沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品(pin)是由(you)4顆肖特基(ji)硅二極管橋(qiao)式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二極管(guan)負極的(de)連接點是全橋直流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的(de)連接(jie)點是全橋直流(liu)輸出端的(de)“負極(ji)”,外用絕緣(yuan)朔料封(feng)裝而成。
LOW VF整(zheng)流橋產品是由(you)四(si)只低壓(ya)降整流(liu)硅芯(xin)片(pian)作橋式連接,有四個引出腳(jiao)。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連接點(dian)是全橋(qiao)直(zhi)流輸出端的“負極”,外用絕(jue)緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低的整(zheng)流橋(qiao)。
逆變橋是(shi)由四顆快恢復(fu)二極管整合一(yi)起(qi),即將四顆芯片(pian)封(feng)裝到一(yi)個支架上作橋式連(lian)(lian)接,有四個引(yin)出腳(jiao)。兩只二極管負極的連(lian)(lian)接點是(shi)直(zhi)流(liu)輸出端(duan)(duan)的“正極”,兩只二極管正極的連(lian)(lian)接點是(shi)直(zhi)流(liu)輸出端(duan)(duan)的“負極”,另兩個引(yin)腳(jiao)是(shi)交流(liu)輸入端(duan)(duan),外用絕緣塑(su)料(liao)封(feng)裝而成(cheng)。
一種集成采(cai)樣功(gong)能(neng)的整流橋,即通過采(cai)集電(dian)路中的輸入電(dian)流,實現(xian)功(gong)率(lv)分(fen)配、電(dian)路保護。
開(kai)關(guan)橋是由(you)四只高速開關二極管作(zuo)橋式連接,有四個引出腳(jiao)。兩只二極管負極的(de)連接點是(shi)全橋直(zhi)流輸出端的(de)“正極”,兩只二(er)極管正極的(de)連接點(dian)是全橋直流輸出(chu)端的(de)“負極”,外用絕緣塑封而成。
沃(wo)爾德高(gao)壓肖特(te)基二極管具有較低的VF值和極低的(de)(de)反向漏電流(liu)Ir,體現出良好的(de)(de)低溫升特(te)性。VRRM高達(da)350V,電流(liu)從5A到40A全(quan)覆蓋,能更(geng)好的(de)(de)滿足高(gao)壓輸出電(dian)源的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求。
沃爾(er)德(de) LOW VF肖特基(ji)二極管采用先進的Trench工藝(yi),具有較低(di)的VF值和極低(di)的高(gao)溫漏電流,能(neng)更(geng)好的滿足電源產(chan)品的高效(xiao)率,高可(ke)靠性的需求。
沃爾(er)德LOW Trr超快恢復(fu)二極管具有極低的反向恢復(fu)時(shi)間(jian)Trr和極低(di)的反(fan)向恢復電荷Qrr,并具(ju)有超(chao)快的(de)開關(guan)速度(du),應用于硬開關(guan)條件(jian)下的(de)PFC電(dian)路(lu)和(he)高(gao)壓高(gao)頻(pin)電(dian)源的次級整流電(dian)路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和Ciss ,并具(ju)有開(kai)關速度(du)快等特點,能滿(man)足產品溫升和效率的(de)要求。
沃爾德(de)Planar MOS 具(ju)有低的RDs(on)和Ciss 并具有強的(de)EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足(zu)產品(pin)高效和可靠的(de)要(yao)求(qiu)。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關(guan)速度(du)快并具有強的(de)EAS性能和(he)抗短路性能等特點,能滿足產品(pin)高(gao)效和(he)可靠的要求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用多層外延(yan)工藝(yi),具有低RDS(on)、結電(dian)容小、Qg 小,易驅動、開(kai)關速(su)度快的特(te)點,使(shi)電(dian)源更容易實現(xian)高效率,高可靠性。
沃爾德(de)碳(tan)化硅二(er)極管具極小的(de)反向恢復時間(jian)、高(gao)(gao)浪涌電流、高(gao)(gao)效可靠的(de)特(te)性(xing),封裝(zhuang)主(zhu)要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳化(hua)硅mos管具有低RDS(on)高開(kai)關速度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃(wo)爾德吸收二極管具有較長的存儲時間和較小(xiao)的Irr,同時(shi)具有較(jiao)長(chang)的平緩(huan)反(fan)向恢復(fu)特(te)性,能平緩(huan)恢復(fu)電流(liu),應用于電源的RCD吸收電路,從而使電源產(chan)(chan)品達到更好(hao)的EMI特(te)性,滿足(zu)電源產(chan)(chan)品高(gao)效率、高(gao)可靠性的需(xu)求。
通過優化二極管Ta/Tb(開(kai)通時間/關斷時間)較軟(ruan)的恢復特(te)性,大幅(fu)減少(shao)(shao)諧波(bo)振蕩的發生,從而減少(shao)(shao)或者減小(xiao)橋(qiao)堆周邊EMI抑制器件的使用(yong)或者(zhe)使用(yong)規(gui)格(ge),例如(ru)X電容,共(gong)模電感,差(cha)模電感等。