沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基(ji)整流橋(qiao)產品(pin)是由4顆(ke)肖特基硅二極管橋(qiao)式連(lian)接,有(you)四個引出腳。兩只二極管(guan)負(fu)極的連(lian)接點是全(quan)橋直流輸(shu)出端的“正(zheng)極”,兩(liang)只(zhi)二極管正(zheng)極的連接點是全橋(qiao)直流輸出端的“負(fu)極”,外用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低(di)壓降整流硅(gui)芯片作橋式連接,有(you)四個引(yin)出腳(jiao)。兩只(zhi)二極管負極的連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的“正極”,兩只二(er)極管(guan)正極的連(lian)接點是全(quan)橋直流輸出(chu)端的“負(fu)極”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低的(de)整流橋。
逆變橋是由四(si)顆快(kuai)恢復二(er)極(ji)(ji)管整合一(yi)起,即將四(si)顆芯片(pian)封裝(zhuang)到(dao)一(yi)個(ge)支架上(shang)作橋式連(lian)接,有四(si)個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)(liang)只(zhi)二(er)極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的連(lian)接點(dian)是直(zhi)流輸(shu)出(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩(liang)(liang)只(zhi)二(er)極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連(lian)接點(dian)是直(zhi)流輸(shu)出(chu)端的“負極(ji)(ji)”,另(ling)兩(liang)(liang)個(ge)引腳是交流輸(shu)入端,外用絕緣(yuan)塑料封裝(zhuang)而成。
一(yi)種集(ji)成采樣(yang)功能的整流橋(qiao),即通(tong)過采集(ji)電路中(zhong)的輸入(ru)電流,實現功率分配、電路保護。
開關橋(qiao)是由四只高(gao)速開關二極管作橋式連接,有四個引出(chu)(chu)腳。兩只二極管(guan)負極的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出(chu)(chu)端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出(chu)端的(de)“負極(ji)(ji)”,外(wai)用絕緣(yuan)塑封而成(cheng)。
沃爾(er)德高壓肖特基二極管具有較低的VF值和極低的(de)反向漏電(dian)流(liu)Ir,體(ti)現出良好(hao)(hao)的(de)低溫升特性。VRRM高達(da)350V,電(dian)流(liu)從5A到40A全覆蓋,能更好(hao)(hao)的(de)滿足高壓輸出(chu)電源的高效率、高可靠(kao)性(xing)的需求。
沃爾德 LOW VF肖(xiao)特基二極(ji)管采用先進的(de)Trench工藝,具(ju)有較低的(de)VF值和極(ji)低的(de)高溫漏電流,能更好的滿(man)足電源產品(pin)的高效(xiao)率,高可靠(kao)性的需求。
沃爾(er)德(de)LOW Trr超快(kuai)恢復二極管具有極低(di)的反(fan)向恢復時間Trr和極(ji)低的(de)反(fan)向恢復電(dian)荷Qrr,并(bing)具有超(chao)快的開關速(su)度,應用于硬開關條件下的PFC電(dian)路和高(gao)壓(ya)高(gao)頻(pin)電(dian)源的(de)次級(ji)整流電(dian)路。
沃(wo)爾德SGT MOS 具有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具有開(kai)關速度快等(deng)特點,能滿足產品溫升和效率(lv)的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有(you)強的EAS性能等特點(dian),能滿(man)足產品高效和可靠的要求(qiu)。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有(you)較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關(guan)速度快并具有強的EAS性能和抗短路性能等特(te)點,能滿足產品(pin)高(gao)效和可靠的要(yao)求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易(yi)驅動(dong)、開關速度快的特(te)點,使電源更容易(yi)實現高效率,高可靠性。
沃爾德碳(tan)化硅(gui)二(er)極(ji)管(guan)具極(ji)小的反向恢復時間、高(gao)浪(lang)涌電流、高(gao)效可靠的特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾(er)德碳化硅mos管具有低(di)RDS(on)高(gao)開關速度,高(gao)效(xiao)可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸(xi)收二(er)極(ji)管具有較長的(de)存(cun)儲(chu)時間和(he)較(jiao)小(xiao)的(de)Irr,同時具有較長的(de)平(ping)緩反向(xiang)恢復特(te)性,能平(ping)緩恢復電(dian)流(liu),應(ying)用于電(dian)源的(de)RCD吸收電(dian)路,從(cong)而使電(dian)源產品(pin)達到(dao)更好的(de)EMI特(te)性,滿足電(dian)源產品(pin)高效率、高可靠性的(de)需求(qiu)。
通(tong)過優化二(er)極管Ta/Tb(開(kai)通(tong)時(shi)間/關斷時間)較軟的恢復特性,大(da)幅(fu)減少諧(xie)波振(zhen)蕩的發(fa)生(sheng),從而減少或者減小橋堆(dui)周邊EMI抑制器件的使(shi)用或者使(shi)用規格,例(li)如X電容,共模(mo)電感,差模(mo)電感等。