沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基(ji)整流橋(qiao)產品是由4顆肖特基(ji)硅二(er)極(ji)管(guan)橋式連接(jie),有四個引出腳。兩只二(er)極管負(fu)極的連接點是全橋直流輸出端(duan)的“正極”,兩只二極管正極的連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸出端(duan)的“負極”,外用絕緣朔料封裝而(er)成。
LOW VF整流橋產品是由(you)四(si)只低壓降整(zheng)流(liu)硅芯片(pian)作橋式連接,有四個引(yin)出腳。兩只二(er)極(ji)管負極(ji)的連(lian)接點是(shi)全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外(wai)用絕緣塑封而(er)成。LOW VF即是(shi)正(zheng)向壓降極低(di)的整(zheng)流橋。
逆變橋是由(you)四(si)顆快恢復二(er)極(ji)管(guan)整合一起,即將四(si)顆芯片封裝到一個(ge)支架上作(zuo)橋式連(lian)(lian)(lian)接(jie),有四(si)個(ge)引(yin)出腳(jiao)。兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)負極(ji)的連(lian)(lian)(lian)接(jie)點是直流(liu)輸出端(duan)的“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)正極(ji)的連(lian)(lian)(lian)接(jie)點是直流(liu)輸出端(duan)的“負極(ji)”,另兩(liang)個(ge)引(yin)腳(jiao)是交流(liu)輸入(ru)端(duan),外用絕緣塑料封裝而成(cheng)。
一種集(ji)成采樣功能(neng)的整流(liu)橋,即通(tong)過采集(ji)電路(lu)中(zhong)的輸入電流(liu),實現功率分配、電路(lu)保護。
開關橋是由四只高速開關二極管作橋式連接,有(you)四個引(yin)出腳。兩只二極管(guan)負(fu)極的連接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩(liang)只二極管(guan)正(zheng)極的(de)(de)連接點(dian)是(shi)全(quan)橋直流輸出(chu)端(duan)的(de)(de)“負極”,外(wai)用(yong)絕緣塑封(feng)而成。
沃(wo)爾德高壓肖特基二極管具有較(jiao)低(di)的VF值和極低的(de)反向漏電(dian)流(liu)Ir,體現出(chu)良好的(de)低溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流(liu)從5A到40A全覆蓋,能更好的(de)滿足高壓(ya)輸(shu)出電源(yuan)的(de)高效(xiao)率、高可靠(kao)性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管采用先(xian)進的Trench工藝(yi),具有較低的VF值和極(ji)低的高溫漏電流(liu),能更(geng)好的滿足(zu)電源產品的高效(xiao)率,高可靠性的需求。
沃爾(er)德LOW Trr超(chao)快(kuai)恢(hui)復二極(ji)(ji)管具有極(ji)(ji)低的反(fan)向恢(hui)復時間Trr和(he)極低的反向恢復電荷Qrr,并具有超快的(de)開關(guan)(guan)速度,應(ying)用于硬開關(guan)(guan)條件下的(de)PFC電路和高壓高頻電源的次(ci)級整流電路。
沃爾(er)德SGT MOS 具有(you)極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ,并具有(you)開關速度快等特點,能(neng)滿足產品溫升(sheng)和效率的(de)要求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具有(you)低(di)的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特點,能滿足產品高效和可靠(kao)的要(yao)求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性(xing)能和(he)抗(kang)短路性(xing)能等(deng)特點,能滿足產品高效和(he)可靠(kao)的要求。
沃爾德SJ(超結(jie))MOS采用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易驅動、開(kai)關速度快的特點,使電源更(geng)容易實現高效率,高可靠(kao)性(xing)。
沃爾德吸收(shou)二極管具有較長的存儲時間和較小(xiao)的Irr,同時具有(you)較長的平(ping)(ping)緩反向恢復(fu)特性,能平(ping)(ping)緩恢復(fu)電(dian)流,應用于電(dian)源的RCD吸收電(dian)路,從(cong)而使(shi)電(dian)源產品達到更好的EMI特性,滿足(zu)電(dian)源產品高效率、高可(ke)靠性的需求(qiu)。
通過優化二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關斷(duan)時間)較軟(ruan)的(de)恢復特性,大幅(fu)減(jian)少諧波(bo)振蕩的(de)發生(sheng),從而(er)減(jian)少或(huo)者減(jian)小橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者(zhe)使用規格(ge),例如(ru)X電容(rong),共(gong)模(mo)電感(gan),差模(mo)電感(gan)等。