沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋(qiao)產品是由4顆肖特(te)基硅二極管橋式連接(jie),有四(si)個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋(qiao)直(zhi)流輸出端的“正極”,兩(liang)只(zhi)二極管正極的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“負極”,外用(yong)絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產(chan)品是(shi)由四只(zhi)低壓(ya)降整流硅(gui)芯片作(zuo)橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管(guan)負極的(de)連接點是全橋直(zhi)流輸(shu)出端的(de)“正(zheng)極”,兩只二(er)極管正(zheng)極的(de)連接點是全橋(qiao)直流輸出端(duan)的(de)“負極”,外用(yong)絕緣(yuan)塑封而成。LOW VF即(ji)是正向壓降極低(di)的整流橋(qiao)。
逆變橋是由四顆快(kuai)恢復二(er)(er)極(ji)(ji)管整合(he)一起,即將四顆芯片封裝(zhuang)到一個支架(jia)上作橋式(shi)連(lian)接(jie),有四個引出(chu)(chu)(chu)腳。兩(liang)(liang)只二(er)(er)極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的(de)(de)連(lian)接(jie)點(dian)(dian)是直流輸出(chu)(chu)(chu)端的(de)(de)“正極(ji)(ji)”,兩(liang)(liang)只二(er)(er)極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)(de)連(lian)接(jie)點(dian)(dian)是直流輸出(chu)(chu)(chu)端的(de)(de)“負極(ji)(ji)”,另兩(liang)(liang)個引腳是交流輸入端,外用(yong)絕緣塑料封裝(zhuang)而(er)成。
一(yi)種集(ji)(ji)成采(cai)(cai)樣功能的整流(liu)橋(qiao),即(ji)通過采(cai)(cai)集(ji)(ji)電路(lu)中(zhong)的輸入電流(liu),實現(xian)功率分配、電路(lu)保護。
開(kai)關橋是由四只高(gao)速開關二極(ji)管作橋式連(lian)接,有四個引出腳。兩(liang)只(zhi)二(er)極管負極的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接(jie)點是全橋直流輸出(chu)端(duan)的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德高壓肖特基(ji)二(er)極管具有較低的VF值和(he)極低的反向漏(lou)電(dian)流(liu)(liu)Ir,體(ti)現出良好(hao)的低溫升特性。VRRM高達(da)350V,電(dian)流(liu)(liu)從5A到40A全覆蓋(gai),能更好(hao)的滿足(zu)高(gao)壓(ya)輸出(chu)電源的高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性的需(xu)求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管采(cai)用(yong)先進(jin)的(de)Trench工藝,具有較(jiao)低的(de)VF值和極低的(de)高(gao)溫漏電流,能更(geng)好(hao)的滿(man)足電(dian)源產品的高(gao)效率,高(gao)可靠性的需求。
沃爾(er)德LOW Trr超快恢復二極管具有極低的反向(xiang)恢復時間(jian)Trr和極低的反向恢(hui)復(fu)電荷Qrr,并具有(you)超快的開關速(su)度,應用于(yu)硬(ying)開關條件下的PFC電路和高壓(ya)高頻(pin)電源的次級(ji)整流電路。
沃爾德(de)SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具有開關(guan)速度(du)快等特點,能滿足產(chan)品溫(wen)升和效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低(di)的(de)RDs(on)和Ciss 并具(ju)有(you)強的EAS性能等特點,能滿(man)足產品高效和可靠的(de)要(yao)求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度(du)快并具有(you)強的EAS性(xing)能和抗(kang)短路性(xing)能等特點,能滿(man)足產(chan)品高效和可靠(kao)的(de)要求(qiu)。
沃爾德SJ(超結)MOS采(cai)用(yong)多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)容小、Qg 小,易驅動、開(kai)關速度(du)快(kuai)的特點,使電(dian)源(yuan)更(geng)容易實(shi)現高(gao)效(xiao)率,高(gao)可靠(kao)性。
沃爾(er)德碳(tan)化硅(gui)二極(ji)管具極(ji)小的反向恢復時(shi)間、高浪涌電(dian)流、高效(xiao)可(ke)靠(kao)的特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃爾德碳(tan)化硅mos管具有(you)低RDS(on)高(gao)開關速度,高(gao)效可靠(kao),封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸(xi)收二(er)極管具有較長的(de)(de)存儲時(shi)間(jian)和較小的(de)(de)Irr,同時具有較長的平(ping)(ping)緩反向恢復特(te)性,能平(ping)(ping)緩恢復電流,應(ying)用于電源(yuan)的RCD吸收(shou)電路,從而使電源(yuan)產(chan)品達到更好的EMI特(te)性,滿足(zu)電源(yuan)產(chan)品高效率、高可靠性的需(xu)求。
通(tong)過優化二極管Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間)較軟的(de)恢(hui)復特性,大幅減(jian)少諧波振(zhen)蕩的(de)發(fa)生,從(cong)而減(jian)少或(huo)者減(jian)小橋堆周(zhou)邊EMI抑制器件的使用(yong)或者使用(yong)規格,例(li)如X電容,共模電感(gan),差模電感(gan)等。