沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基(ji)整流橋(qiao)產品(pin)是由4顆肖特(te)基硅二極管橋式連接,有四個引(yin)出腳(jiao)。兩只(zhi)二極管負極的連(lian)接點是全(quan)橋直流輸(shu)出端(duan)的“正(zheng)極”,兩只二(er)極管正(zheng)極的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“負極”,外用絕緣朔料封裝而(er)成(cheng)。
LOW VF整流(liu)橋產(chan)品是由四只(zhi)低(di)壓降整流硅芯片作(zuo)橋式連接,有四(si)個引出腳。兩(liang)只二(er)極管負極的(de)連接點是全(quan)橋直(zhi)流輸出端的(de)“正(zheng)(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正(zheng)(zheng)極(ji)的連接點是全橋(qiao)直(zhi)流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低的整(zheng)流橋。
逆(ni)變橋(qiao)是由(you)四顆快(kuai)恢復二極管整合一(yi)起,即將四顆芯(xin)片封裝到(dao)一(yi)個支(zhi)架上(shang)作(zuo)橋(qiao)式連接(jie)(jie),有四個引出腳。兩只二極管負極的連接(jie)(jie)點是直(zhi)流輸出端(duan)的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連接(jie)(jie)點是直(zhi)流輸出端(duan)的“負極”,另兩個引腳是交流輸入端(duan),外用絕緣塑料封裝而成(cheng)。
一種集成采(cai)樣功能的整流橋,即通過(guo)采(cai)集電路中的輸入電流,實現(xian)功率分配、電路保護。
開關橋是由四只高速開(kai)關二極管(guan)作橋式連接,有四個引(yin)出腳。兩只二極管負極的連(lian)接點(dian)是全橋直(zhi)流輸出端(duan)的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流(liu)輸(shu)出端的“負(fu)極(ji)”,外用絕緣(yuan)塑封而成。
沃爾德高壓(ya)肖(xiao)特基(ji)二極管具有較低的VF值和極低的(de)反(fan)向漏電流Ir,體現(xian)出良好的(de)低溫升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更好的(de)滿足(zu)高(gao)壓輸出電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖(xiao)特基二極管采用先(xian)進的(de)Trench工藝,具有較低(di)的(de)VF值(zhi)和(he)極低(di)的(de)高溫漏電(dian)流,能更好的滿(man)足電源產品的(de)高效率,高可靠(kao)性的(de)需求。
沃爾德(de)LOW Trr超快(kuai)恢(hui)復二極管具有極低的反向恢(hui)復時(shi)間Trr和極低的反向恢(hui)復電荷Qrr,并(bing)具有超快的開關(guan)速度(du),應用于(yu)硬開關(guan)條件下的PFC電(dian)路和高壓高頻電(dian)源的次級(ji)整(zheng)流電(dian)路。
沃爾(er)德(de)SGT MOS 具有(you)極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和(he)Ciss ,并具有(you)開(kai)關速度(du)快等(deng)特點,能(neng)滿足產(chan)品溫升和(he)效(xiao)率的(de)要(yao)求。
沃(wo)爾(er)德Planar MOS 具有(you)低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的EAS性能(neng)(neng)等特點,能(neng)(neng)滿足產品高效和可靠的要求(qiu)。
沃(wo)爾德Trench MOS 具有(you)較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度快并具有(you)強的EAS性能(neng)和抗(kang)短(duan)路性能(neng)等特點,能(neng)滿(man)足產品高效和可靠的要求(qiu)。
沃(wo)爾德SJ(超結)MOS采用多層外延工(gong)藝,具(ju)有(you)低RDS(on)、結電(dian)容小、Qg 小,易驅動、開關速度(du)快的特點,使電(dian)源更容易實(shi)現(xian)高(gao)效(xiao)率,高(gao)可靠(kao)性。
沃(wo)爾德碳化硅二極管具極小(xiao)的(de)反(fan)向恢復(fu)時間(jian)、高(gao)浪涌電流、高(gao)效(xiao)可靠的(de)特性,封裝主要(yao)有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德(de)碳化硅mos管具(ju)有低(di)RDS(on)高開關速度,高效可(ke)靠,封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管(guan)具有較長的存儲時間和(he)較小的Irr,同時具有較長的平緩反向恢復特性(xing)(xing),能平緩恢復電(dian)流,應用于電(dian)源的RCD吸(xi)收(shou)電(dian)路(lu),從而(er)使電(dian)源產品達到更好的EMI特性(xing)(xing),滿足電(dian)源產品高效率(lv)、高可靠性(xing)(xing)的需(xu)求。
通過優化二(er)極管Ta/Tb(開(kai)通時間/關(guan)斷(duan)時間)較軟的恢復特性,大(da)幅(fu)減少(shao)諧波振蕩的發生,從而減少(shao)或者減小橋堆(dui)周邊EMI抑(yi)制器件的使用(yong)或者使用(yong)規格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感(gan),差模電(dian)感(gan)等。