沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由4顆(ke)肖特基硅(gui)二極管橋式連(lian)接(jie),有四個引出腳。兩只(zhi)二極管負極的連接點是全橋直流(liu)輸出端的“正極(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)(de)連接(jie)點是全橋直(zhi)流輸出端的(de)(de)“負極(ji)(ji)”,外用絕緣朔料封裝(zhuang)而成。
LOW VF整流橋產品(pin)是由四只低壓降整流硅芯片(pian)作橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的(de)“正極”,兩(liang)只二極管(guan)正極的連(lian)接點是(shi)全橋直流輸出端的“負極”,外用(yong)絕(jue)緣塑封而(er)成。LOW VF即(ji)是正向(xiang)壓降極低的整流(liu)橋。
逆變橋(qiao)是(shi)由四顆快恢復二(er)極(ji)管(guan)(guan)整合一起,即將(jiang)四顆芯片封(feng)裝(zhuang)到一個(ge)支架上(shang)作橋(qiao)式連接,有四個(ge)引出腳。兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)(guan)負(fu)極(ji)的(de)連接點(dian)是(shi)直流(liu)輸出端的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)(guan)正極(ji)的(de)連接點(dian)是(shi)直流(liu)輸出端的(de)“負(fu)極(ji)”,另(ling)兩(liang)個(ge)引腳是(shi)交流(liu)輸入端,外(wai)用(yong)絕緣塑料封(feng)裝(zhuang)而成(cheng)。
一種(zhong)集(ji)成采樣功能的整流橋,即通過采集(ji)電(dian)路中的輸入電(dian)流,實現功率分配、電(dian)路保護(hu)。
開關橋是由四只高速開(kai)關二(er)極(ji)管作橋(qiao)式(shi)連接,有四(si)個引出(chu)腳。兩(liang)只二極管負(fu)極的連(lian)接點是全(quan)橋(qiao)直流輸出(chu)端的“正(zheng)極”,兩(liang)只二極管正(zheng)極的(de)連接(jie)點是全橋直流(liu)輸(shu)出(chu)端的(de)“負(fu)極”,外用(yong)絕緣塑封而(er)成。
沃爾德高壓肖特基二極(ji)管具(ju)有(you)較(jiao)低的VF值和極低(di)的反向漏電流(liu)Ir,體現出(chu)良好(hao)的低(di)溫升特(te)性。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到40A全覆(fu)蓋,能更好(hao)的滿足高壓輸出電源的(de)高效率、高可靠性(xing)的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特(te)基二極管采用先進的Trench工藝,具(ju)有較(jiao)低的VF值和(he)極低的高溫(wen)漏電流,能更好的滿足電源產品(pin)的高效率,高可(ke)靠(kao)性的需(xu)求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極管具有(you)極低的反向恢復時間Trr和極低的反向恢復電荷Qrr,并具有超快(kuai)的開關速度,應用于(yu)硬(ying)開關條件下(xia)的PFC電(dian)路和高(gao)壓(ya)高(gao)頻(pin)電(dian)源的次級整流電(dian)路。
沃爾德(de)SGT MOS 具有(you)極(ji)低的(de)(de)RDs(on) 、低的(de)(de)Qg和Ciss ,并具有(you)開關(guan)速度快等特點,能滿足產品溫(wen)升和效率的(de)(de)要(yao)求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強的EAS性能等特(te)點,能滿足產(chan)品高效和可靠(kao)的(de)要求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快(kuai)并具有強的(de)EAS性能(neng)和(he)抗(kang)短路性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高(gao)效和(he)可靠的要(yao)求。
沃爾德SJ(超結)MOS采(cai)用多層外延(yan)工藝,具(ju)有(you)低RDS(on)、結電容(rong)(rong)小、Qg 小,易驅動、開關(guan)速度快(kuai)的特點,使電源(yuan)更容(rong)(rong)易實現高效率,高可靠性(xing)。
沃爾德碳(tan)化硅二極管具(ju)極小(xiao)的(de)反向恢復時(shi)間、高浪涌電流、高效可靠的(de)特性,封裝(zhuang)主(zhu)要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化(hua)硅mos管具(ju)有低RDS(on)高開(kai)關(guan)速度(du),高效可(ke)靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管具有較(jiao)長的存儲時間和較小的Irr,同時(shi)具有較長的(de)平緩(huan)反向恢(hui)復特性(xing),能(neng)平緩(huan)恢(hui)復電流(liu),應用于電源(yuan)的(de)RCD吸收(shou)電路,從而使電源(yuan)產品達到更好的(de)EMI特性(xing),滿足電源(yuan)產品高(gao)效率、高(gao)可靠性(xing)的(de)需求(qiu)。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較(jiao)軟的恢復特性,大幅(fu)減少諧波振(zhen)蕩的發生,從而減少或者(zhe)減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用(yong)(yong)或者使用(yong)(yong)規格,例如X電(dian)容(rong),共模電(dian)感,差模電(dian)感等。