沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基整流橋(qiao)產品是由4顆肖特基硅二極管橋式連接,有(you)四(si)個引(yin)出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只二(er)極管負極的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“正(zheng)極”,兩只二極管(guan)正(zheng)極的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出(chu)端的(de)“負極”,外(wai)用絕緣(yuan)朔料封裝而(er)成。
LOW VF整(zheng)流橋產品是(shi)由(you)四只(zhi)低(di)壓降整流硅(gui)芯(xin)片作(zuo)橋式連接(jie),有四(si)個引出腳。兩只二極管負(fu)極的連接點是全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“負極(ji)”,外用絕(jue)緣塑封而成(cheng)。LOW VF即是正向壓降極低的整流橋。
逆變橋是由四(si)顆(ke)(ke)快恢復二極(ji)管整合一起,即將(jiang)四(si)顆(ke)(ke)芯片(pian)封(feng)裝到一個支架上作橋式連(lian)接(jie),有(you)四(si)個引(yin)出(chu)腳。兩(liang)只二極(ji)管負極(ji)的(de)連(lian)接(jie)點是直(zhi)流輸出(chu)端(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)連(lian)接(jie)點是直(zhi)流輸出(chu)端(duan)的(de)“負極(ji)”,另兩(liang)個引(yin)腳是交(jiao)流輸入端(duan),外用絕緣塑料封(feng)裝而成(cheng)。
一種集成采樣功能(neng)的整流橋,即通過采集電(dian)路中(zhong)的輸入(ru)電(dian)流,實現功率分(fen)配、電(dian)路保護(hu)。
開關橋(qiao)是(shi)由四只高速開關二(er)極管作橋式連(lian)接(jie),有四個引出腳。兩只二極管負極的(de)(de)連接點是全橋直流(liu)輸(shu)出端的(de)(de)“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸出(chu)端(duan)的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德高壓肖特(te)基二極管具有(you)較低(di)的VF值和極低的反向漏電(dian)流Ir,體現出良(liang)好的低溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到40A全覆(fu)蓋(gai),能更好的滿足高(gao)壓輸出電源(yuan)的高(gao)效率、高(gao)可靠性(xing)的需求。
沃(wo)爾(er)德 LOW VF肖特(te)基(ji)二極管采用(yong)先(xian)進的Trench工藝,具有較低的VF值和極低的高溫漏電流,能更好(hao)的滿足電源產品的(de)高(gao)效率,高(gao)可靠(kao)性的(de)需求(qiu)。
沃爾德LOW Trr超快恢(hui)復(fu)二極管具有極低(di)的反向恢(hui)復(fu)時(shi)間Trr和極(ji)低的(de)反(fan)向恢復電(dian)荷(he)Qrr,并具有超快的開(kai)關(guan)速度,應(ying)用于硬開(kai)關(guan)條件下(xia)的PFC電路和高壓高頻電源的次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有(you)極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并(bing)具有(you)開(kai)關速度快等特點,能滿足產品(pin)溫升和效率的要求。
沃爾(er)德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能等特點,能滿足產品高效和(he)可靠(kao)的要求。
沃(wo)爾(er)德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度快并具有(you)強的EAS性(xing)(xing)能和(he)抗短路性(xing)(xing)能等(deng)特點,能滿(man)足產品(pin)高效(xiao)和(he)可靠的(de)要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)容小、Qg 小,易驅動、開關(guan)速(su)度快的特點,使電(dian)源更容易實現高(gao)效率,高(gao)可靠(kao)性。
沃爾(er)德碳化硅(gui)二極(ji)管具極(ji)小的反向恢復時間(jian)、高浪涌電流(liu)、高效可靠的特性,封裝主要(yao)有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳化硅mos管具(ju)有低RDS(on)高開關速度(du),高效(xiao)可靠,封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二(er)極管(guan)具有較長的(de)存儲時(shi)間和(he)較小的(de)Irr,同(tong)時(shi)具有較長的(de)平緩反向恢復(fu)特性,能平緩恢復(fu)電(dian)流,應用于電(dian)源的(de)RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源產品達到更好的(de)EMI特性,滿足電(dian)源產品高效率、高可靠性的(de)需求。
通過優化二極管(guan)Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷時間)較軟的恢復特性,大幅減(jian)(jian)少諧波(bo)振蕩的發生,從而(er)減(jian)(jian)少或(huo)者減(jian)(jian)小橋堆周邊EMI抑制器(qi)件的(de)使(shi)(shi)用或者使(shi)(shi)用規(gui)格,例如X電容,共模電感(gan),差模電感(gan)等。