沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整流橋產品是(shi)由4顆肖特基硅二(er)極管橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是全橋(qiao)直流(liu)輸出端(duan)的“負極(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整(zheng)流(liu)橋(qiao)產品(pin)是由四只低壓降整流硅芯片作橋式連接,有四(si)個(ge)引出腳(jiao)。兩只二極管負極的連接點是(shi)全橋直流輸出端(duan)的“正極”,兩只(zhi)二極管正極的連接點是全橋(qiao)直流輸出端的“負極”,外用絕緣(yuan)塑封(feng)而成(cheng)。LOW VF即是正向壓(ya)降(jiang)極低的整流橋。
逆變橋(qiao)是由四(si)顆(ke)(ke)快恢復二極(ji)(ji)(ji)管整(zheng)合一(yi)起(qi),即將四(si)顆(ke)(ke)芯片封裝(zhuang)到一(yi)個支(zhi)架上作橋(qiao)式(shi)連接(jie),有四(si)個引(yin)出腳。兩只二極(ji)(ji)(ji)管負極(ji)(ji)(ji)的連接(jie)點是直流輸出端(duan)的“正(zheng)極(ji)(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)(ji)的連接(jie)點是直流輸出端(duan)的“負極(ji)(ji)(ji)”,另兩個引(yin)腳是交(jiao)流輸入(ru)端(duan),外用絕緣塑料封裝(zhuang)而(er)成。
一種集成采樣功(gong)能(neng)的(de)整流(liu)橋,即通過采集電(dian)路中(zhong)的(de)輸入(ru)電(dian)流(liu),實現(xian)功(gong)率分(fen)配(pei)、電(dian)路保護。
開關橋是由四只高速開關(guan)二極(ji)管作橋(qiao)式(shi)連接(jie),有(you)四個引出腳。兩只(zhi)二極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)(de)連接點是(shi)全(quan)橋直流(liu)輸出端(duan)的(de)(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是(shi)全(quan)橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑(su)封(feng)而成。
沃爾德高壓肖特(te)基二極管具(ju)有較低的VF值和(he)極低的反向(xiang)漏電流Ir,體現出良好的低溫升特(te)性。VRRM高達350V,電流從5A到(dao)40A全覆蓋,能更好的滿足高(gao)(gao)壓輸(shu)出電(dian)源(yuan)的高(gao)(gao)效率(lv)、高(gao)(gao)可(ke)靠性的需求。
沃(wo)爾德(de) LOW VF肖特基二(er)極(ji)管采用(yong)先進的Trench工(gong)藝,具有較低的VF值和極(ji)低的高溫(wen)漏電(dian)流,能(neng)更好的滿足電(dian)源產(chan)品的高(gao)效率,高(gao)可靠性的需(xu)求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極(ji)管具有極(ji)低的(de)反向恢復時間Trr和極低的反(fan)向恢復電荷Qrr,并具(ju)有超快的開(kai)關(guan)速度,應用于硬(ying)開(kai)關(guan)條件下的PFC電路和高(gao)壓高(gao)頻電源的次(ci)級(ji)整流(liu)電路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具(ju)有(you)開(kai)關(guan)速(su)度(du)快等(deng)特點,能滿足產品溫(wen)升和效率(lv)的要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具(ju)有(you)低的RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高(gao)效和可靠(kao)的要(yao)求(qiu)。
沃爾(er)德Trench MOS 具(ju)有(you)較低(di)的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度快并具有強(qiang)的EAS性能(neng)和(he)抗短路(lu)性能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿足產品高效和(he)可靠的(de)要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層外(wai)延工藝,具有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易(yi)驅動、開關速度快的特點,使電源更容易(yi)實現高(gao)(gao)效(xiao)率,高(gao)(gao)可靠(kao)性(xing)。
沃爾(er)德(de)碳化硅二極(ji)管具極(ji)小(xiao)的反向恢(hui)復時間、高浪(lang)涌電流、高效(xiao)可靠的特性,封裝(zhuang)主要(yao)有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅mos管具(ju)有低RDS(on)高(gao)開(kai)關速度,高(gao)效(xiao)可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德(de)吸(xi)收(shou)二極管具有(you)較長的存儲(chu)時間和(he)較小的Irr,同(tong)時具有較長的(de)(de)平緩反向恢復特(te)性(xing),能平緩恢復電(dian)流,應用于電(dian)源的(de)(de)RCD吸收電(dian)路,從而(er)使(shi)電(dian)源產(chan)品達到更好的(de)(de)EMI特(te)性(xing),滿足電(dian)源產(chan)品高(gao)效(xiao)率、高(gao)可靠性(xing)的(de)(de)需(xu)求(qiu)。
通過優化(hua)二極管(guan)Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間)較軟(ruan)的(de)恢復特性(xing),大幅減少(shao)諧波(bo)振(zhen)蕩的(de)發生,從而減少(shao)或者(zhe)減小橋(qiao)堆周邊EMI抑制器(qi)件(jian)的使(shi)用或者(zhe)使(shi)用規格(ge),例如X電容,共(gong)模(mo)電感,差模(mo)電感等(deng)。