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產品
- 整流器件類
  - 橋堆
    
    軟橋
    
    產品概述
    
    通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的恢復特性，大幅減少諧波振蕩的發生，從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規格，例如X電容，共模電感，差模電感等。
    
    產品特點
    
    1
    
    改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導特性；降低AC輸入線雜散電感；通過橋堆中整流二極管較平滑的恢復特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    節省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
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    普通橋
    
    產品概述
    
    整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接，有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”，外用絕緣塑封而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    整流橋
    
    整流橋當中的整流，是通過二極管的單向導通性來完成工作；簡單點說，二極管是單向的，它是正向導通和反向截止。二極管只允許電流單向通過，所以將其接入交流電路時，能使電路中的電流只按單向流動，即所謂“整流”。
    
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    肖特基橋
    
    產品概述
    
    肖特基整(zheng)流(liu)橋產品(pin)是由4顆肖特基硅二極管橋式(shi)連接(jie)，有四個引出(chu)腳(jiao)。兩只二極管負(fu)極的連接點是全橋(qiao)直流輸(shu)出(chu)端的“正極”，兩只二極管正極的連(lian)接點(dian)是(shi)全橋(qiao)直(zhi)流輸出端的“負極”，外用絕緣朔料封(feng)裝而成(cheng)。
    
    產品特點
    
    1
    
    肖特基整流橋
    
    肖特基整流橋，有更低的壓降與更快的開關速度，在高頻、低電壓、大電流整流電路中有更低的溫度表現與更好的效率提升。
    
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    低壓降橋
    
    產品概述
    
    LOW VF整(zheng)流(liu)橋產品是由四只低壓降整流(liu)硅芯片作(zuo)橋式連接(jie)，有四個引出(chu)腳。兩只二(er)極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的(de)“正極(ji)”，兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的連接點是全橋直流(liu)輸(shu)出端的“負極(ji)”，外用絕緣塑封而(er)成。LOW VF即是正向壓(ya)降(jiang)極低的整流橋。
    
    產品特點
    
    1
    
    低壓降橋
    
    所謂LOW VF整流橋是指正向壓降低于普通整流橋的正向壓降，根據熱量計算公式 Q =I2Rt=Pt=UIt=U2t/R=I2Rt，電壓越低，所發出的熱量越小，相對應的有功功率就越高；所以，同功率電路應用中LOW VF整流橋的效率更高，熱量更低。
    
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    逆變橋
    
    產品概述
    
    逆變橋(qiao)(qiao)是(shi)(shi)由四(si)顆快恢復二極(ji)(ji)(ji)管整(zheng)合(he)一(yi)(yi)起，即將(jiang)四(si)顆芯(xin)片封(feng)裝到(dao)一(yi)(yi)個支架上作橋(qiao)(qiao)式連(lian)接(jie)，有四(si)個引(yin)出腳(jiao)。兩只二極(ji)(ji)(ji)管負極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)直流輸出端的(de)(de)“正極(ji)(ji)(ji)”，兩只二極(ji)(ji)(ji)管正極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)直流輸出端的(de)(de)“負極(ji)(ji)(ji)”，另(ling)兩個引(yin)腳(jiao)是(shi)(shi)交流輸入端，外用絕緣塑料封(feng)裝而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    逆變橋
    
    逆變橋工作頻率高（10KHz-70KHz）,PCBA面積小；反向恢復時間為75ns，反向恢復時間較短, 雜散電容相對較小，所以對EMI 改善有優勢。
    
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    采樣橋
    
    產品概述
    
    一種集成采(cai)樣功(gong)能的(de)整流(liu)橋，即通過采(cai)集電(dian)路(lu)中的(de)輸入(ru)電(dian)流(liu)，實現功(gong)率(lv)分配、電(dian)路(lu)保護。
    
    產品特點
    
    1
    
    較低的電阻溫度系數，較寬的使用溫度范圍（480℃以下）
    
    具有較低的電阻溫度系數，溫漂小，輸出功率相對穩定.精密電阻封裝到整流橋內部，可以利用散熱片對精密電阻散熱，有效降低精密電阻溫度，減少溫升對電阻阻值的影響
    
    2
    
    簡化PCB裝配工序，降低裝配成本，一致性高
    
    簡化PCB裝配工序，降低裝配成本，性價比高；改善外置精密電阻安裝工藝復雜、批量生產時電阻值一致性不好、不良率高的問題，提升功率一致性、穩定性。大批量生產時一致性高。
    
