沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是(shi)由4顆肖特基硅二極(ji)管(guan)橋式(shi)連接,有四個引出腳。兩只(zhi)二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣朔料封裝(zhuang)而(er)成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓降整流硅芯片作橋(qiao)式連接(jie),有四個引出(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接(jie)點是全(quan)橋直(zhi)流輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“負極(ji)(ji)”,外用(yong)絕緣塑(su)封而成(cheng)。LOW VF即是正向壓降極低(di)的整流橋。
逆變橋(qiao)是(shi)(shi)由四(si)(si)顆(ke)快恢復二(er)(er)極(ji)(ji)管整合一(yi)起,即(ji)將(jiang)四(si)(si)顆(ke)芯片(pian)封裝(zhuang)到一(yi)個(ge)支架(jia)上作橋(qiao)式(shi)連(lian)接(jie),有四(si)(si)個(ge)引出腳。兩(liang)(liang)只二(er)(er)極(ji)(ji)管負(fu)(fu)極(ji)(ji)的(de)連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)直流(liu)輸(shu)出端的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩(liang)(liang)只二(er)(er)極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的(de)連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)直流(liu)輸(shu)出端的(de)“負(fu)(fu)極(ji)(ji)”,另兩(liang)(liang)個(ge)引腳是(shi)(shi)交(jiao)流(liu)輸(shu)入(ru)端,外(wai)用(yong)絕緣塑料封裝(zhuang)而成。
一種集成(cheng)采(cai)(cai)樣功能的整流橋(qiao),即通過采(cai)(cai)集電(dian)路(lu)中的輸入(ru)電(dian)流,實現功率分配、電(dian)路(lu)保護。
開關橋(qiao)是由(you)四只高速開關二極(ji)管作橋式連接(jie),有四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的(de)連(lian)接點是(shi)全(quan)橋直(zhi)流輸出(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點是全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣(yuan)塑封而成。
沃(wo)爾(er)德高壓(ya)肖(xiao)特基(ji)二極管具有較低的VF值(zhi)和(he)極低的(de)反向漏電流Ir,體現出良好的(de)低溫(wen)升特性。VRRM高達(da)350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更好的(de)滿足高壓輸出電源(yuan)的(de)高效率、高可靠(kao)性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管(guan)采用先(xian)進的(de)Trench工藝,具有(you)較低的(de)VF值和極低的(de)高(gao)溫漏電流(liu),能更好的滿足電(dian)源(yuan)產品的高(gao)效(xiao)率,高(gao)可靠性的需求。
沃(wo)爾德LOW Trr超快恢復二極管(guan)具有(you)極低的反(fan)向恢復時(shi)間Trr和極(ji)低的反(fan)向恢復電荷Qrr,并具有超快的開關速(su)度(du),應(ying)用于硬(ying)開關條件(jian)下的PFC電(dian)(dian)路和(he)高(gao)壓高(gao)頻電(dian)(dian)源(yuan)的次(ci)級整流(liu)電(dian)(dian)路。
沃爾德(de)SGT MOS 具(ju)有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具(ju)有(you)開關速度快等(deng)特點,能滿(man)足(zu)產品(pin)溫升和效率的要(yao)求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能等特點,能滿(man)足產品(pin)高(gao)效和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較低的(de)RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關(guan)速度快并(bing)具有強的(de)EAS性能和抗短路性能等特點,能滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采用多層外延(yan)工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)容小(xiao)、Qg 小(xiao),易(yi)驅動、開關速度快的特點,使電(dian)源更容易(yi)實現高(gao)效率,高(gao)可靠(kao)性。
沃(wo)爾德吸(xi)收二極管具有較長的存儲(chu)時間和較小(xiao)的Irr,同時具有較長的(de)平緩(huan)反向恢復特性,能平緩(huan)恢復電(dian)流,應用于電(dian)源的(de)RCD吸收電(dian)路,從而(er)使(shi)電(dian)源產(chan)品達(da)到(dao)更好的(de)EMI特性,滿足電(dian)源產(chan)品高效率、高可(ke)靠性的(de)需求(qiu)。
通過(guo)優(you)化二(er)極管Ta/Tb(開通時間/關(guan)斷(duan)時間(jian))較軟的恢復特性,大幅(fu)減(jian)少諧波(bo)振(zhen)蕩(dang)的發生(sheng),從而減(jian)少或(huo)者減(jian)小橋堆周(zhou)邊(bian)EMI抑制器件的使(shi)用(yong)或者使(shi)用(yong)規格(ge),例(li)如(ru)X電(dian)容,共模(mo)電(dian)感,差模(mo)電(dian)感等。