沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是(shi)由4顆肖特基硅二極管橋式連(lian)接,有四個(ge)引出腳。兩只二極管負極的(de)連接點是全橋直流輸(shu)出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的連接(jie)點是全橋直流輸(shu)出端的“負極”,外用絕緣朔(shuo)料封裝而成。
LOW VF整(zheng)流橋產(chan)品是由四(si)只(zhi)低壓降整(zheng)流硅芯(xin)片作橋式(shi)連接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)連接(jie)點是全橋直流輸出端的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的(de)連接(jie)點是全(quan)橋直流輸出(chu)端的(de)“負(fu)極(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低的整流橋。
逆變(bian)橋是(shi)由(you)四顆快(kuai)恢復(fu)二(er)極(ji)管整合(he)一(yi)起,即將四顆芯片封(feng)裝(zhuang)到一(yi)個(ge)支架上(shang)作橋式連接(jie),有四個(ge)引出(chu)腳。兩只(zhi)(zhi)二(er)極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)(de)連接(jie)點(dian)是(shi)直流(liu)輸出(chu)端的(de)(de)“正極(ji)”,兩只(zhi)(zhi)二(er)極(ji)管正極(ji)的(de)(de)連接(jie)點(dian)是(shi)直流(liu)輸出(chu)端的(de)(de)“負(fu)極(ji)”,另兩個(ge)引腳是(shi)交流(liu)輸入端,外用絕緣塑料封(feng)裝(zhuang)而成。
一種(zhong)集(ji)成采(cai)樣功能的(de)整流橋,即通過采(cai)集(ji)電(dian)路中的(de)輸入(ru)電(dian)流,實現功率(lv)分配、電(dian)路保(bao)護。
開關橋是由四只高速(su)開關二(er)極管作橋式連接,有(you)四個引出(chu)腳。兩只二(er)極管(guan)負極的連(lian)接點是全橋直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用(yong)絕緣塑封而成。
沃爾德高(gao)壓肖(xiao)特基(ji)二極管(guan)具有較低的VF值和極(ji)低(di)的反向漏電流Ir,體(ti)現出良(liang)好的低(di)溫升特(te)性。VRRM高達350V,電流從5A到(dao)40A全(quan)覆(fu)蓋,能更好的滿足高壓輸出電源的高效(xiao)率、高可靠(kao)性的需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特(te)基二極(ji)管采用先進的Trench工藝(yi),具有較低的VF值和極(ji)低的高溫漏(lou)電流(liu),能更好(hao)的(de)滿足電源產(chan)品(pin)的(de)高(gao)效率(lv),高(gao)可靠性的(de)需求。
沃(wo)爾德(de)LOW Trr超快恢(hui)(hui)復(fu)(fu)二極管具有極低(di)的(de)反向恢(hui)(hui)復(fu)(fu)時間Trr和極低的(de)反向恢復電荷Qrr,并具有超(chao)快的開(kai)(kai)關速度,應(ying)用于硬開(kai)(kai)關條件下(xia)的PFC電路和高壓高頻電源的次級(ji)整流電路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有(you)極低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和Ciss ,并具(ju)有(you)開關速度(du)快等特(te)點(dian),能滿(man)足產(chan)品溫升和效率的(de)要求。
沃爾(er)德Planar MOS 具(ju)有低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品(pin)高效和可靠的要(yao)求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有(you)較低的(de)RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開(kai)關速度快并具有強的(de)EAS性(xing)能(neng)和抗短(duan)路性(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效和可靠(kao)的要(yao)求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采(cai)用(yong)多層外延工藝,具(ju)有(you)低RDS(on)、結電(dian)(dian)容小、Qg 小,易驅動、開關速度快(kuai)的特點,使電(dian)(dian)源更容易實現高(gao)效(xiao)率,高(gao)可靠性。
沃爾德吸收(shou)二極管具(ju)有較長的(de)存儲時間和較(jiao)小的(de)Irr,同時具有(you)較長的平(ping)緩(huan)(huan)反向恢復特(te)性,能平(ping)緩(huan)(huan)恢復電流,應用于(yu)電源(yuan)的RCD吸收(shou)電路(lu),從而使電源(yuan)產品達到更好的EMI特(te)性,滿足電源(yuan)產品高效率、高可靠性的需(xu)求。
通過優化二極管(guan)Ta/Tb(開通(tong)時間/關斷時間(jian))較軟的(de)恢復(fu)特性(xing),大幅減少(shao)諧(xie)波(bo)振蕩的(de)發生,從而減少(shao)或者減小橋堆(dui)周邊(bian)EMI抑(yi)制器件的使用或者(zhe)使用規(gui)格,例(li)如X電容,共模電感(gan),差(cha)模電感(gan)等。