    3
    
    減少干擾
    
    改善了精密電阻在線路板上跨接通過，主回路過長，導致干擾增加和采集精度偏差的問題
    
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    開關橋
    
    產品概述
    
    開關(guan)橋是(shi)由四(si)只(zhi)高速開(kai)關二極管(guan)作橋(qiao)式連接，有四個(ge)引(yin)出(chu)腳。兩只二(er)極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)”，兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)(de)連接點是全橋直(zhi)流輸出端(duan)的(de)(de)“負極(ji)(ji)”，外用絕緣塑(su)封而(er)成。
    
    產品特點
    
    1
    
    開關橋
    
    開關橋有極低的正向壓降與極高的開關速度，利用其極低的損耗和極快的開關速度，在電網監測、智能電表、儀器儀表等行業廣泛應用。
    
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  - 肖特基
    
    普通肖特基
    
    產品概述
    
    沃爾德肖特基二極管采用先進的封裝工藝，具有低正向壓降的特點。電流涵蓋了1A到60A，電壓從40V到200V全覆蓋，可以滿足電源產品的高效率，高可靠性的需求。
    
    產品特點
    
    1
    
    低正向壓降
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    高壓肖特基
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾(er)德高壓肖特(te)基二極管具有較低(di)的VF值(zhi)和極低的反(fan)向漏電流Ir，體(ti)現出良好的低溫升特性。VRRM高(gao)達350V,電流從5A到40A全(quan)覆蓋，能更好的滿足高(gao)壓(ya)輸(shu)出電源(yuan)的高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性的需求。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    反向漏電流
    
    極低的反向漏電流Ir
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源的需求
    
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    低壓降肖特基
    
    產品概述
    
    沃爾德 LOW VF肖(xiao)特基二極管(guan)采用先(xian)進的(de)Trench工藝，具有(you)較低(di)的(de)VF值和(he)極低(di)的(de)高溫漏電流，能更好(hao)的滿足電源(yuan)產品的高(gao)效率，高(gao)可靠性(xing)的需求。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    漏電流
    
    極低的高溫漏電流
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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  - 快恢復
    
    普通快恢復
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾德(de)快恢復二極管(guan)采用先進(jin)的封(feng)裝工(gong)藝，電壓從(cong)100V到(dao)(dao)1700V，電(dian)流(liu)從(cong)1A到(dao)(dao)300A,反向(xiang)恢復(fu)時間從(cong)16ns到(dao)(dao)500ns ,適用于PFC電(dian)路，高頻高壓電(dian)源等。
    
    產品特點
    
    1
    
    電壓分布
    
    豐富的電壓分布
    
    2
    
    封裝形式
    
    多種封裝形式，滿足各類電源需求
    
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    LOW Trr快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德LOW Trr超(chao)快恢(hui)(hui)復(fu)二極管具有極低的反向恢(hui)(hui)復(fu)時間(jian)Trr和(he)極低(di)的反向恢復電荷Qrr，并具有超快的開關速度，應用于硬開關條件下的PFC電(dian)(dian)路和高(gao)壓高(gao)頻電(dian)(dian)源的次級整流電(dian)(dian)路。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR和QRR
    
    極低的Trr和Qrr，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快的開關速度，減小開關損耗。
    
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    LOW VF 快恢復
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾(er)德LOW VF快恢(hui)復二極管(guan)具有低(di)的VF值、低漏(lou)電流，應用于PFC電路、高(gao)頻高(gao)壓電路、次級整流電路。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值和漏電流
    
    低VF值，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快開關速度。
    
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    共陰共陽快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德共(gong)陰共(gong)陽快恢(hui)復二極管具有一致性好，低(di)VF值、低(di)Trr、低(di)漏(lou)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)的特性，應用于高頻橋(qiao)式整(zheng)流(liu)(liu)電(dian)(dian)(dian)路(lu)，正負壓輸(shu)出(chu)整(zheng)流(liu)(liu)電(dian)(dian)(dian)路(lu)、高頻高壓大電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)電(dian)(dian)(dian)路(lu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值及反向恢復時間
    
