沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是(shi)由4顆肖特基硅(gui)二極管(guan)橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二極管負(fu)極的(de)連接(jie)點(dian)是全橋直流輸出(chu)端(duan)的(de)“正極”,兩只二極管正極的連(lian)接點是全橋直流輸出(chu)端(duan)的“負(fu)極”,外(wai)用絕緣朔(shuo)料封裝而成。
LOW VF整流橋產(chan)品是由四只低壓降整(zheng)流硅芯片(pian)作橋(qiao)式連接,有(you)四(si)個引(yin)出(chu)腳。兩(liang)只二極管(guan)負(fu)極的連接點是(shi)全橋直流輸(shu)出(chu)端的“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是(shi)全(quan)橋(qiao)直流(liu)輸出端(duan)的(de)“負(fu)極(ji)(ji)”,外(wai)用絕緣塑封而成。LOW VF即是(shi)正(zheng)向(xiang)壓降(jiang)極低(di)的(de)整流橋。
逆變橋(qiao)是由四(si)顆快恢復(fu)二極管整合一(yi)起,即將(jiang)四(si)顆芯(xin)片封裝(zhuang)到一(yi)個支架上作(zuo)橋(qiao)式連(lian)接,有四(si)個引出(chu)(chu)腳。兩(liang)只二極管負極的連(lian)接點是直(zhi)流輸出(chu)(chu)端的“正(zheng)極”,兩(liang)只二極管正(zheng)極的連(lian)接點是直(zhi)流輸出(chu)(chu)端的“負極”,另兩(liang)個引腳是交流輸入(ru)端,外(wai)用絕緣(yuan)塑料封裝(zhuang)而(er)成。
一種集(ji)(ji)成采樣(yang)功能的整流(liu)橋(qiao),即通過(guo)采集(ji)(ji)電路中的輸入(ru)電流(liu),實現功率(lv)分(fen)配、電路保護。
開關橋是由四只(zhi)高速(su)開關二極管作(zuo)橋(qiao)式連接,有四(si)個引(yin)出腳。兩只(zhi)二(er)極管負(fu)極的連(lian)接(jie)點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩(liang)只二極管正(zheng)極的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出端的(de)“負極”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德高壓肖特基二極管具有較低的VF值和極低(di)的反(fan)向漏電流Ir,體現出良(liang)好的低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能(neng)更好的滿足高(gao)(gao)壓輸出電源的高(gao)(gao)效(xiao)率、高(gao)(gao)可靠(kao)性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進的(de)Trench工藝,具有較低(di)的(de)VF值和極低(di)的(de)高溫漏電(dian)流,能更好的滿(man)足電源(yuan)產品的(de)高(gao)效率(lv),高(gao)可(ke)靠性的(de)需求。
沃爾(er)德LOW Trr超快恢復(fu)二(er)極(ji)管具有極(ji)低的反(fan)向恢復(fu)時(shi)間(jian)Trr和(he)極低的反向恢(hui)復電荷(he)Qrr,并具有(you)超快(kuai)的開關速度,應(ying)用于硬開關條件下的PFC電(dian)(dian)路和高(gao)壓高(gao)頻電(dian)(dian)源的(de)次級整流(liu)電(dian)(dian)路。
沃(wo)爾德SGT MOS 具(ju)(ju)有極(ji)低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和Ciss ,并具(ju)(ju)有開關速度快(kuai)等特點(dian),能滿足產品溫升和效(xiao)率的(de)要求(qiu)。
沃(wo)爾(er)德(de)Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有(you)強的EAS性能等特點,能滿(man)足產品高(gao)效和可靠(kao)的(de)要求(qiu)。
沃爾德(de)Trench MOS 具有(you)較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具(ju)有強(qiang)的EAS性能和抗短路性能等(deng)特(te)點,能滿足產品高效和可(ke)靠的要(yao)求。
沃(wo)爾德SJ(超結)MOS采用(yong)多層(ceng)外延工(gong)藝,具有低(di)RDS(on)、結電(dian)容小、Qg 小,易驅動、開關速(su)度快的特點(dian),使電(dian)源更容易實現高效率,高可(ke)靠性。
沃爾德碳化硅二極管具極小的反向恢復時間(jian)、高(gao)浪涌(yong)電流(liu)、高(gao)效可靠的特性,封裝主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾(er)德碳(tan)化硅(gui)mos管具有低RDS(on)高開(kai)關速(su)度,高效可靠,封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極(ji)管具有較長的存儲時間和較小的Irr,同時具有較長(chang)的(de)平(ping)緩(huan)(huan)反向恢復(fu)特(te)性(xing)(xing),能平(ping)緩(huan)(huan)恢復(fu)電流,應用于電源(yuan)的(de)RCD吸收電路(lu),從而使電源(yuan)產(chan)品達到(dao)更好的(de)EMI特(te)性(xing)(xing),滿(man)足電源(yuan)產(chan)品高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性(xing)(xing)的(de)需求。
通(tong)過(guo)優(you)化二極管(guan)Ta/Tb(開通時間(jian)/關(guan)斷時間)較(jiao)軟的恢復特性,大幅減少諧(xie)波振(zhen)蕩的發生,從而減少或者(zhe)減小橋堆周邊(bian)EMI抑制器(qi)件的使(shi)用或者(zhe)使(shi)用規格,例如(ru)X電容,共模電感,差模電感等(deng)。