沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由4顆(ke)肖特基硅二(er)極管橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負(fu)極的連接點是全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點是(shi)全橋直流輸(shu)出端的(de)“負(fu)極(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是(shi)由四只低壓降整(zheng)流(liu)硅芯(xin)片作橋式(shi)連(lian)接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)連接點是全(quan)橋直流輸出端的(de)“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封(feng)而(er)成(cheng)。LOW VF即是(shi)正向(xiang)壓降(jiang)極低(di)的整流橋。
逆(ni)變橋是由四顆快恢復(fu)二(er)極(ji)管整合一起(qi),即將四顆芯片(pian)封(feng)裝(zhuang)到(dao)一個(ge)支架(jia)上作橋式連接,有四個(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩(liang)(liang)只(zhi)二(er)極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連接點是直流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)(liang)只(zhi)二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)連接點是直流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)“負(fu)極(ji)”,另兩(liang)(liang)個(ge)引腳(jiao)是交流(liu)輸(shu)入端(duan)(duan),外用絕緣(yuan)塑料封(feng)裝(zhuang)而成。
一種集成采樣(yang)功能的整(zheng)流橋,即(ji)通過采集電路中的輸入電流,實現功率分配、電路保護。
開關橋是(shi)由四只高速開關二極管作橋式連接,有四個引(yin)出腳。兩只二極管負極的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“正極”,兩只(zhi)二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用(yong)絕(jue)緣塑封而(er)成(cheng)。
沃爾德高(gao)壓肖特基二極管具有(you)較低的VF值和極低的反向(xiang)漏電(dian)流Ir,體現出良好的低溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋,能更好的滿(man)足高壓輸(shu)出電源的高效率(lv)、高可靠性(xing)的需(xu)求。
沃爾德 LOW VF肖特基二(er)極(ji)管采(cai)用先進的Trench工藝,具有(you)較(jiao)低的VF值和極(ji)低的高溫漏電流(liu),能更好(hao)的(de)滿足電源(yuan)產品的高效率,高可靠(kao)性的需求。
沃爾德(de)LOW Trr超快(kuai)恢復(fu)二極管具有極低的反向恢復(fu)時間Trr和極低的(de)反向恢復電荷Qrr,并具有(you)超快的(de)(de)開關速度(du),應用(yong)于硬(ying)開關條件(jian)下的(de)(de)PFC電(dian)(dian)路(lu)和高壓高頻(pin)電(dian)(dian)源(yuan)的次(ci)級整(zheng)流電(dian)(dian)路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有(you)極低(di)(di)的RDs(on) 、低(di)(di)的Qg和(he)Ciss ,并具(ju)有(you)開關速度快等特點,能滿足產品溫(wen)升和(he)效率的要求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具(ju)有低(di)的RDs(on)和(he)Ciss 并(bing)具有強的(de)EAS性能(neng)等特(te)點,能(neng)滿足(zu)產品高效和可靠的(de)要求。
沃爾(er)德Trench MOS 具(ju)有(you)較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強(qiang)的EAS性能和(he)抗短路性能等特點,能滿足(zu)產(chan)品高效和(he)可靠的要求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電容(rong)小、Qg 小,易驅動、開關(guan)速度(du)快的特點,使電源更容(rong)易實現高效率,高可(ke)靠(kao)性。
通過優(you)化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時(shi)間)較軟的恢復特性,大幅減少諧波振蕩的發生,從而減少或(huo)者減小(xiao)橋堆周邊EMI抑(yi)制器件的使用或者使用規格(ge),例如X電(dian)(dian)(dian)容,共模(mo)(mo)電(dian)(dian)(dian)感,差模(mo)(mo)電(dian)(dian)(dian)感等。