沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由(you)4顆肖特(te)基硅二極管橋式連接,有四個引出(chu)腳(jiao)。兩只(zhi)二極管(guan)負極的連接點是全橋直流輸出(chu)端(duan)的“正(zheng)極”,兩只(zhi)二極管正(zheng)極的(de)連接點是(shi)全橋直流輸(shu)出端的(de)“負極”,外(wai)用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只(zhi)低壓(ya)降整流硅芯片(pian)作(zuo)橋式連(lian)接,有四個引(yin)出(chu)(chu)腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直(zhi)流輸(shu)出(chu)(chu)端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的連接(jie)點是全橋直(zhi)流輸出端的“負極(ji)”,外(wai)用(yong)絕緣塑封而成(cheng)。LOW VF即是正向壓降極低的整流橋。
逆變橋是由(you)四顆(ke)(ke)快(kuai)恢復(fu)二極(ji)(ji)管(guan)整合(he)一(yi)起,即將四顆(ke)(ke)芯(xin)片封(feng)裝到(dao)一(yi)個(ge)支架上作橋式(shi)連(lian)接,有四個(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只二極(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)的連(lian)接點(dian)是直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連(lian)接點(dian)是直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的“負極(ji)(ji)”,另兩(liang)個(ge)引腳(jiao)是交流(liu)輸入端,外用絕緣(yuan)塑料封(feng)裝而成。
一種集(ji)(ji)成采樣功能的整(zheng)流橋,即(ji)通過采集(ji)(ji)電(dian)(dian)路中的輸入電(dian)(dian)流,實現功率(lv)分(fen)配、電(dian)(dian)路保護。
開關橋是(shi)由四只高速開關二極(ji)管作橋式連接,有四個引出腳(jiao)。兩只二極管負極的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“正極”,兩只二(er)極管正極的連接(jie)點(dian)是全橋(qiao)直流輸出端的“負極”,外用絕緣(yuan)塑封而成。
沃爾德(de)高壓肖(xiao)特基(ji)二極管具有較低的(de)VF值和極低的(de)(de)反向漏電流Ir,體現出良好(hao)的(de)(de)低溫升(sheng)特性(xing)。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更好(hao)的(de)(de)滿足高壓(ya)輸出電源的(de)高效率、高可(ke)靠性的(de)需求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進的(de)Trench工藝,具有較低的(de)VF值(zhi)和極低的(de)高溫漏電流,能更好的滿足(zu)電(dian)源產品的高(gao)效(xiao)率,高(gao)可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超(chao)快恢(hui)復(fu)二極(ji)管具有極(ji)低的反向恢(hui)復(fu)時間Trr和極低(di)的(de)反向恢(hui)復電荷Qrr,并具(ju)有超快的開關速度,應(ying)用于硬開關條件下(xia)的PFC電路和高壓高頻電源的次級(ji)整流電路。
沃(wo)爾德SGT MOS 具有極低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和Ciss ,并具有開關速度快(kuai)等(deng)特點,能滿足產(chan)品溫升(sheng)和效率的(de)要求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和(he)Ciss 并具有強的EAS性能等(deng)特點,能滿(man)足產品(pin)高效和可靠的要(yao)求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速度快并具有強的EAS性能和抗短路性能等特點,能滿足(zu)產品高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾(er)德(de)SJ(超結)MOS采用多層(ceng)外(wai)延工藝(yi),具有低RDS(on)、結電(dian)(dian)容小、Qg 小,易驅(qu)動、開關速度快的(de)特點,使電(dian)(dian)源更容易實現高效率,高可靠(kao)性(xing)。
沃爾德碳化硅(gui)二極(ji)管具極(ji)小的(de)反向恢復(fu)時間(jian)、高浪涌電流、高效可靠的(de)特性,封裝(zhuang)主(zhu)要(yao)有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德(de)碳(tan)化(hua)硅mos管具(ju)有低RDS(on)高開關(guan)速度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾(er)德吸收二極管具(ju)有較長的存儲時間(jian)和較(jiao)小的Irr,同時(shi)具有(you)較(jiao)長的平緩(huan)反向恢(hui)(hui)復特性(xing),能(neng)平緩(huan)恢(hui)(hui)復電(dian)(dian)流,應用(yong)于電(dian)(dian)源的RCD吸收(shou)電(dian)(dian)路,從而使電(dian)(dian)源產品達到更好的EMI特性(xing),滿足電(dian)(dian)源產品高效率、高可靠性(xing)的需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間)較(jiao)軟的(de)恢復(fu)特性,大幅減少諧波(bo)振蕩的(de)發(fa)生,從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使(shi)用(yong)或(huo)者使(shi)用(yong)規格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等(deng)。