沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基(ji)整(zheng)流橋(qiao)產品是由(you)4顆肖特基硅二極管橋式連接,有(you)四(si)個引出腳(jiao)。兩只二極管負(fu)極的(de)連接點是全橋直流輸(shu)出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的(de)連接點是全橋直流輸出端(duan)的(de)“負極”,外(wai)用絕緣(yuan)朔料封裝而成。
LOW VF整流(liu)橋產品是由四只(zhi)低壓(ya)降整流硅芯片作橋式連接,有四(si)個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極管(guan)負極的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“正極”,兩只二極管正極的連接點(dian)是全橋直流輸出(chu)端的“負(fu)極”,外用絕緣(yuan)塑封而成。LOW VF即是(shi)正向壓降(jiang)極低的整流橋。
逆(ni)變(bian)橋是(shi)由四顆快恢復(fu)二極(ji)管(guan)整合一起,即將(jiang)四顆芯片封裝到一個(ge)支架上(shang)作橋式連(lian)接(jie)(jie),有(you)四個(ge)引出腳。兩只二極(ji)管(guan)負(fu)極(ji)的(de)連(lian)接(jie)(jie)點(dian)是(shi)直(zhi)流輸出端(duan)的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的(de)連(lian)接(jie)(jie)點(dian)是(shi)直(zhi)流輸出端(duan)的(de)“負(fu)極(ji)”,另兩個(ge)引腳是(shi)交流輸入(ru)端(duan),外用絕(jue)緣塑料封裝而(er)成。
一種集成(cheng)采(cai)樣功能的整流橋,即(ji)通過采(cai)集電(dian)(dian)路(lu)中的輸入電(dian)(dian)流,實現功率分配、電(dian)(dian)路(lu)保護。
開(kai)關橋是由四只高速開(kai)關二極管(guan)作(zuo)橋式連接,有(you)四個引(yin)出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸(shu)出端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連接點(dian)是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封(feng)而成。
沃爾德高(gao)壓(ya)肖特(te)基(ji)二極管具(ju)有較低的VF值和極低(di)的(de)(de)反向漏電流(liu)Ir,體現出良好的(de)(de)低(di)溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流(liu)從(cong)5A到(dao)40A全(quan)覆蓋,能更好的(de)(de)滿足高壓輸出電源的高效率(lv)、高可靠性(xing)的需求。
沃(wo)爾德(de) LOW VF肖特基二(er)極管采(cai)用先進的Trench工藝(yi),具有較低(di)的VF值(zhi)和極低(di)的高(gao)溫(wen)漏電(dian)流,能更好的(de)滿足(zu)電源產品(pin)的高效率,高可靠性的需求。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢復二極(ji)(ji)管具有極(ji)(ji)低的反(fan)向恢復時間Trr和極低的(de)反(fan)向恢(hui)復電荷Qrr,并具有超快的(de)開關速度,應(ying)用(yong)于硬開關條件(jian)下的(de)PFC電路和高(gao)(gao)壓高(gao)(gao)頻電源的次(ci)級(ji)整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有(you)極低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和Ciss ,并(bing)具有(you)開關速度快等特(te)點,能滿足產品(pin)溫升和效率的(de)要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的EAS性能等(deng)特點,能滿足產品高效和可靠的要(yao)求(qiu)。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具(ju)有強的EAS性能和抗短路性能等特點,能滿足(zu)產品高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用多層外(wai)延工藝(yi),具(ju)有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易驅動、開關速(su)度快的特點,使電源更容易實現高效率,高可靠(kao)性。
沃爾德吸收(shou)二極管具(ju)有較長的存儲時間和較(jiao)小(xiao)的Irr,同時(shi)具有較(jiao)長的平(ping)緩(huan)反向恢(hui)復特(te)(te)性(xing),能平(ping)緩(huan)恢(hui)復電流,應(ying)用于電源的RCD吸收電路,從而使電源產品(pin)達到更好的EMI特(te)(te)性(xing),滿足電源產品(pin)高(gao)效率、高(gao)可(ke)靠(kao)性(xing)的需求。
通過優化二極管(guan)Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷時間(jian))較軟(ruan)的恢復特性,大幅(fu)減少諧波(bo)振蕩(dang)的發生,從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器(qi)件的使(shi)用(yong)或者使(shi)用(yong)規格(ge),例如X電(dian)容,共(gong)模電(dian)感,差模電(dian)感等。