    低VF值，低反向恢復時間。
    
    2
    
    漏電流
    
    低漏電流
    
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  - 開關管
    
    全系列
    
    產品概述
    
    沃爾德開關(guan)二極(ji)管(guan)具有較(jiao)快(kuai)的(de)恢復時(shi)間和高(gao)開關(guan)速度的(de)特性，廣泛(fan)應用于電(dian)源、音頻、視頻、無(wu)線通信、工業(ye)等領(ling)域。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR
    
    較小的Trr (反向恢復時間）,開關速度快
    
    2
    
    封裝體積
    
    封裝小，體積小
    
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- 保護器件類
  - TVS
    
    TVS二極管
    
    產品概述
    
    瞬態抑制二極(ji)管，TVS。全系列產品都有。
    
    產品特點
    
    1
    
    TVS二極管
    
    1、TVS是一種高品質的突波吸收器，以二極管（伏安特性）并聯在電路中。自然界的感應雷擊、靜電釋放、電子裝置的電流浪涌都是讓現代電子系統面臨嚴峻的考驗。在電路中產生瞬態電壓時，TVS利用雪崩原理，以P秒級的反應速度瞬間起到分流限壓的作用，從而保護負載不被損壞。
    
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  - ESD
    
    靜電抑制器
    
    產品概述
    
    抗靜電器件(jian)，ESD。針對主(zhu)流(liu)競品，我(wo)司(si)均有可替代產品，ESD類(lei)我(wo)司(si)接受定制物(wu)料。
    
    產品特點
    
    1
    
    ESD
    
    ESD，(Transient Voltage Suppressor)（半導體）靜電抑制器，小型化的TVS，與TVS有著一樣的特性和工作方式。只是隨著把內部芯片面積的減少，來獲得了體積小，電容值小（電容和體積是成正比），封裝方式多樣的特點。主要應用于一些小型號的便攜設備的防靜電和抗小型脈沖群的處理。對于ESD TVS 多路防護的產品，也叫陣列產品(IC)。
    
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  - GDT
    
    GDT
    
    產品概述
    
    陶瓷氣體放電管，GDT。全系列產(chan)品(pin)都有，目前正在開(kai)發超薄型產(chan)品(pin)。
    
    產品特點
    
    1
    
    GDT
    
    GDT“陶瓷氣體放電管”是一種陶瓷封裝的、內充低壓惰性氣體的短路型保護器件，一般分二電極和三電極兩種結構。基本的工作原理是氣體放電。當極間的電場強度超過氣體的擊穿強度時，就引起間隙放電，從而限制了極間的電壓，使與放電管并聯的其它器件得到保護。
    
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  - MOV
    
    MOV
    
    產品概述
    
    氧化鋅壓敏(min)電阻，MOV。我司只(zhi)做貼片類產(chan)品SMD-MOV，以及(ji)復合功(gong)能型產(chan)品GMOV。
    
    產品特點
    
    1
    
    MOV
    
    MOV是一種以氧化鋅為主要成分的金屬氧化物半導體非線性電阻原件，所謂壓敏，就是對電壓敏感，當電壓達到一定數值的時候，元件開始動作。
    
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  - TSS
    
    TSS
    
    產品概述
    
    半導體(ti)放電管，TSS。全系列產品都(dou)有。
    
    產品特點
    
    1
    
    TSS
    
    TSS是一種PNPN組件,一個無門電極的自由電壓控制的可控硅,當電壓超過它的斷態峰值電壓(或稱雪崩電壓)時，半導體放電會將瞬態電壓箝制到組件的開關電壓(或稱轉折電壓)值之內。電壓繼續增大時，半導體放電管由于負阻效應進入導通狀態，只有在當電流小于維持電流時，組件才復位并恢復到它的高阻抗狀態。
    
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- 功率器件類
  - MOS
    
    SGT MOS
    
    產品概述
    
    沃爾(er)德SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ，并具有開關速度(du)快等(deng)特點，能滿足(zu)產品溫升(sheng)和(he)效率的要(yao)求。
    
    產品特點
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值
    
    2
    
    速度
    
    開關速度快
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    Planar MOS
    
    產品概述
    
    沃爾(er)德Planar MOS 具有低(di)的(de)RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的EAS性能等特點，能滿足(zu)產品(pin)高(gao)效和可靠的要求。
    
