沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品(pin)是(shi)由4顆肖特(te)基硅二極管橋式連接(jie),有四個引(yin)出(chu)腳。兩(liang)只(zhi)二極管負極的連接點是(shi)全(quan)橋直流輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“負(fu)極(ji)(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由(you)四(si)只低(di)壓降(jiang)整流硅芯片作橋(qiao)式連接,有四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極管負極的連接點(dian)是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)連(lian)接(jie)點(dian)是全橋(qiao)直流輸(shu)出端的(de)“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極(ji)低的(de)整流(liu)橋。
逆變橋是(shi)由四顆(ke)快(kuai)恢復二(er)極管整(zheng)合(he)一(yi)起,即將(jiang)四顆(ke)芯片封(feng)裝到一(yi)個支架上(shang)作橋式連接,有四個引出腳。兩只(zhi)(zhi)二(er)極管負極的(de)連接點是(shi)直流(liu)(liu)輸(shu)出端(duan)的(de)“正極”,兩只(zhi)(zhi)二(er)極管正極的(de)連接點是(shi)直流(liu)(liu)輸(shu)出端(duan)的(de)“負極”,另兩個引腳是(shi)交(jiao)流(liu)(liu)輸(shu)入端(duan),外用絕緣塑料封(feng)裝而成。
一種(zhong)集(ji)成采樣功能的整流(liu)橋,即通過(guo)采集(ji)電(dian)路中的輸(shu)入電(dian)流(liu),實現功率分配、電(dian)路保護。
開關橋是(shi)由四只(zhi)高速(su)開關二極管作(zuo)橋式連接(jie),有四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)連(lian)接點是全橋直流輸出(chu)端的(de)“正極”,兩只二極管正極的連(lian)接(jie)點是全(quan)橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而(er)成(cheng)。
沃爾德高壓肖特基二極(ji)管(guan)具(ju)有較低的VF值和極低的(de)(de)反向漏電流Ir,體現出良好的(de)(de)低溫升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋(gai),能更好的(de)(de)滿足高壓輸(shu)出(chu)電源的(de)高效(xiao)率(lv)、高可靠性的(de)需求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管采用先(xian)進的Trench工藝,具有較低(di)的VF值和極(ji)低(di)的高溫漏電流,能更(geng)好(hao)的滿足(zu)電源產品的(de)高(gao)效率,高(gao)可靠(kao)性(xing)的(de)需求(qiu)。
沃爾德LOW Trr超快恢復二(er)極管具有(you)極低的反向恢復時(shi)間Trr和(he)極(ji)低的反向恢復電荷Qrr,并具有超快的開關速度(du),應(ying)用于硬開關條件下的PFC電(dian)(dian)路(lu)和高壓高頻電(dian)(dian)源的次級整流電(dian)(dian)路(lu)。
沃爾(er)德SGT MOS 具(ju)有(you)極低(di)的(de)(de)RDs(on) 、低(di)的(de)(de)Qg和Ciss ,并具(ju)有(you)開關速度快等(deng)特點,能(neng)滿足產品(pin)溫(wen)升和效率(lv)的(de)(de)要求。
沃爾(er)德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性(xing)能等特點(dian),能滿(man)足(zu)產品高效(xiao)和可(ke)靠的(de)要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度(du)快并(bing)具有強的(de)EAS性能和(he)抗短路性能等特點,能滿(man)足產(chan)品高效和(he)可(ke)靠(kao)的要求。
沃(wo)爾(er)德SJ(超結)MOS采用多(duo)層外延工藝,具有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易驅(qu)動、開關(guan)速度快的特(te)點,使電源(yuan)更容易實現高效率,高可靠(kao)性。
沃爾(er)德碳化硅二(er)極(ji)管具極(ji)小的(de)(de)反向恢復時間、高(gao)浪涌電流、高(gao)效可靠的(de)(de)特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳化硅mos管具有低(di)RDS(on)高(gao)(gao)開關(guan)速(su)度,高(gao)(gao)效可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管(guan)具有較長的存儲時(shi)間和較小的Irr,同時具有較長的平(ping)緩反向(xiang)恢復特(te)性(xing),能平(ping)緩恢復電(dian)流,應用于電(dian)源(yuan)的RCD吸(xi)收電(dian)路,從而使(shi)電(dian)源(yuan)產品達到(dao)更好的EMI特(te)性(xing),滿(man)足(zu)電(dian)源(yuan)產品高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠(kao)性(xing)的需(xu)求(qiu)。
通過(guo)優化(hua)二極(ji)管Ta/Tb(開(kai)通時(shi)間(jian)/關斷時(shi)間)較軟的恢復特性,大幅減少諧波振蕩的發(fa)生,從而減少或者(zhe)減小橋堆(dui)周邊EMI抑(yi)制器件的使用或(huo)者使用規格(ge),例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。