沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基整流橋(qiao)產(chan)品(pin)是由4顆(ke)肖特(te)基硅二極(ji)管橋式連接,有四個引出腳(jiao)。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩只二極管(guan)正(zheng)極的連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸出(chu)端(duan)的“負極”,外(wai)用(yong)絕(jue)緣(yuan)朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整流橋產品(pin)是由四只低壓降(jiang)整(zheng)流(liu)硅芯片作橋式連接,有(you)四個引出(chu)腳。兩只二極管負極的(de)連接點是全(quan)橋直流(liu)輸出(chu)端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是全(quan)橋(qiao)直流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外用絕(jue)緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低的(de)整流橋。
逆變橋是(shi)(shi)由四(si)顆快恢復二極(ji)管整(zheng)合一起,即將四(si)顆芯片封(feng)裝(zhuang)到一個支架上作橋式(shi)連(lian)接(jie)(jie),有四(si)個引出(chu)腳(jiao)(jiao)。兩(liang)只二極(ji)管負極(ji)的(de)連(lian)接(jie)(jie)點(dian)是(shi)(shi)直流輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正極(ji)的(de)連(lian)接(jie)(jie)點(dian)是(shi)(shi)直流輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)“負極(ji)”,另兩(liang)個引腳(jiao)(jiao)是(shi)(shi)交流輸(shu)入端(duan)(duan),外用(yong)絕(jue)緣塑料封(feng)裝(zhuang)而成。
一(yi)種(zhong)集(ji)成采樣功能的(de)整流(liu)橋(qiao),即通過采集(ji)電(dian)路(lu)中(zhong)的(de)輸入電(dian)流(liu),實現功率(lv)分配、電(dian)路(lu)保護。
開(kai)關橋(qiao)是由四只(zhi)高(gao)速(su)開關二極管作橋式(shi)連接,有四個引出腳(jiao)。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的連接(jie)點是全(quan)橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾(er)德高壓肖特基二極(ji)管具有較(jiao)低(di)的VF值和極低(di)的(de)反(fan)向漏電流Ir,體現出(chu)良(liang)好的(de)低(di)溫升(sheng)特性。VRRM高(gao)達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更好的(de)滿足高壓(ya)輸出(chu)電源的(de)高效率、高可靠(kao)性的(de)需(xu)求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)(ji)管采(cai)用先(xian)進的(de)Trench工藝(yi),具有較低的(de)VF值和極(ji)(ji)低的(de)高溫漏電流,能(neng)更(geng)好的滿足電(dian)源產(chan)品的高效率(lv),高可靠性的需(xu)求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極(ji)管具有(you)極(ji)低的反向恢復時間Trr和極低(di)的反向(xiang)恢復電荷(he)Qrr,并具有(you)超快(kuai)的開(kai)關(guan)速(su)度,應用于硬開(kai)關(guan)條件下的PFC電(dian)路和高壓高頻電(dian)源的次級整流電(dian)路。
沃爾德SGT MOS 具有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ,并(bing)具有開關速度快等特點(dian),能(neng)滿足產品溫升和效率的(de)要求。
沃爾(er)德Planar MOS 具有(you)低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有(you)強的EAS性能等特點(dian),能滿足產品高效和(he)可(ke)靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開(kai)關(guan)速度快(kuai)并具有(you)強的EAS性能(neng)和抗短(duan)路(lu)性能(neng)等特點,能(neng)滿足產(chan)品(pin)高(gao)效和可靠的要求。
沃爾德SJ(超結(jie))MOS采用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)容(rong)小(xiao)、Qg 小(xiao),易(yi)驅動(dong)、開(kai)關(guan)速度快的特點,使電(dian)源更容(rong)易(yi)實現高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾德碳化硅(gui)二極(ji)管具(ju)極(ji)小(xiao)的反向恢復時間(jian)、高浪(lang)涌(yong)電流(liu)、高效可靠(kao)的特性(xing),封裝(zhuang)主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳(tan)化硅mos管(guan)具有(you)低(di)RDS(on)高開(kai)關(guan)速(su)度,高效(xiao)可靠,封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管具有較長的(de)存儲時間和較小的(de)Irr,同時具有較長的(de)平緩反向恢(hui)復特性,能平緩恢(hui)復電(dian)流,應用于(yu)電(dian)源(yuan)(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)路,從(cong)而(er)使電(dian)源(yuan)(yuan)產品達到更好的(de)EMI特性,滿足(zu)電(dian)源(yuan)(yuan)產品高效率、高可靠性的(de)需(xu)求。
通過(guo)優(you)化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟(ruan)的恢復(fu)特性,大(da)幅減(jian)少(shao)諧波振蕩的發生,從(cong)而減(jian)少(shao)或者減(jian)小橋堆(dui)周邊EMI抑制器件(jian)的使(shi)用或者使(shi)用規格,例如(ru)X電(dian)容,共模(mo)電(dian)感(gan),差模(mo)電(dian)感(gan)等。