沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基(ji)整(zheng)流(liu)橋產(chan)品是由4顆肖特基硅二極管橋式連(lian)接,有四個(ge)引出腳。兩(liang)只二(er)極管負極的(de)連接點是(shi)全橋直流輸(shu)出端的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“負極(ji)(ji)(ji)”,外用絕緣(yuan)朔料(liao)封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由(you)四只低壓降整流(liu)硅芯片作橋式連接(jie),有四個引出腳。兩只(zhi)二極管(guan)負極的連接點是全橋(qiao)直流輸(shu)出端的“正(zheng)極(ji)(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)(ji)的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出端的(de)“負(fu)極(ji)(ji)(ji)”,外用(yong)絕緣塑封而成(cheng)。LOW VF即(ji)是正向壓降(jiang)極低(di)的(de)整(zheng)流橋。
逆變橋是(shi)由四(si)(si)顆(ke)(ke)快(kuai)恢復二(er)(er)極(ji)管整合(he)一起,即將(jiang)四(si)(si)顆(ke)(ke)芯片封裝到一個(ge)支架上(shang)作橋式連(lian)接,有四(si)(si)個(ge)引出腳。兩只(zhi)(zhi)二(er)(er)極(ji)管負極(ji)的(de)連(lian)接點(dian)是(shi)直流(liu)輸出端的(de)“正極(ji)”,兩只(zhi)(zhi)二(er)(er)極(ji)管正極(ji)的(de)連(lian)接點(dian)是(shi)直流(liu)輸出端的(de)“負極(ji)”,另兩個(ge)引腳是(shi)交(jiao)流(liu)輸入(ru)端,外用絕緣(yuan)塑(su)料封裝而(er)成(cheng)。
一(yi)種集成(cheng)采樣(yang)功能(neng)的整(zheng)流橋,即通過(guo)采集電路(lu)中(zhong)的輸入(ru)電流,實(shi)現功率(lv)分配、電路(lu)保護。
開關橋是由四(si)只高速(su)開關(guan)二極管作(zuo)橋式(shi)連接,有四個引出(chu)(chu)腳(jiao)。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)連接(jie)點是全橋直流(liu)輸出(chu)(chu)端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的(de)連接點是全橋(qiao)直流輸出端的(de)“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成(cheng)。
沃(wo)爾德高(gao)壓(ya)肖特基二極(ji)管具有較低(di)的VF值和極低的反(fan)向漏電流Ir,體現出(chu)良(liang)好(hao)的低溫(wen)升特性(xing)。VRRM高達350V,電流從5A到(dao)40A全(quan)覆蓋,能(neng)更好(hao)的滿(man)足高(gao)(gao)壓輸出(chu)電源的高(gao)(gao)效率、高(gao)(gao)可(ke)靠性的需求。
沃爾德(de) LOW VF肖特基二極(ji)管(guan)采用先進的(de)Trench工藝,具(ju)有較(jiao)低的(de)VF值和(he)極(ji)低的(de)高溫漏(lou)電流,能更(geng)好的滿(man)足(zu)電源產品的高效率,高可靠性的需求。
沃(wo)爾德LOW Trr超快恢復二極管具有極低(di)的(de)反向(xiang)恢復時間Trr和極低的反向恢復電(dian)荷Qrr,并具(ju)有超快(kuai)的(de)開關速度,應用(yong)于硬開關條(tiao)件下的(de)PFC電路和高壓(ya)高頻電源的次級(ji)整流電路。
沃爾德(de)SGT MOS 具(ju)有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具(ju)有開關速度快等特點,能滿足(zu)產(chan)品(pin)溫升和效率(lv)的要求(qiu)。
沃爾(er)德(de)Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等(deng)特點(dian),能滿足(zu)產品高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性能和(he)抗(kang)短路性能等特點,能滿(man)足產品(pin)高效和(he)可(ke)靠的(de)要(yao)求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層(ceng)外延工藝,具有(you)低RDS(on)、結電(dian)容(rong)小、Qg 小,易(yi)驅動、開關(guan)速度快的特點,使(shi)電(dian)源(yuan)更容(rong)易(yi)實現高效率,高可靠性。
沃爾德碳化硅二極(ji)管具(ju)極(ji)小的(de)反向恢(hui)復(fu)時(shi)間、高(gao)浪(lang)涌電流、高(gao)效(xiao)可(ke)靠的(de)特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德(de)碳化硅(gui)mos管具有低RDS(on)高(gao)開關(guan)速度,高(gao)效(xiao)可靠,封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二(er)極(ji)管具有較長的(de)存儲(chu)時間和(he)較小(xiao)的(de)Irr,同時具有較長的平緩反向恢復特性,能(neng)平緩恢復電流,應用于(yu)電源(yuan)的RCD吸收電路,從而使(shi)電源(yuan)產(chan)品(pin)達到更好(hao)的EMI特性,滿足電源(yuan)產(chan)品(pin)高效率、高可(ke)靠性的需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷(duan)時間)較軟(ruan)的恢復(fu)特性,大幅減(jian)少諧波振(zhen)蕩的發生,從而減(jian)少或(huo)者減(jian)小橋堆周邊(bian)EMI抑制器(qi)件的使用或(huo)者(zhe)使用規(gui)格,例(li)如X電(dian)容(rong),共(gong)模(mo)電(dian)感,差模(mo)電(dian)感等。