沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流橋(qiao)產品(pin)是(shi)由4顆(ke)肖特基硅二極管(guan)橋式連接,有四個(ge)引出腳。兩只二極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連接點是全橋直(zhi)流輸出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的(de)連接點是全橋直(zhi)流(liu)輸(shu)出端的(de)“負極”,外(wai)用絕緣朔料(liao)封裝而成。
LOW VF整流橋產(chan)品(pin)是由四只低壓(ya)降整(zheng)流硅芯(xin)片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流(liu)輸(shu)出端的“正(zheng)極”,兩只(zhi)二(er)極管正(zheng)極的連接點是(shi)全橋(qiao)直(zhi)流輸(shu)出端(duan)的“負(fu)極”,外用絕緣塑封(feng)而成。LOW VF即是正向壓降極低的整(zheng)流橋。
逆(ni)變橋是由四(si)顆(ke)快恢復(fu)二(er)(er)極管(guan)整合一起(qi),即將(jiang)四(si)顆(ke)芯(xin)片(pian)封(feng)裝(zhuang)到(dao)一個(ge)支(zhi)架(jia)上作橋式連接,有四(si)個(ge)引(yin)出(chu)腳(jiao)。兩只(zhi)二(er)(er)極管(guan)負極的(de)連接點是直流(liu)(liu)輸(shu)(shu)出(chu)端的(de)“正極”,兩只(zhi)二(er)(er)極管(guan)正極的(de)連接點是直流(liu)(liu)輸(shu)(shu)出(chu)端的(de)“負極”,另兩個(ge)引(yin)腳(jiao)是交(jiao)流(liu)(liu)輸(shu)(shu)入端,外用(yong)絕(jue)緣塑料封(feng)裝(zhuang)而(er)成。
一(yi)種集(ji)成采樣功(gong)能的整流橋,即(ji)通過(guo)采集(ji)電路(lu)中的輸入電流,實現功(gong)率分配、電路(lu)保護。
開關橋(qiao)是(shi)由四只高速開(kai)關二極管作橋(qiao)式(shi)連接,有四個(ge)引出腳。兩(liang)只二極管負極的連接點(dian)是(shi)全(quan)橋直流輸(shu)出端的“正極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接(jie)點是(shi)全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕(jue)緣(yuan)塑封而成(cheng)。
沃爾德高壓肖特基二極管具有較(jiao)低的VF值和(he)極低的反向漏電(dian)流(liu)Ir,體現出(chu)良好(hao)的低溫升特性。VRRM高達(da)350V,電(dian)流(liu)從5A到(dao)40A全覆(fu)蓋,能更好(hao)的滿足高(gao)壓(ya)輸(shu)出(chu)電源的(de)高(gao)效率、高(gao)可靠性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖(xiao)特基二極(ji)管采用先進的Trench工(gong)藝,具有較低的VF值和極(ji)低的高溫(wen)漏(lou)電流,能更好的滿(man)足電源(yuan)產品的高(gao)(gao)效率(lv),高(gao)(gao)可靠性的需求。
沃爾(er)德LOW Trr超快恢復二(er)極管具有極低的反向恢復時(shi)間Trr和極低的反向(xiang)恢復(fu)電荷Qrr,并具有超快的開(kai)關速度(du),應用(yong)于硬開(kai)關條件(jian)下的PFC電(dian)路(lu)和(he)高壓高頻電(dian)源(yuan)的次(ci)級整(zheng)流電(dian)路(lu)。
沃爾(er)德SGT MOS 具(ju)有極低的(de)(de)RDs(on) 、低的(de)(de)Qg和Ciss ,并具(ju)有開(kai)關速(su)度快等特(te)點,能滿足產品溫升和效(xiao)率的(de)(de)要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有(you)強的EAS性(xing)能等特點(dian),能滿(man)足產(chan)品高效和(he)可靠的要(yao)求。
沃爾德Trench MOS 具有較(jiao)低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快(kuai)并具有強的(de)EAS性能(neng)和抗短路(lu)性能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿足產品高效和可靠的(de)要求(qiu)。
沃爾(er)德SJ(超(chao)結)MOS采用多層外延工(gong)藝,具(ju)有低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開(kai)關速度快(kuai)的特(te)點,使電源更(geng)容易實現(xian)高效率,高可靠性。
沃爾德碳(tan)化硅二極管具極小(xiao)的(de)反向恢復時間、高(gao)浪涌電流、高(gao)效(xiao)可靠(kao)的(de)特(te)性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德(de)碳化硅mos管具有低RDS(on)高(gao)開關(guan)速度,高(gao)效可靠(kao),封裝TOLL、TO-247等
沃爾德(de)吸(xi)收二極管具有較長的(de)存(cun)儲時間和較(jiao)小的(de)Irr,同時具有較長(chang)的(de)(de)平緩(huan)(huan)反向(xiang)恢(hui)(hui)復(fu)特性,能平緩(huan)(huan)恢(hui)(hui)復(fu)電(dian)流(liu),應用(yong)于電(dian)源(yuan)的(de)(de)RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)產品(pin)達到更好的(de)(de)EMI特性,滿足電(dian)源(yuan)產品(pin)高效率(lv)、高可靠性的(de)(de)需求。
通過優化二(er)極管Ta/Tb(開(kai)通(tong)時間/關斷時(shi)間)較軟的(de)恢(hui)復特性,大幅(fu)減(jian)少諧波振蕩的(de)發生,從而減(jian)少或者減(jian)小橋堆(dui)周邊EMI抑制器(qi)件的使(shi)(shi)用或者使(shi)(shi)用規格(ge),例(li)如(ru)X電容,共模電感,差模電感等。