沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整(zheng)流橋(qiao)產(chan)品是由4顆(ke)肖特(te)基硅(gui)二極管(guan)橋式連(lian)接,有(you)四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的(de)連接點是全(quan)橋直(zhi)流輸出端的(de)“負極”,外用絕緣朔料封(feng)裝(zhuang)而成。
LOW VF整流(liu)橋產品是由四只低(di)壓降整流(liu)硅芯片作橋式連接,有四個引出(chu)腳(jiao)。兩只(zhi)二極管(guan)負極的連接(jie)點(dian)是全橋(qiao)直流輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封(feng)而成(cheng)。LOW VF即(ji)是正(zheng)向壓降極(ji)低(di)的整(zheng)流橋(qiao)。
逆變橋(qiao)是(shi)(shi)由(you)四顆快恢(hui)復二(er)極(ji)管整合(he)一起(qi),即將(jiang)四顆芯片封裝到一個(ge)(ge)(ge)支架上作橋(qiao)式連(lian)接(jie),有四個(ge)(ge)(ge)引(yin)出(chu)(chu)腳。兩(liang)只二(er)極(ji)管負極(ji)的(de)連(lian)接(jie)點(dian)是(shi)(shi)直流輸出(chu)(chu)端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)連(lian)接(jie)點(dian)是(shi)(shi)直流輸出(chu)(chu)端的(de)“負極(ji)”,另兩(liang)個(ge)(ge)(ge)引(yin)腳是(shi)(shi)交(jiao)流輸入端,外用(yong)絕緣塑料封裝而成(cheng)。
一種集成采(cai)(cai)樣(yang)功能(neng)的整流(liu)橋,即通過采(cai)(cai)集電路(lu)中的輸入(ru)電流(liu),實現功率分配(pei)、電路(lu)保(bao)護。
開關(guan)橋是由四只高速(su)開關二極管作橋式(shi)連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的“負極(ji)”,外用絕(jue)緣塑(su)封而(er)成。
沃(wo)爾德(de)高(gao)壓肖特基二極(ji)管具有較(jiao)低的VF值和極(ji)低的反向漏(lou)電流Ir,體現出(chu)良好的低溫升特性(xing)。VRRM高(gao)達350V,電流從5A到(dao)40A全(quan)覆(fu)蓋,能更好的滿(man)足高(gao)壓輸出(chu)電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求。
沃爾德(de) LOW VF肖特(te)基二極管采用先進的(de)Trench工藝,具有較低(di)(di)的(de)VF值(zhi)和極低(di)(di)的(de)高溫漏電流,能更好的滿(man)足電源產品的高(gao)效率(lv),高(gao)可靠性(xing)的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢(hui)復(fu)二極管具(ju)有極低的(de)反向恢(hui)復(fu)時間Trr和極低的反向恢復電(dian)荷Qrr,并具有超快的開關速(su)度,應用于硬開關條件下的PFC電路和高(gao)壓高(gao)頻(pin)電源的次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并(bing)具有(you)開關速度(du)快等(deng)特(te)點,能滿足產(chan)品溫升和效(xiao)率的要求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具(ju)有強的(de)EAS性(xing)能等特點(dian),能滿足產(chan)品高效和可(ke)靠的要求。
沃爾(er)德Trench MOS 具有較(jiao)低(di)的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關(guan)速度快并具有強的(de)EAS性能(neng)和抗短(duan)路性能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿足產品(pin)高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多(duo)層外延工藝,具(ju)有低RDS(on)、結電(dian)容小、Qg 小,易(yi)驅動、開關速度快的特點,使電(dian)源更容易(yi)實現(xian)高(gao)效率,高(gao)可靠性(xing)。
沃(wo)爾德吸收二極管具(ju)有較長的(de)存(cun)儲時間(jian)和較小(xiao)的(de)Irr,同時(shi)具有較(jiao)長的(de)平緩反向恢復特性(xing)(xing),能平緩恢復電(dian)流(liu),應(ying)用于電(dian)源(yuan)(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)(yuan)產品(pin)達到更好的(de)EMI特性(xing)(xing),滿足(zu)電(dian)源(yuan)(yuan)產品(pin)高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性(xing)(xing)的(de)需求(qiu)。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關(guan)斷時(shi)間(jian))較軟的(de)恢復特性,大幅減少諧波(bo)振蕩(dang)的(de)發生,從(cong)而減少或者減小橋堆周邊EMI抑(yi)制(zhi)器(qi)件的使用或者使用規(gui)格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。