沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整(zheng)流橋產品是由4顆肖特基硅二極管橋式連接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點(dian)是全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的連接(jie)點是全(quan)橋直流(liu)輸出(chu)端的“負極(ji)”,外用(yong)絕緣朔料封裝(zhuang)而成。
LOW VF整流橋(qiao)產品是由(you)四只低(di)壓降整流(liu)硅芯片作橋式連(lian)接,有(you)四個引出腳。兩只二極管負極的(de)連(lian)接點是全(quan)橋直流輸出端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的連接點是全橋直流(liu)輸出(chu)端的“負極(ji)”,外用絕(jue)緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低(di)的整流橋(qiao)。
逆變橋(qiao)是(shi)(shi)由四(si)(si)顆快恢復(fu)二極(ji)(ji)管整合(he)一起(qi),即(ji)將四(si)(si)顆芯片(pian)封(feng)(feng)裝到一個(ge)支架上作橋(qiao)式(shi)連接(jie)(jie),有四(si)(si)個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)(liang)只(zhi)二極(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)的連接(jie)(jie)點是(shi)(shi)直流(liu)輸出(chu)端(duan)的“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩(liang)(liang)只(zhi)二極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的連接(jie)(jie)點是(shi)(shi)直流(liu)輸出(chu)端(duan)的“負(fu)極(ji)(ji)”,另兩(liang)(liang)個(ge)引腳是(shi)(shi)交流(liu)輸入端(duan),外用絕緣(yuan)塑(su)料(liao)封(feng)(feng)裝而成。
一種集(ji)成采樣功(gong)能的整(zheng)流橋,即通過采集(ji)電路(lu)中的輸入(ru)電流,實現(xian)功(gong)率分配、電路(lu)保(bao)護(hu)。
開關(guan)橋是由四只高速開關二(er)極(ji)管作橋式(shi)連接,有四個引出腳。兩只(zhi)二(er)極管負極的(de)連(lian)接點(dian)是全橋直(zhi)流(liu)輸出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的(de)連接點是全橋直流輸(shu)出端的(de)“負極”,外用絕緣塑封(feng)而成。
沃爾德高(gao)壓肖特基(ji)二極(ji)管具有較低的(de)VF值和極低的反向漏電流Ir,體現(xian)出(chu)良好(hao)的低溫(wen)升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流從(cong)5A到40A全覆蓋,能更(geng)好(hao)的滿(man)足高壓輸(shu)出電源(yuan)的高效率(lv)、高可靠性的需(xu)求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖(xiao)特基二極(ji)管采用先(xian)進的Trench工(gong)藝,具有較低的VF值和極(ji)低的高溫漏(lou)電流(liu),能更好的滿足(zu)電源產品(pin)的高(gao)效率,高(gao)可(ke)靠性的需(xu)求。
沃爾(er)德LOW Trr超快恢復(fu)二極管具(ju)有極低的反向恢復(fu)時間Trr和極低的反(fan)向恢復電荷(he)Qrr,并(bing)具(ju)有超(chao)快的開(kai)關速度,應用(yong)于硬開(kai)關條件(jian)下的PFC電(dian)路和(he)高(gao)壓高(gao)頻電(dian)源的次級整流電(dian)路。
沃(wo)爾德SGT MOS 具有(you)極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具有(you)開(kai)關(guan)速(su)度快等特(te)點(dian),能滿足產品溫升和效(xiao)率(lv)的要求。
沃爾德(de)Planar MOS 具有(you)低的RDs(on)和(he)Ciss 并具有(you)強的EAS性能等(deng)特點,能滿(man)足產品(pin)高效和(he)可靠(kao)的要求(qiu)。
沃爾德(de)Trench MOS 具(ju)有較(jiao)低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關(guan)速度快(kuai)并具(ju)有(you)強的EAS性能(neng)(neng)和抗短(duan)路(lu)性能(neng)(neng)等特(te)點,能(neng)(neng)滿(man)足(zu)產品(pin)高效和可靠(kao)的要(yao)求。
沃爾德(de)SJ(超(chao)結)MOS采(cai)用(yong)多層外延工(gong)藝,具(ju)有(you)低(di)RDS(on)、結電(dian)容(rong)小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅(qu)動、開關速度快(kuai)的特點,使(shi)電(dian)源更容(rong)易實現高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德吸收二極管具有較(jiao)長的(de)存儲時間和較(jiao)小的(de)Irr,同時具有較長(chang)的(de)平(ping)緩(huan)反向恢(hui)復特性,能平(ping)緩(huan)恢(hui)復電流,應用于電源的(de)RCD吸收(shou)電路,從(cong)而(er)使(shi)電源產品達(da)到更(geng)好的(de)EMI特性,滿足電源產品高(gao)效(xiao)率、高(gao)可靠性的(de)需(xu)求(qiu)。
通過優化二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關(guan)斷(duan)時(shi)間(jian))較軟(ruan)的恢復(fu)特(te)性(xing),大幅減少(shao)諧(xie)波振蕩的發生,從(cong)而減少(shao)或者減小橋堆周(zhou)邊EMI抑制(zhi)器件的使(shi)用(yong)(yong)或(huo)者使(shi)用(yong)(yong)規格,例(li)如X電(dian)容,共(gong)模電(dian)感,差模電(dian)感等。