沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流(liu)橋產(chan)品是(shi)由(you)4顆肖特基硅二極管橋式連接(jie),有四個引出腳。兩(liang)只二(er)極管負(fu)極的連(lian)接點是全橋直流(liu)輸(shu)出端的“正極”,兩只二(er)極管正極的連(lian)接點是全(quan)橋直流輸出(chu)端的“負極”,外用(yong)絕緣(yuan)朔料封裝而(er)成。
LOW VF整流橋產品是(shi)由(you)四只低壓(ya)降整流(liu)硅芯片作(zuo)橋式連接,有四個引出腳。兩(liang)只二極管負極的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全橋直流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低(di)的(de)整(zheng)流橋。
逆變橋(qiao)是(shi)由四(si)(si)顆快恢(hui)復二(er)極(ji)管(guan)整合一起,即將四(si)(si)顆芯(xin)片封(feng)裝到一個支(zhi)架上作橋(qiao)式連(lian)接(jie)(jie),有四(si)(si)個引出(chu)腳。兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)負極(ji)的連(lian)接(jie)(jie)點是(shi)直流(liu)輸(shu)出(chu)端的“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的連(lian)接(jie)(jie)點是(shi)直流(liu)輸(shu)出(chu)端的“負極(ji)”,另兩(liang)個引腳是(shi)交流(liu)輸(shu)入端,外用絕緣(yuan)塑料封(feng)裝而成。
一種集成采(cai)(cai)樣功(gong)能的整流(liu)橋(qiao),即通過采(cai)(cai)集電路中的輸入電流(liu),實(shi)現功(gong)率分配(pei)、電路保護。
開關橋是由(you)四只高速開關二(er)極管作橋(qiao)式(shi)連接,有(you)四個(ge)引出腳。兩只二極(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)的連接點是全橋直流(liu)輸出端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的(de)連接點是全橋直流輸出(chu)端的(de)“負極”,外用絕(jue)緣塑封(feng)而成。
沃(wo)爾德高壓(ya)肖特基二極管(guan)具有較低的VF值和極低的(de)反向漏電流Ir,體現(xian)出良(liang)好(hao)的(de)低溫升特(te)性。VRRM高達350V,電流從5A到(dao)40A全(quan)覆蓋,能更好(hao)的(de)滿(man)足高(gao)壓輸出(chu)電(dian)源的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需(xu)求。
沃爾德(de) LOW VF肖(xiao)特基二極(ji)管(guan)采用先進的Trench工藝(yi),具有較(jiao)低的VF值和極(ji)低的高溫漏(lou)電流,能更(geng)好(hao)的(de)滿足電(dian)源產品(pin)的(de)高效(xiao)率,高可靠(kao)性的(de)需(xu)求。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢復二極管(guan)具有極低的反向恢復時間Trr和極(ji)低(di)的反(fan)向恢復電荷Qrr,并具(ju)有(you)超快的開關速度,應用于硬開關條件下的PFC電(dian)路(lu)和(he)高壓高頻電(dian)源的次級整(zheng)流電(dian)路(lu)。
沃爾德(de)SGT MOS 具有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具有(you)開關速(su)度快等特點(dian),能滿足產品溫升和效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有(you)低的RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的(de)EAS性(xing)能等特點,能滿足產品高效(xiao)和(he)可(ke)靠的要求。
沃(wo)爾(er)德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度(du)快并(bing)具有強的EAS性(xing)(xing)能(neng)(neng)和抗(kang)短路性(xing)(xing)能(neng)(neng)等特點,能(neng)(neng)滿足產品(pin)高效和可(ke)靠的要(yao)求(qiu)。
沃爾德(de)SJ(超結(jie))MOS采(cai)用多層外延工藝,具(ju)有低RDS(on)、結(jie)電容小、Qg 小,易(yi)驅動、開(kai)關速度快的特點(dian),使電源更容易(yi)實現高效率(lv),高可靠性。
沃爾德碳(tan)化(hua)硅二極(ji)管(guan)具極(ji)小(xiao)的反向(xiang)恢復時間(jian)、高(gao)浪涌電(dian)流、高(gao)效可(ke)靠的特(te)性,封裝主要(yao)有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃爾德碳化(hua)硅mos管(guan)具有(you)低(di)RDS(on)高開關速度(du),高效可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃(wo)爾德吸收二極管具有較長的存儲時間和(he)較小的Irr,同時具有較長的平(ping)緩反向恢復特性(xing),能平(ping)緩恢復電(dian)(dian)流,應用于(yu)電(dian)(dian)源的RCD吸(xi)收(shou)電(dian)(dian)路,從而(er)使電(dian)(dian)源產(chan)品達到更好(hao)的EMI特性(xing),滿足電(dian)(dian)源產(chan)品高效率、高可(ke)靠性(xing)的需求。
通過(guo)優化二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的恢復特性(xing),大(da)幅減(jian)少諧波振蕩的發生,從而(er)減(jian)少或者(zhe)減(jian)小(xiao)橋堆周邊EMI抑(yi)制器件的使用(yong)或者(zhe)使用(yong)規格(ge),例如X電容,共模(mo)電感,差模(mo)電感等。