沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整(zheng)流(liu)橋(qiao)產(chan)品(pin)是由(you)4顆肖(xiao)特基硅二(er)極管橋式連接,有(you)四(si)個引出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只二極管負極的連接點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的“正(zheng)極”,兩只(zhi)二極管正(zheng)極的連接點(dian)是全(quan)橋直流輸出端的“負(fu)極”,外(wai)用絕緣朔料封裝(zhuang)而(er)成(cheng)。
LOW VF整流(liu)橋產品是由四只(zhi)低壓降整(zheng)流硅芯片作橋式連(lian)接,有四(si)個(ge)引出腳。兩只二極管(guan)負極的連接點(dian)是(shi)全(quan)橋(qiao)直流(liu)輸出端的“正(zheng)(zheng)極”,兩只二(er)極管正(zheng)(zheng)極的連接點是全橋(qiao)直流輸出端(duan)的“負極”,外用絕緣塑封而成(cheng)。LOW VF即(ji)是(shi)正(zheng)向(xiang)壓降極(ji)低的整流橋。
逆變橋是(shi)由四顆快恢復二極(ji)(ji)(ji)管整(zheng)合一起,即將四顆芯片(pian)封裝(zhuang)(zhuang)到(dao)一個支架上作橋式連接,有四個引出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只二極(ji)(ji)(ji)管負極(ji)(ji)(ji)的(de)連接點是(shi)直(zhi)流輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)“正極(ji)(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)(ji)管正極(ji)(ji)(ji)的(de)連接點是(shi)直(zhi)流輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)“負極(ji)(ji)(ji)”,另(ling)兩(liang)個引腳(jiao)是(shi)交(jiao)流輸(shu)入端(duan),外用絕(jue)緣塑(su)料封裝(zhuang)(zhuang)而成。
一種(zhong)集(ji)成采樣(yang)功能的(de)整流橋,即通過采集(ji)電路中(zhong)的(de)輸入電流,實現功率分配、電路保(bao)護。
開(kai)關橋是由四只高(gao)速開(kai)關(guan)二(er)極管(guan)作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管(guan)負(fu)極的連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是(shi)全橋(qiao)直(zhi)流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德高壓肖特(te)基二極管具有較低(di)的VF值和極低的反向漏(lou)電(dian)流Ir,體現出良好(hao)的低溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電(dian)流從(cong)5A到40A全覆(fu)蓋,能更好(hao)的滿足高(gao)(gao)壓輸出電源的高(gao)(gao)效率、高(gao)(gao)可靠(kao)性(xing)的需求。
沃(wo)爾(er)德 LOW VF肖特基二極(ji)(ji)管采用先進的(de)Trench工藝,具有較低的(de)VF值和極(ji)(ji)低的(de)高(gao)溫漏電流,能更好的滿足電源產品(pin)的(de)高效率,高可(ke)靠性的(de)需求(qiu)。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極管(guan)具(ju)有(you)極低的(de)反向恢復時間Trr和極低(di)的反向恢復電荷Qrr,并具有超快的開關(guan)(guan)速度(du),應用(yong)于(yu)硬開關(guan)(guan)條(tiao)件下的PFC電路(lu)和高壓高頻(pin)電源的(de)次級整(zheng)流電路(lu)。
沃(wo)爾德SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并(bing)具有開(kai)關速度快(kuai)等特(te)點,能(neng)滿足產品溫(wen)升(sheng)和效率(lv)的要求(qiu)。
沃爾(er)德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的EAS性能等特點,能滿足產品高效和可靠的要(yao)求(qiu)。
沃(wo)爾德Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強(qiang)的EAS性能(neng)(neng)和抗短路性能(neng)(neng)等特點(dian),能(neng)(neng)滿(man)足產品高效和可(ke)靠的要求。
沃(wo)爾德SJ(超(chao)結(jie))MOS采用多層外延工藝,具有低(di)RDS(on)、結電容小、Qg 小,易(yi)驅動(dong)、開關速度快的特點,使電源更(geng)容易(yi)實現高(gao)效率,高(gao)可(ke)靠性。
沃爾德吸收二極管(guan)具有較長的存儲時間和較小(xiao)的Irr,同時具(ju)有較(jiao)長的(de)(de)(de)平緩(huan)反向恢復特性,能平緩(huan)恢復電(dian)流,應用(yong)于電(dian)源(yuan)的(de)(de)(de)RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)產品(pin)(pin)達到更好的(de)(de)(de)EMI特性,滿足(zu)電(dian)源(yuan)產品(pin)(pin)高效率、高可靠性的(de)(de)(de)需求。
通過優(you)化二(er)極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關(guan)斷時(shi)間)較軟的(de)恢復特性,大幅減少(shao)諧波振蕩的(de)發生,從而減少(shao)或者減小橋(qiao)堆周邊EMI抑制器件(jian)的使用或(huo)者使用規格,例如(ru)X電(dian)(dian)容(rong),共模電(dian)(dian)感(gan)(gan),差模電(dian)(dian)感(gan)(gan)等。