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的連接(jie)點是直流輸出端的“正極(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接(jie)點是直流輸出端的“負極(ji)(ji)”,另兩個(ge)引(yin)腳是交(jiao)流輸入(ru)端,外用絕緣(yuan)塑料(liao)封裝(zhuang)而成。
一種集(ji)成(cheng)采(cai)樣功(gong)能(neng)的整流橋,即通(tong)過(guo)采(cai)集(ji)電路中的輸(shu)入電流,實(shi)現功(gong)率分配、電路保護。
開關(guan)橋是由(you)四只高速(su)開關(guan)二(er)極管作橋式連接,有四個(ge)引出腳。兩只(zhi)二極管(guan)負極的(de)連接點是(shi)全橋直(zhi)流輸(shu)出端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾(er)德高壓肖特(te)基二極(ji)管(guan)具有較低的VF值(zhi)和極(ji)低的(de)(de)反向(xiang)漏(lou)電流(liu)Ir,體現出良(liang)好(hao)的(de)(de)低溫升特性。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到(dao)40A全覆蓋,能更好(hao)的(de)(de)滿足高壓輸出電源的高效率、高可靠性(xing)的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進(jin)的Trench工藝,具有較低的VF值和極低的高溫漏電流,能更好的滿足電源產品的(de)高(gao)效率,高(gao)可靠性(xing)的(de)需求。
沃(wo)爾德LOW Trr超(chao)快(kuai)恢復(fu)二極管(guan)具有極低的反向恢復(fu)時間Trr和極(ji)低(di)的(de)反(fan)向恢復(fu)電荷Qrr,并具有(you)超快(kuai)的開(kai)關(guan)速度,應用于硬(ying)開(kai)關(guan)條(tiao)件下(xia)的PFC電(dian)(dian)路和高壓高頻電(dian)(dian)源的次級整流電(dian)(dian)路。
沃爾德SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具有開關(guan)速度(du)快等(deng)特點(dian),能滿足產品溫升和效率的要求。
沃爾德(de)Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的EAS性(xing)能等特(te)點(dian),能滿足產品(pin)高效和可靠的要求。
沃(wo)爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度快并具有強的(de)EAS性能和(he)抗短路性能等特(te)點,能滿足(zu)產品(pin)高效和(he)可(ke)靠的要求(qiu)。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采用(yong)多層外延工藝(yi),具(ju)有低RDS(on)、結(jie)電(dian)容(rong)小、Qg 小,易驅動、開(kai)關速度(du)快的特(te)點,使電(dian)源更容(rong)易實(shi)現(xian)高效率,高可(ke)靠性(xing)。
沃爾德碳(tan)化硅(gui)二極(ji)管(guan)具(ju)極(ji)小的(de)反向(xiang)恢復時間(jian)、高浪涌電(dian)流、高效(xiao)可(ke)靠的(de)特性(xing),封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅mos管具有低RDS(on)高(gao)(gao)開關速度(du),高(gao)(gao)效可(ke)靠(kao),封裝TOLL、TO-247等
沃爾(er)德吸收二極管具有較長的(de)存儲時間和較小的(de)Irr,同時(shi)具有(you)較長的平緩反向恢復(fu)特性,能平緩恢復(fu)電(dian)流,應用(yong)于(yu)電(dian)源的RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源產品(pin)達(da)到更好的EMI特性,滿足電(dian)源產品(pin)高效率(lv)、高可靠性的需(xu)求。
通過(guo)優化二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的恢復特性,大幅減少諧(xie)波振蕩的發生,從而減少或者減小橋堆(dui)周(zhou)邊EMI抑(yi)制器件的使用或者使用規格,例如X電(dian)(dian)容(rong),共(gong)模(mo)電(dian)(dian)感(gan),差模(mo)電(dian)(dian)感(gan)等(deng)。