    產品特點
    
    1
    
    RDs(on)
    
    低的RDs(on)和Ciss
    
    2
    
    EAS性能
    
    強的EAS性能
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    Trench Mos
    
    產品概述
    
    沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ，開關速度快并具有強的EAS性能(neng)和抗短路性能(neng)等特點，能(neng)滿足產品(pin)高效(xiao)和可靠的要求。
    
    產品特點
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值。
    
    2
    
    EAS性能
    
    強的EAS性能
    
    3
    
    抗短路
    
    抗短路性能
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    SJ(超結)MOS
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾德SJ（超結）MOS采用多層外延工藝，具有低(di)RDS（on）、結電(dian)(dian)容(rong)小(xiao)、Qg 小(xiao)，易驅(qu)動(dong)、開關速度(du)快(kuai)的特點，使(shi)電(dian)(dian)源更容(rong)易實現高效率，高可靠性。
    
    產品特點
    
    1
    
    RDS(ON)
    
    低RDS（on）（詳細請看產品選型列表）
    
    2
    
    結電容
    
    結電容小、Qg小、易驅動
    
    3
    
    速度
    
    開關速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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- 第三代半導體
  - SIC 二極管
    
    碳化硅二極管
    
    產品概述
    
    沃爾德碳化硅二極管(guan)具極小的反向恢(hui)復時間(jian)、高浪涌電(dian)流、高效可靠的特性，封裝(zhuang)主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR
    
    極小的TRR
    
    2
    
    浪涌
    
    高浪涌電流
    
    3
    
    速度
    
    開關速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝
    
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    碳化硅MOS管
    
    產品概述
    
    沃爾德碳化硅mos管具有低RDS（on）高(gao)開關速(su)度，高(gao)效可靠(kao)，封裝TOLL、TO-247等
    
    產品特點
    
    1
    
    RDS(on)
    
    低導通電阻（RDS（on））
    
    2
    
    速度
    
    高開關速度
    
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- EMI改善
  - 吸收二極管
    
    30M-60M輻射
    
    產品概述
    
    沃爾德(de)吸收(shou)二極管具有較長的存儲時間和較小(xiao)的Irr,同時具(ju)有(you)較長的(de)平緩反向恢復特性，能平緩恢復電(dian)(dian)(dian)流(liu)，應(ying)用于電(dian)(dian)(dian)源(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)(dian)(dian)路，從而(er)使電(dian)(dian)(dian)源(yuan)產品達到更(geng)好的(de)EMI特性，滿足電(dian)(dian)(dian)源(yuan)產品高效率、高可靠(kao)性的(de)需求。
    
    產品特點
    
    1
    
    改善EMI
    
    SOD-123FL封裝，降低空載損耗，對30MHZ~60MHZ的EMI輻射有改善。
    
    2
    
    提升效率
    
    10%負載時，提升轉換效率2%~3%, 綜合效率提升約0.8%
    
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  - 軟橋
    
    9K-1M傳導
    
    產品概述
    
    通過優化二(er)極管Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間)較軟的(de)恢復特性，大幅減(jian)少(shao)諧波振蕩的(de)發生，從而(er)減(jian)少(shao)或(huo)者減(jian)小橋堆周邊EMI抑制器件的使用(yong)或者使用(yong)規格，例如X電容，共模電感(gan)，差(cha)模電感(gan)等。
    
    產品特點
    
    1
    
    1、改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導特性；降低AC輸入線雜散電感；通過橋堆中整流二極管較平滑的恢復特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    2、節省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
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沃爾德半導體，已跨越草莽初創的首個七載，懷揣技術引領未來的愿景，踏入聚焦產品研發與品牌塑造的第二個七年征程。如今，在第三個七年的奮進之路上，我們的團隊架構明晰，成員朝氣蓬勃，協作簡約高效。秉持創新精神，深度剖析用戶痛點和需求，持續探索求變，靈活因應社會發展潮流，推動組織革新與進化。

沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰，此刻不過初啟征途，前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭，寒風凜冽，氧氣稀缺，然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力，沐浴日月之輝，必能征服一路崎嶇，為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量，鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。

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