沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流(liu)橋產品是(shi)由4顆肖(xiao)特(te)基硅二(er)極管(guan)橋式連接(jie),有(you)四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的(de)連接點是全(quan)橋(qiao)直流輸(shu)出(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的(de)(de)連接點是全橋直流輸出端(duan)的(de)(de)“負極(ji)”,外用絕緣(yuan)朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產(chan)品(pin)是由(you)四只低(di)壓降整流硅(gui)芯片作橋式(shi)連接(jie),有四個引出腳。兩只二(er)極管負極的連接(jie)點是全橋直(zhi)流輸出端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的(de)(de)連接點是全(quan)橋直流輸出端的(de)(de)“負極”,外用絕(jue)緣(yuan)塑封(feng)而(er)成。LOW VF即是正(zheng)向壓降(jiang)極低的整流橋。
逆變橋(qiao)是(shi)由四顆快(kuai)恢復二極(ji)管(guan)(guan)整(zheng)合一起,即將四顆芯片封裝(zhuang)(zhuang)到一個支架上作橋(qiao)式連(lian)接,有四個引(yin)出腳。兩只二極(ji)管(guan)(guan)負極(ji)的連(lian)接點是(shi)直(zhi)流(liu)(liu)輸(shu)(shu)出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)(guan)正(zheng)極(ji)的連(lian)接點是(shi)直(zhi)流(liu)(liu)輸(shu)(shu)出端的“負極(ji)”,另兩個引(yin)腳是(shi)交(jiao)流(liu)(liu)輸(shu)(shu)入(ru)端,外(wai)用絕緣塑料封裝(zhuang)(zhuang)而(er)成。
一(yi)種集成采樣功能的整流(liu)橋,即通過采集電路中(zhong)的輸入電流(liu),實現(xian)功率分配、電路保(bao)護。
開關橋是(shi)由四只高速開關(guan)二極(ji)管(guan)作橋式連接,有四個引(yin)出(chu)腳。兩只二極管負極的連(lian)接(jie)點是全(quan)橋(qiao)直流輸出(chu)端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的連接點(dian)是全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣(yuan)塑(su)封而成。
沃(wo)爾德高壓肖特基二(er)極(ji)管具(ju)有較低的VF值和極低的(de)反向漏電流Ir,體(ti)現出良好的(de)低溫升特性。VRRM高達(da)350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更(geng)好的(de)滿足高(gao)壓輸出電(dian)源的高(gao)效(xiao)率(lv)、高(gao)可靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基(ji)二極管采用先進的(de)Trench工藝,具有較(jiao)低(di)的(de)VF值(zhi)和極低(di)的(de)高溫漏電(dian)流,能(neng)更好的滿(man)足電源產品的高效(xiao)率,高可(ke)靠性(xing)的需求(qiu)。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢(hui)復(fu)二極管(guan)具有極低的反向恢(hui)復(fu)時間Trr和極低的反向恢(hui)復(fu)電荷Qrr,并具(ju)有超快的(de)開關速度,應用于(yu)硬開關條件下的(de)PFC電路和高壓高頻(pin)電源的次級(ji)整流(liu)電路。
沃(wo)爾德SGT MOS 具有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具有開關速(su)度快等特點,能滿足(zu)產品(pin)溫升和效率的要求。
沃(wo)爾(er)德Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效(xiao)和(he)可靠的要求(qiu)。
沃(wo)爾德(de)Trench MOS 具(ju)有(you)較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度(du)快并具有強的EAS性能(neng)和(he)抗(kang)短路(lu)性能(neng)等(deng)特(te)點(dian),能(neng)滿足產品(pin)高效和(he)可(ke)靠的(de)要(yao)求(qiu)。
沃(wo)爾德SJ(超結(jie))MOS采用多層外延工藝,具有低(di)RDS(on)、結電(dian)容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開關(guan)速度快的特點,使電(dian)源更(geng)容易實現高(gao)效率,高(gao)可(ke)靠性(xing)。
沃爾德碳化硅二(er)極管具極小的反向(xiang)恢復(fu)時間、高(gao)浪涌電流、高(gao)效可靠的特性,封裝(zhuang)主要(yao)有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德(de)碳化硅mos管(guan)具有低RDS(on)高開關速度,高效可靠,封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃爾德(de)吸收二極管(guan)具有較長的(de)存儲(chu)時間和較小的(de)Irr,同(tong)時具(ju)有較長的(de)平緩反向恢復特(te)性(xing),能平緩恢復電(dian)流(liu),應用于電(dian)源的(de)RCD吸(xi)收電(dian)路,從而(er)使電(dian)源產(chan)品達到更好的(de)EMI特(te)性(xing),滿足電(dian)源產(chan)品高效率、高可靠性(xing)的(de)需(xu)求。
通過(guo)優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的恢復特性,大幅(fu)減少諧(xie)波振蕩的發生,從而(er)減少或者減小橋堆周邊EMI抑制(zhi)器件的使用或者使用規格(ge),例如X電(dian)容,共(gong)模(mo)(mo)電(dian)感,差模(mo)(mo)電(dian)感等。