沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整(zheng)流橋產品(pin)是(shi)由4顆肖(xiao)特基硅二極管(guan)橋式(shi)連接,有(you)四個引出腳。兩只二極管負極的連接點(dian)是(shi)全橋直流(liu)輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的(de)連(lian)接點是全(quan)橋直流輸出(chu)端(duan)的(de)“負極(ji)”,外(wai)用絕緣朔料(liao)封裝而(er)成。
LOW VF整流橋產(chan)品是由四只低壓降整流(liu)硅芯片作(zuo)橋式(shi)連接,有(you)四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極管負極的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的(de)(de)連接點(dian)是全橋直流輸(shu)出端的(de)(de)“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是(shi)正(zheng)向壓降(jiang)極(ji)低的整(zheng)流橋。
逆變(bian)橋(qiao)是由四(si)(si)顆快恢復二(er)極(ji)(ji)管(guan)整(zheng)合一起,即將四(si)(si)顆芯片封(feng)裝到一個(ge)支架上作橋(qiao)式連(lian)接(jie),有四(si)(si)個(ge)引出腳(jiao)(jiao)。兩只二(er)極(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)的連(lian)接(jie)點是直流(liu)輸出端的“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)(ji)的連(lian)接(jie)點是直流(liu)輸出端的“負極(ji)(ji)”,另兩個(ge)引腳(jiao)(jiao)是交流(liu)輸入(ru)端,外(wai)用絕緣(yuan)塑料封(feng)裝而(er)成。
一種集成采樣功能的整流橋(qiao),即通過采集電(dian)路中的輸入電(dian)流,實(shi)現功率分配、電(dian)路保護。
開關(guan)橋是由(you)四(si)只(zhi)高(gao)速開關二極(ji)管作(zuo)橋式連接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)連(lian)接點是全橋直(zhi)流輸出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的連接點是(shi)全橋直流(liu)輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德高壓肖特基二極管具有較低的VF值和極低(di)的反向漏電流Ir,體現出良好的低(di)溫升特(te)性(xing)。VRRM高(gao)達350V,電流從5A到40A全(quan)覆蓋,能更好的滿足(zu)高(gao)壓輸出電(dian)源(yuan)的(de)高(gao)效率、高(gao)可靠性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管采用(yong)先進的Trench工藝,具有較低的VF值和極(ji)低的高溫漏電(dian)流,能更好的(de)滿足電源產(chan)品(pin)的(de)高(gao)效率,高(gao)可靠性的(de)需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二(er)極管(guan)具(ju)有(you)極低的反向恢復時間(jian)Trr和極低(di)的反向恢復電荷Qrr,并(bing)具有超快(kuai)的開關速度,應用(yong)于硬開關條件下的PFC電路和高壓高頻電源的次級整(zheng)流電路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ,并具(ju)有開關速度快等特(te)點,能滿足產品溫升和效率的(de)要求。
沃(wo)爾(er)德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有(you)強的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿(man)足產品高效和可靠(kao)的(de)要求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具(ju)有強的(de)EAS性(xing)能(neng)和(he)抗短路性(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高(gao)效和(he)可靠(kao)的要求。
沃爾德SJ(超結(jie))MOS采用多層外(wai)延工藝,具有低RDS(on)、結電容(rong)小、Qg 小,易驅動、開關速度快的特點,使電源更容(rong)易實現高(gao)效率,高(gao)可(ke)靠性。
沃爾(er)德碳(tan)化硅二(er)極(ji)管(guan)具極(ji)小的(de)反向(xiang)恢復(fu)時間、高浪涌電(dian)流、高效可(ke)靠的(de)特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅mos管具有低RDS(on)高(gao)開(kai)關(guan)速度,高(gao)效可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管(guan)具(ju)有較長的存儲時間和較小的Irr,同時具(ju)有較長的(de)(de)平緩(huan)反(fan)向(xiang)恢(hui)復特(te)(te)性,能平緩(huan)恢(hui)復電(dian)(dian)流,應用于電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)的(de)(de)RCD吸收(shou)電(dian)(dian)路,從而使電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)產(chan)(chan)品達到更好的(de)(de)EMI特(te)(te)性,滿(man)足電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)產(chan)(chan)品高效率(lv)、高可靠性的(de)(de)需(xu)求(qiu)。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時(shi)間)較軟的恢復特性,大幅減(jian)少諧(xie)波振蕩的發生,從而減(jian)少或者減(jian)小(xiao)橋(qiao)堆周邊EMI抑制器件(jian)的使(shi)用(yong)或(huo)者使(shi)用(yong)規格,例(li)如X電容,共模電感,差模電感等。