沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品(pin)是由4顆(ke)肖特基(ji)硅二(er)極(ji)管橋式連(lian)接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出(chu)端(duan)的(de)“正極”,兩只二(er)極管正極的(de)連接點是全(quan)橋直流(liu)輸出端的(de)“負極”,外用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產(chan)品是由四只(zhi)低壓降(jiang)整(zheng)流(liu)硅芯片作橋式連接,有四個引(yin)出腳(jiao)。兩(liang)只二極(ji)管負極(ji)的連接(jie)點是全橋直(zhi)流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的連接(jie)點是全橋直流輸出端的“負(fu)極(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低(di)的(de)整流橋。
逆變(bian)橋是(shi)由四顆快恢復二(er)極(ji)(ji)管整合一起(qi),即將四顆芯片封裝到一個支架上作橋式連(lian)接,有四個引(yin)出腳。兩只二(er)極(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)的連(lian)接點是(shi)直(zhi)流(liu)輸(shu)(shu)出端(duan)(duan)的“正極(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連(lian)接點是(shi)直(zhi)流(liu)輸(shu)(shu)出端(duan)(duan)的“負(fu)極(ji)(ji)”,另兩個引(yin)腳是(shi)交(jiao)流(liu)輸(shu)(shu)入端(duan)(duan),外用(yong)絕緣塑料封裝而成。
一種集成采(cai)樣功(gong)能的整(zheng)流(liu)橋,即通過采(cai)集電路中(zhong)的輸(shu)入電流(liu),實(shi)現功(gong)率分配、電路保(bao)護。
開(kai)關橋是由四(si)只高速開關二(er)極(ji)管作橋(qiao)式連接,有四個引出腳(jiao)。兩(liang)只二極管負極的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只(zhi)二(er)極(ji)管正極(ji)的(de)(de)連(lian)接(jie)點是全橋直流輸出端的(de)(de)“負(fu)極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃(wo)爾德(de)高壓(ya)肖特基二(er)極(ji)管具有較低(di)的VF值和(he)極(ji)低(di)的反向漏電流(liu)Ir,體現(xian)出良好的低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電流(liu)從(cong)5A到(dao)40A全覆蓋,能更(geng)好的滿足高(gao)壓輸(shu)出電源的(de)高(gao)效(xiao)率、高(gao)可靠性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管采(cai)用先進(jin)的Trench工藝,具有(you)較(jiao)低(di)的VF值和極(ji)低(di)的高(gao)溫漏電流,能更好的(de)滿足電(dian)源(yuan)產品的高效率,高可靠性(xing)的需求。
沃(wo)爾德LOW Trr超快恢(hui)復二極(ji)管具有極(ji)低的反向恢(hui)復時間Trr和極低的反向(xiang)恢(hui)復電荷Qrr,并(bing)具有(you)超快(kuai)的開關速度,應用于硬開關條件(jian)下的PFC電路和高(gao)壓高(gao)頻電源的次級(ji)整流(liu)電路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)(ju)有極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并具(ju)(ju)有開關速(su)度快等特(te)點(dian),能滿足產(chan)品(pin)溫升和(he)效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強(qiang)的EAS性能等特點,能滿足產品高(gao)效和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度(du)快(kuai)并具有(you)強的EAS性能和抗短路性能等特點,能滿足產品(pin)高效和可靠的要求。
沃(wo)爾(er)德(de)SJ(超結)MOS采用多層(ceng)外延工藝,具有低RDS(on)、結(jie)電容小、Qg 小,易驅動(dong)、開關速度快的特點,使(shi)電源更容易實現高(gao)效(xiao)率,高(gao)可靠性(xing)。
沃(wo)爾德(de)吸收二極(ji)管具(ju)有較長的(de)存儲時(shi)間和較小的(de)Irr,同時具有(you)較長的平緩(huan)反(fan)向恢復特(te)(te)性,能平緩(huan)恢復電(dian)流(liu),應用于(yu)電(dian)源(yuan)(yuan)的RCD吸(xi)收電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)(yuan)產品達到更好的EMI特(te)(te)性,滿足電(dian)源(yuan)(yuan)產品高效(xiao)率(lv)、高可靠性的需(xu)求。
通過優化二極(ji)管Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷(duan)時間)較軟的恢復特性,大幅減少諧波(bo)振(zhen)蕩(dang)的發生,從而減少或(huo)者減小(xiao)橋堆(dui)周(zhou)邊EMI抑(yi)制器件的使用(yong)或者使用(yong)規格,例如X電(dian)容,共(gong)模電(dian)感(gan),差模電(dian)感(gan)等。