沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋(qiao)產品是由(you)4顆肖特(te)基(ji)硅二極管橋式連接,有四個(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩只二極管負極的連(lian)接點是全橋直流(liu)輸出(chu)端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)連接(jie)點(dian)是全橋直流輸出端(duan)的(de)“負極(ji)”,外(wai)用絕緣(yuan)朔料封裝(zhuang)而成。
LOW VF整流橋(qiao)產品是由四只低壓(ya)降(jiang)整流硅芯(xin)片作橋(qiao)式連接,有四個引出腳。兩只二(er)極(ji)管負極(ji)的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連接點是(shi)全橋直(zhi)流輸(shu)出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓(ya)降極低的整流橋。
逆變橋是(shi)(shi)由(you)四顆(ke)快恢復二(er)極(ji)(ji)管(guan)整(zheng)合一(yi)起,即將四顆(ke)芯(xin)片封(feng)裝(zhuang)到一(yi)個(ge)(ge)支架(jia)上作橋式連接,有四個(ge)(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩(liang)(liang)只二(er)極(ji)(ji)管(guan)負(fu)(fu)極(ji)(ji)的(de)連接點(dian)是(shi)(shi)直流(liu)輸(shu)出(chu)端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩(liang)(liang)只二(er)極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的(de)連接點(dian)是(shi)(shi)直流(liu)輸(shu)出(chu)端的(de)“負(fu)(fu)極(ji)(ji)”,另兩(liang)(liang)個(ge)(ge)引腳(jiao)是(shi)(shi)交(jiao)流(liu)輸(shu)入端,外用(yong)絕緣(yuan)塑料封(feng)裝(zhuang)而(er)成。
一種集成采(cai)樣功能的整流(liu)橋,即通過采(cai)集電路(lu)中的輸(shu)入電流(liu),實現功率分配、電路(lu)保護。
開(kai)關橋是(shi)由(you)四(si)只高(gao)速開關二極(ji)管作橋式(shi)連(lian)接,有四(si)個引出腳(jiao)。兩只(zhi)二極管負極的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“正極”,兩只二(er)極管正極的連(lian)接點(dian)是全橋(qiao)直(zhi)流輸(shu)出端的“負極”,外(wai)用絕(jue)緣(yuan)塑封而成。
沃(wo)爾德高壓肖特基二極管具有(you)較低(di)的VF值(zhi)和極低的(de)反向漏電(dian)流(liu)Ir,體現(xian)出良好的(de)低溫升特(te)性。VRRM高(gao)達(da)350V,電(dian)流(liu)從5A到(dao)40A全覆蓋,能更好的(de)滿足高(gao)(gao)壓輸出電源的(de)(de)高(gao)(gao)效率(lv)、高(gao)(gao)可靠性(xing)的(de)(de)需(xu)求(qiu)。
沃爾(er)德 LOW VF肖特基二極管(guan)采用先進的Trench工藝,具有較低的VF值(zhi)和(he)極低的高溫漏(lou)電流,能更好的滿足電源產品的高效率,高可(ke)靠性的需求。
沃爾(er)德LOW Trr超快恢復(fu)二極管(guan)具有極低的(de)反向恢復(fu)時間Trr和(he)極(ji)低(di)的反向(xiang)恢復電荷(he)Qrr,并具(ju)有(you)超快的開(kai)關(guan)速度,應用于(yu)硬(ying)開(kai)關(guan)條件下的PFC電路(lu)和高壓高頻(pin)電源的次級整流電路(lu)。
沃(wo)爾德SGT MOS 具有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具有開關速度快等特點,能滿足(zu)產品溫升(sheng)和效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能(neng)等(deng)特(te)點,能(neng)滿足(zu)產品高效和(he)可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速度快并具有(you)強的(de)EAS性(xing)能和(he)抗短(duan)路性(xing)能等特點,能滿足產(chan)品高(gao)效和(he)可靠的要求。
沃爾(er)德(de)SJ(超結)MOS采用多(duo)層外(wai)延工藝,具有低RDS(on)、結電容(rong)(rong)小、Qg 小,易驅動(dong)、開關速度快的特(te)點,使電源更容(rong)(rong)易實現(xian)高(gao)(gao)效率,高(gao)(gao)可靠性。
沃爾德碳化(hua)硅二(er)極管具極小(xiao)的反向恢(hui)復時間(jian)、高浪涌電流、高效可(ke)靠的特性,封裝主(zhu)要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃爾德(de)碳化硅mos管(guan)具(ju)有低RDS(on)高開關速(su)度,高效可靠,封裝(zhuang)TOLL、TO-247等
沃爾德(de)吸收(shou)二極管具有較長的存儲(chu)時間和較小的Irr,同時具有較長的(de)平緩反向恢(hui)復特性,能(neng)平緩恢(hui)復電(dian)流,應用(yong)于電(dian)源(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)路,從而(er)使電(dian)源(yuan)產品達(da)到更好的(de)EMI特性,滿足電(dian)源(yuan)產品高效率、高可靠性的(de)需求。
通過(guo)優化二極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷時間(jian))較軟(ruan)的(de)恢復特性,大(da)幅(fu)減少(shao)諧波(bo)振蕩的(de)發生,從而減少(shao)或(huo)者減小(xiao)橋(qiao)堆周(zhou)邊EMI抑制器件的使用(yong)(yong)或者使用(yong)(yong)規格,例如X電(dian)容(rong),共模(mo)(mo)電(dian)感,差模(mo)(mo)電(dian)感等。