沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流(liu)橋產品是由4顆肖特基硅二極管(guan)橋式連(lian)接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩只(zhi)二極管正(zheng)極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣(yuan)朔料封裝而成。
LOW VF整流(liu)橋產品是由四只(zhi)低(di)壓降整流硅(gui)芯片(pian)作橋式連(lian)接,有(you)四(si)個引出腳。兩(liang)只二(er)極管負極的(de)連接點(dian)是全(quan)橋直流(liu)輸出端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“負極(ji)”,外(wai)用(yong)絕緣塑封而成。LOW VF即是正向(xiang)壓降極低的(de)整流橋。
逆(ni)變(bian)橋是(shi)由四顆快(kuai)恢復二(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)整(zheng)合(he)一(yi)起,即(ji)將(jiang)四顆芯片(pian)封(feng)裝到一(yi)個支架上作橋式(shi)連接(jie),有(you)四個引(yin)出腳。兩(liang)只(zhi)二(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)負極(ji)(ji)的連接(jie)點是(shi)直流(liu)輸出端的“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩(liang)只(zhi)二(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)正(zheng)極(ji)(ji)的連接(jie)點是(shi)直流(liu)輸出端的“負極(ji)(ji)”,另兩(liang)個引(yin)腳是(shi)交流(liu)輸入端,外(wai)用絕緣塑(su)料封(feng)裝而成。
一種集成采(cai)樣功能的整流橋,即通過(guo)采(cai)集電路(lu)中的輸入電流,實現功率(lv)分(fen)配、電路(lu)保護。
開關橋是由四只高速開關二極(ji)管(guan)作(zuo)橋(qiao)式連接(jie),有四個(ge)引(yin)出腳。兩只(zhi)二極管負(fu)極的(de)(de)連接點是全(quan)橋直流輸(shu)出端的(de)(de)“正(zheng)極”,兩只(zhi)二極管(guan)正(zheng)極的連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸(shu)出端的“負(fu)極”,外(wai)用絕緣塑封(feng)而(er)成。
沃爾(er)德高壓肖特(te)基二極管(guan)具有較(jiao)低(di)的VF值(zhi)和極低(di)的(de)反向漏電流Ir,體現出良好的(de)低(di)溫(wen)升(sheng)特(te)性。VRRM高(gao)達350V,電流從5A到40A全覆蓋(gai),能(neng)更好的(de)滿足高(gao)壓輸出電源的高(gao)效率(lv)、高(gao)可(ke)靠性的需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特基(ji)二極管采(cai)用先(xian)進的(de)Trench工(gong)藝,具有較低的(de)VF值和極低的(de)高(gao)溫漏電流(liu),能更好的滿足(zu)電源產品(pin)的高效率(lv),高可靠(kao)性(xing)的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復(fu)二極管具有極低(di)的反向(xiang)恢復(fu)時(shi)間Trr和極低的反向(xiang)恢復電荷Qrr,并具有超快的(de)開(kai)關(guan)(guan)速(su)度,應用于硬開(kai)關(guan)(guan)條件下的(de)PFC電路和高壓高頻電源的次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并(bing)具有(you)開關速(su)度快等特點,能滿足產品溫升和(he)效率的要求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具(ju)有低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的EAS性能等特(te)點,能滿足產品高效和可(ke)靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度快并具(ju)有強(qiang)的(de)EAS性(xing)(xing)能和抗短路性(xing)(xing)能等特點,能滿足產品高效和可(ke)靠的要求。
沃爾德(de)SJ(超結(jie))MOS采用(yong)多層外延工(gong)藝(yi),具有(you)低RDS(on)、結電(dian)容(rong)小、Qg 小,易(yi)驅動、開關(guan)速度快的特(te)點,使電(dian)源(yuan)更容(rong)易(yi)實現高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾德碳化硅二(er)極(ji)(ji)管具極(ji)(ji)小(xiao)的反(fan)向恢復時間、高浪涌電流(liu)、高效可(ke)靠的特性,封(feng)裝主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅(gui)mos管具有低(di)RDS(on)高開關速度,高效可靠,封裝(zhuang)TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管具有(you)較長(chang)的存儲(chu)時間和(he)較(jiao)小的Irr,同時(shi)具有較長的平緩(huan)反向恢(hui)復特性,能平緩(huan)恢(hui)復電(dian)(dian)流,應用于電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)的RCD吸收電(dian)(dian)路,從而使電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)產品達到更好的EMI特性,滿足電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)產品高效率、高可靠性的需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間)較軟(ruan)的(de)恢復(fu)特性(xing),大幅(fu)減少諧波振蕩(dang)的(de)發(fa)生,從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的(de)使(shi)用(yong)或(huo)者使(shi)用(yong)規格,例(li)如X電容(rong),共模電感,差模電感等。