沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整流橋產品是由4顆(ke)肖特(te)基硅二極管(guan)橋式連接,有四個引出腳。兩只(zhi)二(er)極管負(fu)極的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣朔(shuo)料封裝而(er)成。
LOW VF整流(liu)橋產品是(shi)由四只低(di)壓降整流硅芯片作橋式(shi)連接,有(you)四個引出腳。兩只二極管負極的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出端(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是全橋直流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外用(yong)絕緣塑(su)封(feng)而成(cheng)。LOW VF即是(shi)正向壓降極低(di)的整(zheng)流(liu)橋。
逆(ni)變橋是由四(si)顆快恢復二極管(guan)整合一(yi)起(qi),即將(jiang)四(si)顆芯片(pian)封(feng)裝到一(yi)個支架上作橋式連(lian)接,有四(si)個引出(chu)腳(jiao)。兩(liang)(liang)只(zhi)二極管(guan)負極的(de)連(lian)接點(dian)是直流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)“正(zheng)極”,兩(liang)(liang)只(zhi)二極管(guan)正(zheng)極的(de)連(lian)接點(dian)是直流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)“負極”,另兩(liang)(liang)個引腳(jiao)是交流(liu)輸(shu)入端(duan),外用絕緣塑料封(feng)裝而成。
一種集成采(cai)樣功(gong)能的(de)整流(liu)(liu)橋(qiao),即(ji)通過采(cai)集電(dian)路中的(de)輸入(ru)電(dian)流(liu)(liu),實(shi)現功(gong)率分配、電(dian)路保護(hu)。
開關橋(qiao)是由四只(zhi)高速開關二極管作(zuo)橋式(shi)連接(jie),有(you)四(si)個引出(chu)腳。兩只(zhi)二(er)極管負極的連接點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的“正極”,兩只二(er)極管(guan)正極的(de)連(lian)接點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的(de)“負極”,外用絕(jue)緣塑封而成。
沃爾(er)德高壓肖特基二極管(guan)具有較低的VF值(zhi)和極低的反(fan)向(xiang)漏電(dian)流Ir,體現出良(liang)好(hao)的低溫升特性(xing)。VRRM高達(da)350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋,能(neng)更(geng)好(hao)的滿足(zu)高(gao)壓輸(shu)出電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特基二極管采用(yong)先進的(de)Trench工藝,具有(you)較(jiao)低(di)的(de)VF值和(he)極低(di)的(de)高溫漏電流,能更好的滿(man)足電源產品的(de)高(gao)效(xiao)率,高(gao)可(ke)靠性的(de)需(xu)求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二(er)極管具(ju)有(you)極低的(de)反向恢復時間Trr和極低的反向恢復電荷(he)Qrr,并具有超(chao)快的開(kai)關(guan)(guan)速(su)度,應用(yong)于硬開(kai)關(guan)(guan)條(tiao)件下的PFC電(dian)路(lu)和高(gao)(gao)壓高(gao)(gao)頻電(dian)源的次級整流電(dian)路(lu)。
沃爾(er)德SGT MOS 具有極(ji)低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并(bing)具有開(kai)關速度(du)快等(deng)特點,能滿足產品(pin)溫升和(he)效(xiao)率的要求。
沃爾(er)德Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有(you)強的EAS性能等特點,能滿足(zu)產(chan)品高效和可(ke)靠的要求。
沃爾德(de)Trench MOS 具有較(jiao)低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性能和抗短路性能等特(te)點,能滿足產品高效和可靠(kao)的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層(ceng)外(wai)延(yan)工藝(yi),具有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易驅動(dong)、開關速(su)度(du)快(kuai)的特點(dian),使(shi)電源更容易實現高效(xiao)率,高可(ke)靠性。
沃(wo)爾德吸(xi)收(shou)二極管具(ju)有較長的存儲時(shi)間和較小的Irr,同時具有較長(chang)的平(ping)(ping)緩反向恢(hui)復特性,能平(ping)(ping)緩恢(hui)復電(dian)流,應用于電(dian)源(yuan)(yuan)的RCD吸收(shou)電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)(yuan)產品(pin)達到(dao)更好的EMI特性,滿足(zu)電(dian)源(yuan)(yuan)產品(pin)高(gao)效(xiao)率(lv)、高(gao)可靠性的需求。
通過優化二(er)極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟(ruan)的恢復特性(xing),大(da)幅減(jian)少(shao)諧波振蕩的發生,從(cong)而減(jian)少(shao)或(huo)者減(jian)小橋堆周邊EMI抑(yi)制器件的使用或者使用規格,例(li)如X電容,共(gong)模(mo)電感,差模(mo)電感等。