沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由4顆肖特(te)基硅二(er)極管橋(qiao)式連接,有四個引出腳。兩(liang)只二極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“正(zheng)極”,兩只二(er)極管正(zheng)極的連接點是(shi)全(quan)橋直流(liu)輸出端的“負極”,外用(yong)絕緣(yuan)朔(shuo)料封裝而成(cheng)。
LOW VF整流橋產品是由四(si)只低壓降整(zheng)流硅芯片(pian)作(zuo)橋式(shi)連接,有(you)四個引出腳。兩(liang)只二極管(guan)負極的連接點是全橋直流輸出端(duan)的“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)連接(jie)點(dian)是全(quan)橋直流輸出端的(de)“負極(ji)”,外(wai)用絕(jue)緣(yuan)塑封而成。LOW VF即(ji)是(shi)正(zheng)向壓降極低(di)的整流橋。
逆變橋是(shi)由四(si)顆(ke)快(kuai)恢復二(er)(er)極(ji)管(guan)整合一(yi)起,即將四(si)顆(ke)芯片封裝到一(yi)個支架(jia)上作橋式連(lian)接(jie),有四(si)個引出(chu)腳。兩只(zhi)二(er)(er)極(ji)管(guan)負極(ji)的連(lian)接(jie)點(dian)是(shi)直流輸出(chu)端(duan)的“正(zheng)(zheng)極(ji)”,兩只(zhi)二(er)(er)極(ji)管(guan)正(zheng)(zheng)極(ji)的連(lian)接(jie)點(dian)是(shi)直流輸出(chu)端(duan)的“負極(ji)”,另(ling)兩個引腳是(shi)交流輸入端(duan),外用絕緣塑料封裝而成。
一種集成采樣功能的整流(liu)(liu)橋,即通過(guo)采集電(dian)(dian)路(lu)中的輸入(ru)電(dian)(dian)流(liu)(liu),實現功率分配(pei)、電(dian)(dian)路(lu)保護(hu)。
開關橋是由四(si)只高速開關二極管作橋式連(lian)接,有四個引出(chu)腳。兩(liang)只二(er)極(ji)管負(fu)極(ji)的連接點是全(quan)橋直流(liu)輸出(chu)端的“正(zheng)(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正(zheng)(zheng)極(ji)的(de)連(lian)接點是全橋直流輸出端的(de)“負極(ji)”,外(wai)用絕緣塑封而成。
沃(wo)爾德(de)高壓肖特基二極管具有較(jiao)低的VF值和極低的反向漏電流Ir,體現出(chu)良好的低溫升特性(xing)。VRRM高達350V,電流從5A到(dao)40A全(quan)覆蓋,能更好的滿足高(gao)壓輸出(chu)電源的(de)高(gao)效率、高(gao)可(ke)靠(kao)性的(de)需求。
沃爾(er)德 LOW VF肖(xiao)特基二極(ji)管采用先進(jin)的(de)Trench工藝,具有較低的(de)VF值和極(ji)低的(de)高溫(wen)漏電流,能(neng)更(geng)好(hao)的滿足(zu)電源產品(pin)的高(gao)效(xiao)率(lv),高(gao)可靠性的需求(qiu)。
沃(wo)爾德(de)LOW Trr超快恢(hui)復(fu)二極(ji)管具(ju)有極(ji)低(di)的反向恢(hui)復(fu)時(shi)間Trr和極低的(de)反向恢復電荷(he)Qrr,并具有超快的(de)開關(guan)(guan)速(su)度,應用于(yu)硬開關(guan)(guan)條件下的(de)PFC電(dian)路和(he)高(gao)壓(ya)高(gao)頻電(dian)源(yuan)的次級整(zheng)流電(dian)路。
沃爾德SGT MOS 具有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和(he)Ciss ,并具有開關速度(du)快等特點(dian),能滿足產品溫升和(he)效(xiao)率的要求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和(he)Ciss 并具有(you)強的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品(pin)高(gao)效(xiao)和(he)可靠的(de)要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度(du)快并(bing)具有(you)強(qiang)的(de)EAS性(xing)能(neng)和(he)抗短(duan)路性(xing)能(neng)等特點(dian),能(neng)滿足產品(pin)高效和(he)可靠的要求。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采用多層外延(yan)工藝(yi),具有低(di)RDS(on)、結(jie)電容小、Qg 小,易(yi)驅動(dong)、開關速度快(kuai)的(de)特點,使電源更容易(yi)實現(xian)高效率,高可靠性。
沃爾德碳(tan)化硅(gui)二極管具(ju)極小的(de)反向恢復時(shi)間、高(gao)浪涌(yong)電流、高(gao)效可靠的(de)特(te)性(xing),封(feng)裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德(de)碳化硅mos管具有低(di)RDS(on)高(gao)(gao)開(kai)關速(su)度,高(gao)(gao)效(xiao)可靠(kao),封裝TOLL、TO-247等
沃爾(er)德吸收二極管具有(you)較長的(de)存(cun)儲時(shi)間(jian)和(he)較小的(de)Irr,同時具有較長(chang)的(de)平緩(huan)反(fan)向(xiang)恢復(fu)特性,能平緩(huan)恢復(fu)電(dian)流(liu),應用于電(dian)源的(de)RCD吸收電(dian)路,從(cong)而使電(dian)源產品達到(dao)更好(hao)的(de)EMI特性,滿足電(dian)源產品高效率(lv)、高可(ke)靠性的(de)需求。
通過優化二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的恢復特性,大幅減少諧波振蕩的發(fa)生,從而減少或者減小橋堆(dui)周邊EMI抑制器件的使(shi)用(yong)或者使(shi)用(yong)規(gui)格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。