沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由4顆肖特基硅二極管橋式連(lian)接,有四個引出(chu)腳。兩只二極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連接點(dian)是全橋(qiao)直流輸出(chu)端的(de)“正極”,兩只二極管正極的(de)連接點是(shi)全(quan)橋直(zhi)流輸出端的(de)“負極”,外用絕緣(yuan)朔料封裝(zhuang)而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓降整流硅芯片作橋式連接,有(you)四(si)個引出(chu)腳(jiao)。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的連接點是全橋(qiao)直(zhi)流輸出(chu)端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連接點是(shi)全橋(qiao)直流輸出端的“負極”,外(wai)用(yong)絕緣塑封而(er)成。LOW VF即是正向壓降極低的整(zheng)流橋(qiao)。
逆變橋(qiao)是由四顆快(kuai)恢(hui)復二(er)(er)(er)極管整合(he)一(yi)起(qi),即將四顆芯(xin)片封(feng)裝到(dao)一(yi)個(ge)(ge)支架上作橋(qiao)式(shi)連接(jie),有(you)四個(ge)(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩只(zhi)二(er)(er)(er)極管負極的(de)連接(jie)點(dian)(dian)是直流輸(shu)(shu)出(chu)端的(de)“正極”,兩只(zhi)二(er)(er)(er)極管正極的(de)連接(jie)點(dian)(dian)是直流輸(shu)(shu)出(chu)端的(de)“負極”,另兩個(ge)(ge)引腳(jiao)是交流輸(shu)(shu)入端,外(wai)用絕緣塑料封(feng)裝而(er)成。
一種集(ji)成采(cai)樣(yang)功能的(de)整流(liu)橋,即(ji)通(tong)過采(cai)集(ji)電路(lu)中(zhong)的(de)輸入電流(liu),實現功率分配、電路(lu)保(bao)護(hu)。
開關橋是由四只高速開關二極管作(zuo)橋式連接,有四(si)個引(yin)出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只(zhi)二(er)極管負極的連(lian)接(jie)點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是(shi)全橋(qiao)直(zhi)流輸(shu)出端的“負極(ji)”,外用(yong)絕緣塑(su)封而成。
沃爾德高(gao)壓(ya)肖特基二極(ji)管具有較低的VF值和極低(di)的(de)反(fan)向(xiang)漏電流(liu)Ir,體現(xian)出良好(hao)的(de)低(di)溫(wen)升(sheng)特性(xing)。VRRM高達(da)350V,電流(liu)從(cong)5A到40A全覆蓋,能更好(hao)的(de)滿足(zu)高壓輸出電(dian)源的(de)高效率、高可靠性的(de)需求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖特(te)基二極管采用先進的(de)Trench工藝(yi),具(ju)有(you)較低(di)的(de)VF值(zhi)和極低(di)的(de)高溫漏電流,能(neng)更(geng)好(hao)的滿(man)足電(dian)源產品的(de)高(gao)效(xiao)率,高(gao)可靠(kao)性的(de)需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復(fu)二極管具有極低的(de)反向(xiang)恢復(fu)時間Trr和極(ji)低的反向恢復電(dian)荷(he)Qrr,并具有超(chao)快的開關速度,應用于(yu)硬(ying)開關條(tiao)件下的PFC電路和高(gao)壓高(gao)頻電源的次級整流電路。
抗靜電(dian)器件(jian),ESD。針對(dui)主(zhu)流競(jing)品,我司(si)均有(you)可(ke)替代產品,ESD類(lei)我司(si)接受定制物料(liao)。
沃爾(er)德SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并具有開關(guan)速度快等特點,能滿(man)足產品溫(wen)升和(he)效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的(de)EAS性能等特點,能滿足(zu)產品高效和可靠的要求。
沃爾德(de)Trench MOS 具有(you)較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度(du)快并具有強(qiang)的EAS性能(neng)和抗(kang)短路性能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾德SJ(超結(jie))MOS采(cai)用多(duo)層外(wai)延(yan)工(gong)藝,具(ju)有低(di)RDS(on)、結(jie)電容小、Qg 小,易驅動、開關(guan)速(su)度快的特(te)點,使(shi)電源(yuan)更容易實現(xian)高效(xiao)率,高可(ke)靠性。
沃爾德吸(xi)收二極(ji)管具有較(jiao)長的(de)存儲時間和較小的(de)Irr,同時具(ju)有較長的(de)平緩反向恢復特性,能平緩恢復電(dian)流,應用于電(dian)源的(de)RCD吸(xi)收電(dian)路,從而使電(dian)源產(chan)品達到更(geng)好的(de)EMI特性,滿(man)足電(dian)源產(chan)品高(gao)(gao)效(xiao)率(lv)、高(gao)(gao)可靠性的(de)需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通(tong)時間(jian)/關斷時間)較(jiao)軟的恢復特性,大幅減少諧波振蕩的發(fa)生,從而減少或者(zhe)減小橋堆周邊(bian)EMI抑制器件的使用或者(zhe)使用規格(ge),例如X電容(rong),共模電感(gan),差(cha)模電感(gan)等。