沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整流橋產(chan)品是由4顆(ke)肖特(te)基硅二(er)極管橋式連接,有四(si)個引出(chu)(chu)腳(jiao)。兩只二極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連(lian)接點是全橋直流輸出(chu)(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端的“負極(ji)”,外用絕緣朔料封裝而(er)成(cheng)。
LOW VF整(zheng)流橋產品是由四只低壓降(jiang)整流硅芯(xin)片作橋式(shi)連接(jie),有四個引(yin)出腳(jiao)。兩只二極(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)的(de)連接點(dian)是全橋(qiao)直(zhi)流輸出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的(de)連接點是全橋(qiao)直流輸(shu)出(chu)端的(de)“負極”,外用絕緣塑封(feng)而(er)成(cheng)。LOW VF即是正向壓降極低(di)的整流橋。
逆變橋是由四顆(ke)快恢復二(er)(er)極管(guan)整合一起(qi),即(ji)將四顆(ke)芯片封裝到一個(ge)支架上作橋式(shi)連接(jie),有四個(ge)引出腳(jiao)(jiao)。兩(liang)只(zhi)二(er)(er)極管(guan)負極的(de)連接(jie)點(dian)是直流(liu)輸出端的(de)“正(zheng)極”,兩(liang)只(zhi)二(er)(er)極管(guan)正(zheng)極的(de)連接(jie)點(dian)是直流(liu)輸出端的(de)“負極”,另兩(liang)個(ge)引腳(jiao)(jiao)是交流(liu)輸入端,外(wai)用絕緣塑(su)料封裝而成(cheng)。
一種集成采樣功能(neng)的(de)整流橋,即通過采集電路中的(de)輸入電流,實(shi)現功率分配、電路保(bao)護。
開(kai)關橋是由四只高(gao)速開關二極管作橋式連接,有四個引出腳。兩(liang)只二(er)極管負極的(de)(de)連接點是全橋直(zhi)流輸出端(duan)的(de)(de)“正極”,兩只二極管(guan)正極的連接點(dian)是(shi)全橋直流輸出端的“負(fu)極”,外用(yong)絕緣塑封而成。
沃爾德高壓肖(xiao)特基二極管具有較低的(de)VF值和極低的反向漏電流Ir,體現(xian)出良(liang)好的低溫(wen)升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更(geng)好的滿足(zu)高(gao)壓輸出電(dian)源的(de)高(gao)效率、高(gao)可靠性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特(te)基二(er)極管采用先進的Trench工(gong)藝,具有較低的VF值和極低的高溫漏(lou)電(dian)流,能更好(hao)的(de)滿足電源產品的(de)高(gao)效(xiao)率,高(gao)可靠性的(de)需求(qiu)。
沃爾德LOW Trr超快恢復(fu)二(er)極(ji)管具(ju)有極(ji)低(di)的反向恢復(fu)時間Trr和極低的反向恢復電(dian)荷Qrr,并(bing)具有超快的開(kai)關(guan)(guan)速度,應用于硬開(kai)關(guan)(guan)條件下的PFC電(dian)路(lu)和高(gao)壓高(gao)頻電(dian)源(yuan)的次級整流(liu)電(dian)路(lu)。
抗靜(jing)電(dian)器件(jian),ESD。針(zhen)對(dui)主流競品(pin),我司(si)均有可替代產品(pin),ESD類我司(si)接(jie)受(shou)定制物(wu)料(liao)。
沃爾德(de)SGT MOS 具(ju)有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具(ju)有開關(guan)速(su)度快等(deng)特(te)點,能滿足產品溫升和效率的要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并(bing)具(ju)有(you)強的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足(zu)產品高效和可(ke)靠的(de)要求。
沃爾德Trench MOS 具有(you)較低的(de)RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性能和抗短路性能等(deng)特點,能滿足產品高效和可(ke)靠的要求(qiu)。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用多層(ceng)外延工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)容小(xiao)、Qg 小(xiao),易(yi)驅(qu)動、開關速度快的(de)特點(dian),使電(dian)源更容易(yi)實現(xian)高效率,高可靠(kao)性。
沃爾德碳(tan)化硅二極管具極小的反向(xiang)恢(hui)復時間、高(gao)(gao)浪涌電流、高(gao)(gao)效(xiao)可靠的特(te)性,封裝主要(yao)有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅(gui)mos管具(ju)有低(di)RDS(on)高開關速度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收(shou)二極管具(ju)有較長的(de)存儲時(shi)間和(he)較小的(de)Irr,同(tong)時具(ju)有(you)較長的平緩反向恢復(fu)特性,能(neng)平緩恢復(fu)電(dian)流,應(ying)用(yong)于電(dian)源(yuan)的RCD吸(xi)收(shou)電(dian)路,從(cong)而使電(dian)源(yuan)產品達到更好的EMI特性,滿足電(dian)源(yuan)產品高效(xiao)率、高可(ke)靠性的需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間)較(jiao)軟的恢復特性,大(da)幅減少(shao)(shao)諧(xie)波(bo)振蕩的發生,從而減少(shao)(shao)或(huo)者(zhe)減小橋(qiao)堆周邊(bian)EMI抑制器件的使(shi)用(yong)或(huo)者使(shi)用(yong)規格,例如X電容(rong),共模電感(gan),差模電感(gan)等。