沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整(zheng)流(liu)橋產品是由(you)4顆肖(xiao)特(te)基(ji)硅二極管橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)(ji)的連接點是全(quan)橋直流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流(liu)橋產(chan)品是由(you)四只(zhi)低壓降(jiang)整流硅(gui)芯片作橋(qiao)式(shi)連接(jie),有四(si)個(ge)引出腳。兩只二極管(guan)負極的連接(jie)點(dian)是全(quan)橋(qiao)直流(liu)輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點是(shi)全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣塑封而成。LOW VF即是(shi)正向(xiang)壓降極(ji)低(di)的整流橋。
逆變橋(qiao)是由四(si)顆快恢(hui)復二極(ji)管(guan)整合一起(qi),即將四(si)顆芯片封(feng)裝(zhuang)到一個(ge)支架上作橋(qiao)式(shi)連(lian)接,有四(si)個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)只(zhi)二極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)(de)連(lian)接點是直流輸出(chu)端(duan)的(de)(de)“正極(ji)”,兩(liang)只(zhi)二極(ji)管(guan)正極(ji)的(de)(de)連(lian)接點是直流輸出(chu)端(duan)的(de)(de)“負極(ji)”,另兩(liang)個(ge)引腳是交流輸入端(duan),外用絕(jue)緣塑料封(feng)裝(zhuang)而成。
一種集(ji)成采樣功(gong)能的整(zheng)流橋,即通(tong)過采集(ji)電(dian)路(lu)中的輸入電(dian)流,實(shi)現(xian)功(gong)率分配、電(dian)路(lu)保護。
開關(guan)橋(qiao)是由四只高速開(kai)關(guan)二(er)極管作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管(guan)負(fu)極的連接點是全橋直(zhi)流輸(shu)出端的“正極”,兩只二極管(guan)正極的連接點(dian)是(shi)全(quan)橋直流輸出端的“負(fu)極”,外用絕緣塑封(feng)而成。
沃爾德高壓(ya)肖(xiao)特(te)基二(er)極管具(ju)有較低的VF值(zhi)和極低的(de)反向漏電流Ir,體現(xian)出良好的(de)低溫升特性(xing)。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆(fu)蓋,能(neng)更好的(de)滿足高壓(ya)輸出電源(yuan)的(de)高效率、高可靠性的(de)需求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)(ji)管采用先進的Trench工(gong)藝,具有較低(di)的VF值和極(ji)(ji)低(di)的高(gao)溫(wen)漏(lou)電流,能更好的滿足電源產品的(de)高效率,高可靠(kao)性的(de)需(xu)求。
沃爾(er)德(de)LOW Trr超快恢復二極管具有(you)極低(di)的反向恢復時間Trr和極低的反向恢復(fu)電荷Qrr,并(bing)具有超快的開關(guan)速度,應用于硬(ying)開關(guan)條件下的PFC電路(lu)和高壓高頻電源的次(ci)級整流電路(lu)。
沃爾(er)德SGT MOS 具(ju)有(you)(you)極(ji)低的(de)(de)RDs(on) 、低的(de)(de)Qg和Ciss ,并具(ju)有(you)(you)開關速度(du)快等(deng)特(te)點,能滿足產品溫升和效率的(de)(de)要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有(you)強的EAS性能(neng)等特點(dian),能(neng)滿足產品高效(xiao)和可靠(kao)的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度(du)快并具(ju)有強的(de)EAS性能和(he)抗短路(lu)性能等特點,能滿足(zu)產品高效和(he)可靠的要求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用(yong)多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電容(rong)小、Qg 小,易(yi)驅動、開關速(su)度快的特(te)點,使電源更容(rong)易(yi)實現高效率,高可靠性。
沃爾(er)德碳化硅二(er)極管具極小的(de)(de)反向恢復(fu)時間(jian)、高浪涌電流(liu)、高效可靠的(de)(de)特性(xing),封裝(zhuang)主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳化硅mos管具(ju)有低RDS(on)高(gao)(gao)開(kai)關速度(du),高(gao)(gao)效(xiao)可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管(guan)具有較(jiao)長的(de)存儲時(shi)間和較小(xiao)的(de)Irr,同時具有(you)較長的(de)平(ping)緩(huan)反向(xiang)恢(hui)復(fu)特性(xing),能平(ping)緩(huan)恢(hui)復(fu)電流,應用于電源(yuan)(yuan)的(de)RCD吸收電路,從而(er)使電源(yuan)(yuan)產品達到更好(hao)的(de)EMI特性(xing),滿足(zu)電源(yuan)(yuan)產品高效率(lv)、高可靠性(xing)的(de)需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的(de)恢(hui)復特性,大(da)幅(fu)減(jian)少諧波振蕩(dang)的(de)發生,從而減(jian)少或(huo)者減(jian)小橋(qiao)堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規(gui)格(ge),例如X電容,共模電感,差模電感等。