沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整(zheng)流(liu)橋產品是由4顆肖特基硅二(er)極(ji)管橋式連接,有(you)四個引出腳。兩只(zhi)二(er)極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整流(liu)橋(qiao)產品是由四只(zhi)低壓(ya)降整流(liu)硅(gui)芯片作橋式連(lian)接,有四個引出腳(jiao)。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點(dian)是全(quan)橋直(zhi)流輸出端(duan)的“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即(ji)是正向壓降(jiang)極低的整流橋。
逆變橋(qiao)是由(you)四(si)顆(ke)快恢復二(er)極(ji)(ji)管整合一起(qi),即將四(si)顆(ke)芯片封(feng)裝到一個支架上(shang)作橋(qiao)式連接(jie)(jie),有四(si)個引(yin)出(chu)腳。兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的連接(jie)(jie)點是直(zhi)流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接(jie)(jie)點是直(zhi)流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的“負極(ji)(ji)”,另兩(liang)個引(yin)腳是交流(liu)輸(shu)入端(duan),外用絕緣塑料(liao)封(feng)裝而成。
一種集成采(cai)樣(yang)功能(neng)的(de)整流(liu)橋,即(ji)通過采(cai)集電路中(zhong)的(de)輸(shu)入電流(liu),實現功率分配、電路保(bao)護。
開關橋是由四(si)只高速開(kai)關(guan)二極(ji)管作橋(qiao)式(shi)連接(jie),有四個引出(chu)腳。兩只二極管負極的(de)連接點(dian)是全橋(qiao)直(zhi)流(liu)輸(shu)出(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出端的(de)“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德高壓肖特基二極(ji)管具(ju)有較低的VF值和極(ji)低(di)的反向漏電(dian)流(liu)Ir,體現出良好的低(di)溫(wen)升特性。VRRM高達350V,電(dian)流(liu)從5A到40A全覆蓋(gai),能更(geng)好的滿足高(gao)壓輸出(chu)電源的(de)高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性(xing)的(de)需求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖特基二(er)極管(guan)采用先進的Trench工藝,具有較低(di)的VF值和極低(di)的高溫漏電流,能更好(hao)的滿(man)足(zu)電源產品(pin)的高(gao)效率,高(gao)可靠性的需求。
沃爾德(de)LOW Trr超快(kuai)恢復二極管具有極低的(de)反向(xiang)恢復時間Trr和極低(di)的反向(xiang)恢復電荷Qrr,并具有超(chao)快的開關(guan)速度(du),應用于(yu)硬開關(guan)條件下的PFC電路(lu)和高壓高頻電源的次級整(zheng)流電路(lu)。
抗(kang)靜電器件(jian),ESD。針對(dui)主(zhu)流競品(pin)(pin),我司均有(you)可替代產品(pin)(pin),ESD類我司接受定制物(wu)料(liao)。
沃爾德SGT MOS 具有(you)極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并(bing)具有(you)開(kai)關速度(du)快(kuai)等特點(dian),能(neng)滿足產品溫升和效率的要求。
沃爾德(de)Planar MOS 具(ju)有(you)低的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特點,能滿足產品(pin)高效和可靠(kao)的要(yao)求(qiu)。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速度快并具有強的EAS性能和(he)抗短路性能等特點,能滿(man)足產品(pin)高效和(he)可靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采(cai)用多層外延工藝,具有(you)低RDS(on)、結(jie)電容(rong)小(xiao)(xiao)、Qg 小(xiao)(xiao),易驅動、開(kai)關(guan)速度快(kuai)的特(te)點,使電源更容(rong)易實現高效率,高可靠(kao)性。
沃爾德(de)碳(tan)化硅二極管具極小的(de)反向恢復時間、高(gao)(gao)浪(lang)涌電流、高(gao)(gao)效可靠的(de)特性(xing),封裝主(zhu)要(yao)有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅mos管具有低RDS(on)高開關速度,高效可(ke)靠,封裝TOLL、TO-247等(deng)
沃爾德吸收二極管具有較長(chang)的存儲時間和較小(xiao)的Irr,同時具有(you)較長的平緩(huan)反向恢復特性(xing),能平緩(huan)恢復電流,應用于(yu)電源(yuan)(yuan)的RCD吸收(shou)電路(lu),從而使電源(yuan)(yuan)產品(pin)達到更好的EMI特性(xing),滿足電源(yuan)(yuan)產品(pin)高(gao)效率、高(gao)可靠性(xing)的需求。
通(tong)過(guo)優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟(ruan)的恢(hui)復特(te)性,大幅減少(shao)諧波振蕩的發(fa)生,從而減少(shao)或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使(shi)用或者使(shi)用規格,例如X電容,共模(mo)電感,差模(mo)電感等。