沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整(zheng)流橋產(chan)品是由4顆肖(xiao)特基硅二極管橋式(shi)連接(jie),有四(si)個(ge)引(yin)出腳。兩(liang)只二極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的(de)連(lian)接點(dian)是全橋直流輸(shu)出端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接(jie)點(dian)是(shi)全橋直流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整流橋(qiao)產品是(shi)由四只低壓降(jiang)整流硅(gui)芯片作(zuo)橋式(shi)連接,有四個(ge)引(yin)出腳。兩(liang)只(zhi)二極管負極的連(lian)接(jie)點是(shi)全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩只(zhi)二極管(guan)正(zheng)極的(de)連接點是(shi)全橋(qiao)直流輸出(chu)端的(de)“負(fu)極”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低(di)的整流橋。
逆變橋(qiao)是由四顆(ke)快恢復二(er)極(ji)管整合一(yi)起(qi),即將(jiang)四顆(ke)芯片封裝到一(yi)個(ge)支(zhi)架上作(zuo)橋(qiao)式連接,有四個(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只(zhi)二(er)極(ji)管負極(ji)的連接點是直流輸出(chu)端(duan)(duan)的“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只(zhi)二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是直流輸出(chu)端(duan)(duan)的“負極(ji)”,另(ling)兩(liang)個(ge)引腳(jiao)是交流輸入(ru)端(duan)(duan),外用(yong)絕緣塑料封裝而(er)成。
一種集成(cheng)采樣功(gong)能的整流(liu)橋,即通過采集電路中的輸入電流(liu),實(shi)現功(gong)率(lv)分配、電路保護。
開關(guan)橋是由四只高(gao)速(su)開關二極管作橋式連接,有四(si)個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)連接點(dian)是全橋直流輸出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的連接點是全(quan)橋直(zhi)流輸出端(duan)的“負極”,外用絕(jue)緣(yuan)塑(su)封而成。
沃爾德(de)高(gao)壓(ya)肖特基二極管具有(you)較(jiao)低的(de)VF值和極低的反向漏電流(liu)Ir,體(ti)現出良(liang)好的低溫升特性。VRRM高達(da)350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋,能(neng)更(geng)好的滿足(zu)高壓輸(shu)出電(dian)源的(de)高效率(lv)、高可靠(kao)性的(de)需求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管(guan)采用先進的(de)Trench工藝,具有較低(di)的(de)VF值和極低(di)的(de)高(gao)溫漏電(dian)流,能更好的滿足(zu)電源產品的高效率,高可靠性的需求。
沃(wo)爾(er)德(de)LOW Trr超快恢(hui)復(fu)二極管具有極低的反向恢(hui)復(fu)時間Trr和極(ji)低的反向(xiang)恢復(fu)電荷Qrr,并具有超快(kuai)的(de)開(kai)關速度(du),應用(yong)于硬開(kai)關條(tiao)件下(xia)的(de)PFC電路和高壓高頻(pin)電源的次級(ji)整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有(you)極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ,并具有(you)開關速(su)度快等特點,能滿足產品溫升和效率的(de)要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特(te)點,能滿足產品高效和可(ke)靠的(de)要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度(du)快并(bing)具(ju)有強的(de)EAS性能和抗(kang)短路性能等特點,能滿足產品高效(xiao)和可(ke)靠的要求(qiu)。
沃爾德(de)SJ(超(chao)結(jie))MOS采用(yong)多層(ceng)外延工藝,具有低(di)RDS(on)、結電(dian)容小、Qg 小,易驅動、開關速度快的特(te)點,使電(dian)源更容易實(shi)現高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾德碳化硅(gui)二極管具極小(xiao)的反向恢復時(shi)間、高(gao)浪(lang)涌電(dian)流、高(gao)效(xiao)可靠的特(te)性,封(feng)裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化(hua)硅mos管具有低(di)RDS(on)高開關速(su)度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾(er)德吸收(shou)二(er)極管具有(you)較長的存(cun)儲時間(jian)和較小的Irr,同時(shi)具有較長的平緩反向(xiang)恢復(fu)特(te)性,能平緩恢復(fu)電(dian)(dian)流,應(ying)用于電(dian)(dian)源(yuan)的RCD吸(xi)收電(dian)(dian)路(lu),從而(er)使電(dian)(dian)源(yuan)產(chan)品達(da)到更好的EMI特(te)性,滿(man)足(zu)電(dian)(dian)源(yuan)產(chan)品高效率、高可(ke)靠性的需求。
通過優化二(er)極管Ta/Tb(開通時(shi)間(jian)/關斷時間)較(jiao)軟的(de)恢復特性,大幅減少(shao)諧(xie)波振蕩的(de)發生,從而減少(shao)或(huo)者減小橋堆(dui)周(zhou)邊(bian)EMI抑制器件的(de)使用或者使用規格(ge),例如(ru)X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。