沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整流橋(qiao)產品是(shi)由(you)4顆肖特基硅(gui)二極管橋式(shi)連(lian)接(jie),有四(si)個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)只二極管負極的連接點是全橋直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的“正極”,兩只(zhi)二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外(wai)用絕緣(yuan)朔料封裝(zhuang)而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓降(jiang)整流硅芯片作橋(qiao)式連接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)只二(er)極(ji)管負(fu)極(ji)的連接點是全(quan)橋直流輸(shu)出(chu)端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連(lian)接點是全(quan)橋直流輸出端(duan)的“負極(ji)”,外用絕緣塑(su)封而成。LOW VF即是正(zheng)向壓降極低的整流橋(qiao)。
逆變(bian)橋是(shi)(shi)由(you)四顆快恢復(fu)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)整合(he)一起,即將(jiang)四顆芯片封裝(zhuang)到(dao)一個支架(jia)上作橋式(shi)連接,有四個引出腳。兩只(zhi)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)(ji)的連接點是(shi)(shi)直流輸(shu)(shu)出端(duan)的“正(zheng)(zheng)極(ji)(ji)(ji)”,兩只(zhi)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)正(zheng)(zheng)極(ji)(ji)(ji)的連接點是(shi)(shi)直流輸(shu)(shu)出端(duan)的“負極(ji)(ji)(ji)”,另兩個引腳是(shi)(shi)交流輸(shu)(shu)入端(duan),外用(yong)絕(jue)緣(yuan)塑料(liao)封裝(zhuang)而成。
一種集成采樣(yang)功能的整流橋,即通(tong)過(guo)采集電路(lu)中的輸入電流,實現功率分配、電路(lu)保護。
開關(guan)橋(qiao)是由四(si)只高速開關(guan)二極管作橋式連接(jie),有四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二(er)極管(guan)負極的(de)連接(jie)點(dian)是(shi)全橋直流輸出(chu)端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點是全(quan)橋直(zhi)流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑(su)封而成。
沃爾德高壓肖特基(ji)二極管具有較(jiao)低的VF值和極低的(de)反(fan)向(xiang)漏電流Ir,體現出良好的(de)低溫升特性。VRRM高達350V,電流從(cong)5A到40A全覆蓋,能更好的(de)滿足高(gao)壓輸出(chu)電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性(xing)的需求。
沃爾德(de) LOW VF肖(xiao)特基二極管采用先進的(de)Trench工藝,具有較低的(de)VF值和(he)極低的(de)高溫漏電流,能(neng)更好的滿足電源產品的高效率(lv),高可靠性的需求。
沃爾德(de)LOW Trr超快(kuai)恢復(fu)二極(ji)管(guan)具有極(ji)低的反向恢復(fu)時間Trr和極(ji)低的反向(xiang)恢復電荷Qrr,并具有超(chao)快的開關速(su)度,應用(yong)于硬開關條件(jian)下的PFC電路和高(gao)壓高(gao)頻電源的次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ,并具(ju)有開關速度(du)快等(deng)特點,能滿(man)足產品溫升和效率的(de)要求。
沃爾德(de)Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性(xing)能等特點,能滿足產品高效和(he)可(ke)靠(kao)的要(yao)求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度(du)快并具有強的EAS性能(neng)和(he)抗(kang)短路性能(neng)等特(te)點,能(neng)滿(man)足(zu)產品高效(xiao)和(he)可靠(kao)的要求。
沃(wo)爾德SJ(超結)MOS采用多(duo)層外延工(gong)藝,具(ju)有低RDS(on)、結(jie)電容小、Qg 小,易驅動、開關(guan)速度快(kuai)的特點,使電源(yuan)更容易實現高效率,高可靠(kao)性。
沃(wo)爾德碳化硅二極管(guan)具極小的(de)反向恢復時間、高(gao)浪(lang)涌電(dian)流、高(gao)效可靠的(de)特性,封裝主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳化硅mos管具有低(di)RDS(on)高(gao)開關速度,高(gao)效可(ke)靠(kao),封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸(xi)收二極管具有較(jiao)長的(de)(de)存儲時(shi)間和較小的(de)(de)Irr,同時具有較(jiao)長的平緩反向(xiang)恢復特性,能平緩恢復電(dian)流(liu),應用(yong)于(yu)電(dian)源(yuan)的RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)產品(pin)達到更(geng)好(hao)的EMI特性,滿足電(dian)源(yuan)產品(pin)高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間(jian))較軟(ruan)的(de)恢復特性,大幅減少諧波振蕩的(de)發(fa)生(sheng),從而減少或者(zhe)減小(xiao)橋堆周邊EMI抑制器件的使(shi)用(yong)或(huo)者使(shi)用(yong)規格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。