沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整(zheng)流(liu)橋產品是由4顆肖特基硅二極(ji)管橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二極管負極的(de)連接點是全橋(qiao)直(zhi)流輸(shu)出(chu)端的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是(shi)全橋直流輸出端的(de)“負極(ji)(ji)”,外(wai)用絕緣朔料封裝而(er)成。
LOW VF整(zheng)流(liu)橋產(chan)品是由四只低壓(ya)降(jiang)整流硅(gui)芯片作橋式(shi)連接(jie),有四個引出腳。兩只(zhi)二極管負(fu)極的連接(jie)點是全橋直(zhi)流(liu)輸出端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點(dian)是全橋直流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑(su)封而成。LOW VF即是正(zheng)向壓降極低的整流(liu)橋。
逆變橋是由四顆快(kuai)恢(hui)復(fu)二極(ji)(ji)管整合一起,即將四顆芯片(pian)封(feng)裝(zhuang)到(dao)一個(ge)支架上作橋式連(lian)接(jie)(jie),有四個(ge)引(yin)(yin)出腳。兩只(zhi)二極(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)的(de)連(lian)接(jie)(jie)點(dian)是直(zhi)流輸(shu)出端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)連(lian)接(jie)(jie)點(dian)是直(zhi)流輸(shu)出端的(de)“負(fu)極(ji)(ji)”,另兩個(ge)引(yin)(yin)腳是交流輸(shu)入端,外用(yong)絕(jue)緣塑料(liao)封(feng)裝(zhuang)而成(cheng)。
一種集(ji)成采樣功能的整流橋,即通過(guo)采集(ji)電路中(zhong)的輸入電流,實現功率分配、電路保護(hu)。
開關(guan)橋是由四只高(gao)速(su)開關二極管作橋式連接,有四(si)個引出腳(jiao)。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)連接點是全(quan)橋直流(liu)輸出端的(de)“正極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點(dian)是全橋直流輸(shu)出端的(de)“負極(ji)”,外用(yong)絕緣塑(su)封而(er)成。
沃爾德高壓肖特基二極管(guan)具有(you)較低的VF值和(he)極(ji)低的反向漏(lou)電(dian)(dian)流Ir,體現(xian)出良好的低溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)(dian)流從5A到40A全覆蓋,能更好的滿足(zu)高(gao)壓(ya)輸出電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需(xu)求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特基二(er)極管采用先進的(de)Trench工藝,具有較(jiao)低的(de)VF值和(he)極低的(de)高溫漏(lou)電(dian)流,能更(geng)好(hao)的滿足電源產品的高效率,高可靠性(xing)的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復(fu)二極(ji)管具有極(ji)低的反(fan)向恢復(fu)時間Trr和極(ji)低的反向恢(hui)復電荷Qrr,并具(ju)有超快的(de)開關速度,應用于硬開關條(tiao)件下的(de)PFC電路(lu)和高壓高頻電源的(de)次級整流電路(lu)。
沃爾德(de)SGT MOS 具有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ,并具有開關(guan)速度(du)快等(deng)特(te)點,能滿足產品溫(wen)升和效率的(de)要求。
沃爾德(de)Planar MOS 具(ju)有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有(you)強的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較(jiao)低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度(du)快(kuai)并具有(you)強的EAS性(xing)能和(he)抗短(duan)路性(xing)能等特點,能滿足產品高效和(he)可(ke)靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層(ceng)外延工(gong)藝,具有低RDS(on)、結電容(rong)小、Qg 小,易(yi)驅動、開關速度快的(de)特點,使電源(yuan)更容(rong)易(yi)實(shi)現高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德(de)碳化硅二極(ji)管(guan)具極(ji)小的(de)反向恢復時(shi)間、高浪涌電(dian)流、高效可靠(kao)的(de)特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德(de)碳(tan)化硅mos管(guan)具有低RDS(on)高開關(guan)速度,高效可靠,封裝(zhuang)TOLL、TO-247等
沃爾德吸收(shou)二極管(guan)具有(you)較長(chang)的存儲時間和(he)較小的Irr,同時具有較長的平(ping)緩反(fan)向恢復特(te)性(xing)(xing),能平(ping)緩恢復電流,應用于電源的RCD吸(xi)收電路,從而使電源產(chan)品達到更好的EMI特(te)性(xing)(xing),滿足電源產(chan)品高效率(lv)、高可靠性(xing)(xing)的需求。
通過優化二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關斷時間(jian))較軟(ruan)的恢復特(te)性,大幅減少(shao)諧(xie)波(bo)振蕩的發(fa)生(sheng),從而減少(shao)或(huo)者(zhe)減小(xiao)橋堆周邊EMI抑(yi)制器件的使用或(huo)者使用規格,例如X電(dian)容,共(gong)模電(dian)感,差模電(dian)感等。